100 mm 4 inch GaN op saffier Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer

(1) Bakken op hoge temperatuur, saffiersubstraat wordt eerst verwarmd tot 1050 ℃ in een waterstofatmosfeer, het doel is om het substraatoppervlak te reinigen;

(2) Wanneer de substraattemperatuur daalt tot 510 ℃, wordt een GaN/AlN-bufferlaag met een lage temperatuur met een dikte van 30 nm op het oppervlak van het saffiersubstraat afgezet;

(3) Temperatuurstijging tot 10 ℃, het reactiegas ammoniak, trimethylgallium en silaan worden geïnjecteerd, respectievelijk regelen de overeenkomstige stroomsnelheid, en het met silicium gedoteerde N-type GaN met een dikte van 4um wordt gekweekt;

(4) Het reactiegas van trimethylaluminium en trimethylgallium werd gebruikt om met silicium gedoteerde N-type A⒑-continenten met een dikte van 0,15 µm te bereiden;

(5) 50 nm met Zn gedoteerd InGaN werd bereid door respectievelijk trimethylgallium, trimethylindium, diethylzink en ammoniak te injecteren bij een temperatuur van 8O0 ℃ en verschillende stroomsnelheden te regelen;

(6) De temperatuur werd verhoogd tot 1020 ℃, trimethylaluminium, trimethylgallium en bis (cyclopentadienyl) magnesium werden geïnjecteerd om 0,15um Mg gedoteerde P-type AlGaN en 0,5um Mg gedoteerde P-type G bloedglucose te bereiden;

(7) P-type GaN Sibuyan-film van hoge kwaliteit werd verkregen door uitgloeien in een stikstofatmosfeer bij 700 ℃;

(8) Etsen op het P-type G-stasisoppervlak om het N-type G-stasisoppervlak zichtbaar te maken;

(9) Verdamping van Ni/Au-contactplaten op p-GaNI-oppervlak, verdamping van △/Al-contactplaten op ll-GaN-oppervlak om elektroden te vormen.