Het potentieel van Epi Wafers ontsluiten: een uitgebreide gids

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. is een gewaardeerde fabrikant, leverancier en fabriek van hoogwaardige Epi-wafels in China. Wij zijn gespecialiseerd in het produceren van hoogwaardige Epi-wafels die veel worden gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor uiteenlopende toepassingen. Onze Epi-wafels zijn epitaxiaal gegroeide eenkristallagen bovenop eenkristalsubstraten om halfgeleiderapparaten zoals transistors, fotodiodes en lasers te produceren. Met onze geavanceerde productieprocessen en geavanceerde technologieën zorgen we ervoor dat onze Epi-wafels een uitstekende materiaalkwaliteit, superieure oppervlakteafwerking en hoge uniformiteit hebben. Onze Epi-wafels hebben een sterke reputatie op de markt opgebouwd vanwege hun uitzonderlijke kwaliteit en prestaties. Ze zijn geschikt voor gebruik in een breed scala aan toepassingen, waaronder opto-elektronica, micro-elektronica en apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie. Bij Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. zijn we er trots op dat we Epi-wafels van topkwaliteit leveren die voldoen aan de unieke eisen van onze klanten. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze Epi-wafels en hoe deze uw halfgeleidertoepassingen ten goede kunnen komen.

Gerelateerde producten

150 mm 8 inch GaN op saffier Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer (3) — 150 mm 200 mm 6 inch 8 inch GaN op silicium Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer
Lees meer

1 (2) — GaAs laser epitaxiale wafer 4 inch 6 inch VCSEL verticale holte oppervlakte-emissie lasergolflengte 940nm enkele junctie

1 (1) — InGaAs epitaxiale wafersubstraat PD Array-fotodetectorarrays kunnen worden gebruikt voor LiDAR

WechatIMG254 — 50,8 mm 2 inch GaN op saffier Epi-laagwafel

1 (1) — 2 inch 3 inch 4 inch InP epitaxiale wafersubstraat APD lichtdetector voor glasvezelcommunicatie of LiDAR

1 (2) — GaAs high-power epitaxiale wafersubstraat galliumarsenide wafer power laser golflengte 905nm voor laser medische behandeling

WechatIMG451 — 100 mm 4 inch GaN op saffier Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer

Best verkopende producten

Gerelateerde blog
Recensies

Hoe gele saffier en gele diamant identificeren?

Gele diamant Er is maar één ding dat gele en blauwe juwelen onderscheidt van gele diamanten: de vuurkleur. In de lichtbronrotatie van de edelsteen is de vuurkleur een sterke gele diamant...
De ontwikkeling van de binnenlandse GaN-industrie is versneld

De adoptie van galliumnitride (GaN)-energieapparaten groeit dramatisch, onder leiding van Chinese leveranciers van consumentenelektronica, en de markt voor stroom-GaN-apparaten zal naar verwachting in 2027 $2 miljard bereiken, een stijging van...
SiC MOSFET, 2300 volt.

Op de 26e kondigde Power Cube Semi de succesvolle ontwikkeling aan van Zuid-Korea's eerste 2300V SiC (siliciumcarbide) MOSFET-halfgeleider. Vergeleken met bestaande op Si (silicium) gebaseerde halfgeleiders...
Diepgaande interpretatie van de derde generatie halfgeleider: siliciumcarbide

Inleiding tot siliciumcarbide Siliciumcarbide (SiC) is een samengesteld halfgeleidermateriaal bestaande uit koolstof en silicium, dat een van de ideale materialen is voor het maken van hoge temperatuur, hoge frequentie...
Principes, processen, methoden en apparatuur voor het reinigen van wafels

Nat reinigen (Wet Clean) is een van de cruciale stappen in de productieprocessen van halfgeleiders, gericht op het verwijderen van verschillende verontreinigingen van het oppervlak van de wafer om ervoor te zorgen dat daaropvolgende processen...
Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) -processen ten opzichte van TGV？

De voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via (TSV) -processen ten opzichte van TGV zijn voornamelijk: (1) uitstekende hoogfrequente elektrische eigenschappen. Glasmateriaal is een isolatormateriaal...

