Substraat
-
3 inch dia76,2 mm saffierwafer 0,5 mm dikte C-vlak SSP
-
4inch SiC Epi-wafer voor MOS of SBD
-
SiO2 dunne film thermische oxide silicium wafer 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch
-
2 inch SiC staaf Dia 50,8 mm x 10 mm 4H-N monokristal
-
Silicium-op-isolator substraat SOI-wafer drie lagen voor micro-elektronica en radiofrequentie
-
SOI-waferisolator op 8-inch en 6-inch SOI (Silicon-On-Insulator) siliciumwafers
-
4 inch SiC-wafers 6H semi-isolerende SiC-substraten prime, research en dummy grade
-
6inch HPSI SiC substraat wafer Siliciumcarbide Semi-isolerende SiC wafers
-
4inch Semi-isolerende SiC-wafers HPSI SiC-substraat Prime Productiekwaliteit
-
3 inch 76,2 mm 4H-Semi SiC substraat wafer Siliciumcarbide Semi-isolerende SiC wafers
-
3 inch dia 76,2 mm SiC-substraten HPSI Prime Research en Dummy-kwaliteit
-
4H-semi HPSI 2inch SiC substraat wafer Productie Dummy Onderzoekskwaliteit