Silicium-op-isolatorsubstraat SOI-wafel drie lagen voor micro-elektronica en radiofrequentie

Korte beschrijving:

SOI volledige naam Silicon On Insulator, is de betekenis van siliciumtransistorstructuur bovenop de isolator, het principe ligt tussen de siliciumtransistor, isolatiemateriaal toevoegen, kan de parasitaire capaciteit tussen de twee maken dan het origineel minder dan het dubbele.


Product detail

Productlabels

Introductie van wafeltjedoos

Introductie van onze geavanceerde Silicon-On-Insulator (SOI)-wafel, zorgvuldig ontworpen met drie verschillende lagen, die een revolutie teweegbrengen in micro-elektronica en radiofrequentie (RF)-toepassingen.Dit innovatieve substraat combineert een bovenste siliciumlaag, een isolerende oxidelaag en een onderste siliciumsubstraat om ongeëvenaarde prestaties en veelzijdigheid te leveren.

Onze SOI-wafer is ontworpen voor de eisen van de moderne micro-elektronica en biedt een solide basis voor de fabricage van ingewikkelde geïntegreerde schakelingen (IC's) met superieure snelheid, energie-efficiëntie en betrouwbaarheid.De bovenste siliciumlaag maakt de naadloze integratie van complexe elektronische componenten mogelijk, terwijl de isolerende oxidelaag de parasitaire capaciteit minimaliseert, waardoor de algehele prestaties van het apparaat worden verbeterd.

Op het gebied van RF-toepassingen blinkt onze SOI-wafer uit door zijn lage parasitaire capaciteit, hoge doorslagspanning en uitstekende isolatie-eigenschappen.Dit substraat is ideaal voor RF-schakelaars, versterkers, filters en andere RF-componenten en zorgt voor optimale prestaties in draadloze communicatiesystemen, radarsystemen en meer.

Bovendien maakt de inherente stralingstolerantie van onze SOI-wafer hem ideaal voor lucht- en ruimtevaart- en defensietoepassingen, waar betrouwbaarheid in zware omstandigheden van cruciaal belang is.De robuuste constructie en uitzonderlijke prestatiekenmerken garanderen een consistente werking, zelfs onder extreme omstandigheden.

Belangrijkste kenmerken:

Drielaagse architectuur: bovenste siliciumlaag, isolerende oxidelaag en onderste siliciumsubstraat.

Superieure micro-elektronicaprestaties: Maakt de fabricage van geavanceerde IC's mogelijk met verbeterde snelheid en energie-efficiëntie.

Uitstekende RF-prestaties: lage parasitaire capaciteit, hoge doorslagspanning en superieure isolatie-eigenschappen voor RF-apparaten.

Betrouwbaarheid op luchtvaartniveau: Inherente stralingstolerantie zorgt voor betrouwbaarheid in zware omgevingen.

Veelzijdige toepassingen: geschikt voor een breed scala aan industrieën, waaronder telecommunicatie, lucht- en ruimtevaart, defensie en meer.

Ervaar de volgende generatie micro-elektronica en RF-technologie met onze geavanceerde Silicon-On-Insulator (SOI) wafer.Ontgrendel nieuwe mogelijkheden voor innovatie en stimuleer vooruitgang in uw toepassingen met onze geavanceerde substraatoplossing.

Gedetailleerd diagram

asd
asd

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons