150 mm 200 mm 6 inch 8 inch GaN op silicium Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer

Korte beschrijving:

De 6-inch GaN Epi-layer wafer is een hoogwaardig halfgeleidermateriaal dat bestaat uit lagen galliumnitride (GaN) gegroeid op een siliciumsubstraat.Het materiaal heeft uitstekende elektronische transporteigenschappen en is ideaal voor de productie van halfgeleiderapparaten met hoog vermogen en hoge frequentie.

Stuur een e-mail naar ons

Product detail

Productlabels

Productiemethode

Het productieproces omvat het laten groeien van GaN-lagen op een saffiersubstraat met behulp van geavanceerde technieken zoals metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD) of moleculaire bundelepitaxie (MBE).Het depositieproces wordt uitgevoerd onder gecontroleerde omstandigheden om een hoge kristalkwaliteit en uniforme film te garanderen.

6-inch GaN-op-Sapphire-toepassingen: 6-inch saffiersubstraatchips worden veel gebruikt in microgolfcommunicatie, radarsystemen, draadloze technologie en opto-elektronica.

Enkele veel voorkomende toepassingen zijn onder meer

1. RF-eindversterker

2. LED-verlichtingsindustrie

3. Draadloze netwerkcommunicatieapparatuur

4. Elektronische apparaten in een omgeving met hoge temperaturen

5. Opto-elektronische apparaten

Product specificaties

- Grootte: de substraatdiameter is 6 inch (ongeveer 150 mm).

- Oppervlaktekwaliteit: het oppervlak is fijn gepolijst voor een uitstekende spiegelkwaliteit.

- Dikte: De dikte van de GaN-laag kan worden aangepast aan specifieke vereisten.

- Verpakking: Het substraat wordt zorgvuldig verpakt met antistatische materialen om schade tijdens transport te voorkomen.

- Positioneringsranden: Het substraat heeft specifieke positioneringsranden die de uitlijning en bediening tijdens de voorbereiding van het apparaat vergemakkelijken.

- Andere parameters: specifieke parameters zoals dunheid, weerstand en dopingconcentratie kunnen worden aangepast aan de eisen van de klant.

Met hun superieure materiaaleigenschappen en uiteenlopende toepassingen zijn 6-inch saffiersubstraatwafels een betrouwbare keuze voor de ontwikkeling van hoogwaardige halfgeleiderapparaten in verschillende industrieën.

Substraat	6” 1 mm <111> p-type Si	6” 1 mm <111> p-type Si
Epi DikGem	~5um	~7um
Epi DikkeUnif	<2%	<2%
Boog	+/-45um	+/-45um
Kraken	<5 mm	<5 mm
Verticale BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT dik Gem	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN-kap	5-60 nm	5-60 nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobiliteit	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330 ohm/vierkant (<2%)	<330 ohm/vierkant (<2%)