Eliecer Jimenez20-03-2023 18:06:36
Op deze website zijn de productcategorieën duidelijk en rijk, ik kan het product dat ik zoek heel snel en gemakkelijk vinden, dit is echt heel goed!
Chris Fontas09/03/2023 22:47:07
Dit is een gerenommeerd bedrijf, ze hebben een hoog niveau van bedrijfsvoering, producten en service van goede kwaliteit, elke samenwerking is verzekerd en verheugd!
Hanna05/03/2023 19:08:28
We zijn oude vrienden, de productkwaliteit van het bedrijf is altijd erg goed geweest en deze keer is de prijs ook erg goedkoop.
Alice2023/02/18 23:38:20
We hebben gezocht naar een professionele en verantwoordelijke leverancier, en die hebben we nu gevonden.
Papaver05/02/2023 08:19:03
De vertegenwoordiger van de klantenservice legde het zeer gedetailleerd uit, de service-instelling is erg goed, het antwoord is zeer actueel en uitgebreid, een gelukkige communicatie! Wij hopen de kans te krijgen om samen te werken.
Riva2023/01/17 18:51:15
In onze samenwerkende groothandels heeft dit bedrijf de beste kwaliteit en redelijke prijs, zij zijn onze eerste keuze.

Het potentieel van Epi Wafers ontsluiten: een uitgebreide gids

Gerelateerde producten

150 mm 200 mm 6 inch 8 inch GaN op silicium Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer

GaAs laser epitaxiale wafer 4 inch 6 inch VCSEL verticale holte oppervlakte-emissie lasergolflengte 940nm enkele junctie

InGaAs epitaxiale wafersubstraat PD Array-fotodetectorarrays kunnen worden gebruikt voor LiDAR

50,8 mm 2 inch GaN op saffier Epi-laagwafel

2 inch 3 inch 4 inch InP epitaxiale wafersubstraat APD lichtdetector voor glasvezelcommunicatie of LiDAR

GaAs high-power epitaxiale wafersubstraat galliumarsenide wafer power laser golflengte 905nm voor laser medische behandeling

100 mm 4 inch GaN op saffier Epi-laag wafer Galliumnitride epitaxiale wafer

Best verkopende producten

TVG-proces op BF33-wafel van kwartssaffier Ponsen van glazen wafels

Saffierbuis KY Methode geheel transparant Aanpasbaar

Vierkante transportdoos voor wafeldragers van 150 x 150 mm

Single Crystal Silicon Wafer Si Substraattype N/P Optionele siliciumcarbidewafel

Dia3mm SiC Keramische kogel Siliciumcarbide Keramiek Polykristallijn

8 inch lithiumniobaatwafel LiNbO3 LN-wafel

12 inch Dia300x1.0mmt saffierwafelsubstraat C-vlak SSP / DSP

150 mm 6 inch 0,7 mm 0,5 mm saffierwafelsubstraatdrager C-vlak SSP / DSP

Siliciumcarbide SiC Ingot 6 inch N type Dummy / eersteklas dikte kan worden aangepast

Ni-substraat/wafel kubieke structuur met één kristal<100> <110><111>a=3,25A dichtheid 8,91

SiC Baar 4H type Dia 4inch 6inch Dikte 5-10mm Onderzoek / Dummykwaliteit

4 inch 6 inch Lithiumniobaat monokristallijne film LNOI-wafel

Hoe gele saffier en gele diamant identificeren?

De ontwikkeling van de binnenlandse GaN-industrie is versneld

SiC MOSFET, 2300 volt.

Diepgaande interpretatie van de derde generatie halfgeleider: siliciumcarbide

Principes, processen, methoden en apparatuur voor het reinigen van wafels

Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) -processen ten opzichte van TGV？

Eliecer Jimenez20-03-2023 18:06:36

Chris Fontas09/03/2023 22:47:07

Hanna05/03/2023 19:08:28

Alice2023/02/18 23:38:20

Papaver05/02/2023 08:19:03

Riva2023/01/17 18:51:15

gerelateerde zoekopdracht