2-inch, 3-inch, 4-inch InP epitaxiale wafersubstraat APD-lichtdetector voor glasvezelcommunicatie of LiDAR

Korte beschrijving:

Het epitaxiale InP-substraat is het basismateriaal voor de productie van APD's. Dit is meestal een halfgeleidermateriaal dat door middel van epitaxiale groeitechnologie op het substraat wordt aangebracht. Veelgebruikte materialen zijn onder andere silicium (Si), galliumarsenide (GaAs) en galliumnitride (GaN), die uitstekende foto-elektrische eigenschappen bezitten. De APD-fotodetector is een speciaal type fotodetector dat gebruikmaakt van het lawine-foto-elektrisch effect om het detectiesignaal te versterken. Wanneer fotonen op een APD vallen, worden elektronen-gatparen gegenereerd. De versnelling van deze ladingsdragers onder invloed van een elektrisch veld kan leiden tot de vorming van meer ladingsdragers, een "lawine-effect", waardoor de uitgangsstroom aanzienlijk wordt versterkt.
Epitaxiale wafers, gekweekt met behulp van MOCvD, staan centraal in de toepassingen van lawinefotodetectordiodes (APD's). De absorptielaag werd vervaardigd uit U-InGaAs-materiaal met een achtergronddotering van <5E14. De functionele laag kan bestaan uit een InP- of InAlAs-laag. Het epitaxiale InP-substraat is het basismateriaal voor de productie van APD's en bepaalt de prestaties van de optische detector. De APD-fotodetector is een zeer gevoelige fotodetector die veelvuldig wordt gebruikt in communicatie, sensoren en beeldvorming.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Belangrijkste kenmerken van de InP-laser-epitaxiale plaat zijn:

1. Bandkloofkarakteristieken: InP heeft een smalle bandkloof, waardoor het geschikt is voor de detectie van langgolvig infrarood licht, met name in het golflengtebereik van 1,3 μm tot 1,5 μm.
2. Optische prestaties: De epitaxiale InP-film vertoont goede optische prestaties, zoals lichtopbrengst en externe kwantumrendement bij verschillende golflengten. Bijvoorbeeld, bij 480 nm bedragen de lichtopbrengst en het externe kwantumrendement respectievelijk 11,2% en 98,8%.
3. Dragerdynamiek: InP-nanodeeltjes (NP's) vertonen een dubbel-exponentieel vervalgedrag tijdens de epitaxiale groei. De snelle vervaltijd wordt toegeschreven aan de injectie van ladingsdragers in de InGaAs-laag, terwijl de langzame vervaltijd verband houdt met de recombinatie van ladingsdragers in de InP-nanodeeltjes.
4. Eigenschappen bij hoge temperaturen: Het AlGaInAs/InP-kwantumputmateriaal presteert uitstekend bij hoge temperaturen, waardoor lekstroom effectief wordt voorkomen en de eigenschappen van de laser bij hoge temperaturen worden verbeterd.
5. Productieproces: Epitaxiale InP-lagen worden meestal op het substraat gegroeid met behulp van moleculaire bundelepitaxie (MBE) of metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD) om films van hoge kwaliteit te verkrijgen.
Deze eigenschappen maken InP-laser-epitaxiale wafers geschikt voor belangrijke toepassingen in glasvezelcommunicatie, kwantum-sleutelverdeling en optische detectie op afstand.

De belangrijkste toepassingen van InP-laser-epitaxiale tabletten zijn onder andere:

1. Fotonica: InP-lasers en -detectoren worden veel gebruikt in optische communicatie, datacenters, infraroodbeeldvorming, biometrie, 3D-sensoren en LiDAR.

2. Telecommunicatie: InP-materialen hebben belangrijke toepassingen in de grootschalige integratie van op silicium gebaseerde lasers met lange golflengte, met name in glasvezelcommunicatie.

3. Infraroodlasers: Toepassingen van op InP gebaseerde kwantumputlasers in het midden-infraroodgebied (zoals 4-38 micron), waaronder gasdetectie, explosievenopsporing en infraroodbeeldvorming.

4. Siliciumfotonica: Door middel van heterogene integratietechnologie wordt de InP-laser overgebracht naar een siliciumsubstraat om een multifunctioneel opto-elektronisch integratieplatform van silicium te vormen.

5. Hoogwaardige lasers: InP-materialen worden gebruikt voor de productie van hoogwaardige lasers, zoals InGaAsP-InP-transistorlasers met een golflengte van 1,5 micron.

XKH biedt op maat gemaakte InP-epitaxiale wafers met verschillende structuren en diktes, geschikt voor uiteenlopende toepassingen zoals optische communicatie, sensoren, 4G/5G-basisstations, enz. De producten van XKH worden vervaardigd met behulp van geavanceerde MOCVD-apparatuur om hoge prestaties en betrouwbaarheid te garanderen. XKH beschikt over een breed internationaal netwerk van leveranciers, kan flexibel omgaan met grote aantallen bestellingen en biedt diensten met toegevoegde waarde zoals dunner maken en segmenteren. Efficiënte leveringsprocessen zorgen voor tijdige levering en voldoen aan de eisen van de klant op het gebied van kwaliteit en levertijd. Na ontvangst kunnen klanten rekenen op uitgebreide technische ondersteuning en after-sales service om een probleemloze ingebruikname van het product te garanderen.