3 inch hoge zuiverheid (ongedoteerde) siliciumcarbidewafels semi-isolerende Sic-substraten (HPSl)

Korte beschrijving:

De 3-inch High Purity Semi-Insulated (HPSI) siliciumcarbide (SiC) wafer is een eersteklas substraat dat is geoptimaliseerd voor toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en opto-elektronische toepassingen. Deze wafers zijn vervaardigd uit ongedoteerd, zeer zuiver 4H-SiC-materiaal en vertonen een uitstekende thermische geleidbaarheid, een grote bandafstand en uitzonderlijke semi-isolerende eigenschappen, waardoor ze onmisbaar zijn voor de ontwikkeling van geavanceerde apparaten. Met superieure structurele integriteit en oppervlaktekwaliteit dienen HPSI SiC-substraten als de basis voor technologieën van de volgende generatie in de vermogenselektronica, telecommunicatie en lucht- en ruimtevaartindustrie, en ondersteunen ze innovatie op diverse gebieden.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Eigenschappen

1. Fysieke en structurele eigenschappen
●Materiaaltype: Hoge zuiverheid (ongedoteerd) siliciumcarbide (SiC)
●Diameter: 3 inch (76,2 mm)
●Dikte: 0,33-0,5 mm, aanpasbaar op basis van toepassingsvereisten.
●Kristalstructuur: 4H-SiC polytype met een hexagonaal rooster, bekend om zijn hoge elektronenmobiliteit en thermische stabiliteit.
●Oriëntatie:
oStandaard: [0001] (C-vlak), geschikt voor een breed scala aan toepassingen.
oOptioneel: Off-axis (4° of 8° kantelen) voor verbeterde epitaxiale groei van apparaatlagen.
●Vlakheid: Totale diktevariatie (TTV) ●Oppervlakkwaliteit:
oGepolijst tot oLage defectdichtheid (<10/cm² microbuisdichtheid). 2. Elektrische eigenschappen ●Weerstand: >109^99 Ω·cm, gehandhaafd door de eliminatie van opzettelijke doteermiddelen.
●Diëlektrische sterkte: Duurzaamheid bij hoge spanning met minimale diëlektrische verliezen, ideaal voor toepassingen met hoog vermogen.
●Thermische geleidbaarheid: 3,5-4,9 W/cm·K, waardoor effectieve warmteafvoer in hoogwaardige apparaten mogelijk is.

3. Thermische en mechanische eigenschappen
●Brede bandafstand: 3,26 eV, ondersteunt werking onder omstandigheden met hoge spanning, hoge temperaturen en hoge straling.
●Hardheid: schaal van Mohs 9, waardoor robuustheid tegen mechanische slijtage tijdens de verwerking wordt gegarandeerd.
●Thermische uitzettingscoëfficiënt: 4,2×10−6/K4.2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, waardoor dimensionale stabiliteit bij temperatuurschommelingen wordt gegarandeerd.

Parameter	Productiekwaliteit	Onderzoeksgraad	Dummy-klasse	Eenheid
Cijfer	Productiekwaliteit	Onderzoeksgraad	Dummy-klasse
Diameter	76,2±0,5	76,2±0,5	76,2±0,5	mm
Dikte	500±25	500±25	500±25	µm
Waferoriëntatie	Op de as: <0001> ± 0,5°	Op de as: <0001> ± 2,0°	Op de as: <0001> ± 2,0°	rang
Microbuisdichtheid (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Elektrische weerstand	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Doteringsmiddel	Ongedoteerd	Ongedoteerd	Ongedoteerd
Primaire vlakke oriëntatie	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	rang
Primaire platte lengte	32,5±3,0	32,5±3,0	32,5±3,0	mm
Secundaire platte lengte	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Secundaire vlakke oriëntatie	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	rang
Randuitsluiting	3	3	3	mm
LTV/TTV/Boog/Warp	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Oppervlakteruwheid	Si-vlak: CMP, C-vlak: gepolijst	Si-vlak: CMP, C-vlak: gepolijst	Si-vlak: CMP, C-vlak: gepolijst
Scheuren (licht met hoge intensiteit)	Geen	Geen	Geen
Zeskantplaten (licht met hoge intensiteit)	Geen	Geen	Cumulatief gebied 10%	%
Polytype-gebieden (licht met hoge intensiteit)	Cumulatief gebied 5%	Cumulatief gebied 20%	Cumulatief gebied 30%	%
Krassen (licht met hoge intensiteit)	≤ 5 krassen, cumulatieve lengte ≤ 150	≤ 10 krassen, cumulatieve lengte ≤ 200	≤ 10 krassen, cumulatieve lengte ≤ 200	mm
Rand chippen	Geen ≥ 0,5 mm breedte/diepte	2 toegestaan ≤ 1 mm breedte/diepte	5 toegestaan ≤ 5 mm breedte/diepte	mm
Oppervlakteverontreiniging	Geen	Geen	Geen

Toepassingen

1. Vermogenselektronica
De grote bandafstand en hoge thermische geleidbaarheid van HPSI SiC-substraten maken ze ideaal voor vermogensapparaten die onder extreme omstandigheden werken, zoals:
●Hoogspanningsapparaten: inclusief MOSFET's, IGBT's en Schottky Barrier Diodes (SBD's) voor efficiënte stroomconversie.
●Hernieuwbare energiesystemen: zoals zonne-energie-omvormers en windturbinecontrollers.
●Elektrische voertuigen (EV's): Gebruikt in omvormers, laders en aandrijflijnsystemen om de efficiëntie te verbeteren en de omvang te verkleinen.

2. RF- en microgolftoepassingen
De hoge soortelijke weerstand en lage diëlektrische verliezen van HPSI-wafels zijn essentieel voor radiofrequentie- (RF)- en microgolfsystemen, waaronder:
●Telecommunicatie-infrastructuur: basisstations voor 5G-netwerken en satellietcommunicatie.
●Lucht- en ruimtevaart en defensie: radarsystemen, phased-array-antennes en elektronische componenten.

3. Opto-elektronica
De transparantie en brede bandafstand van 4H-SiC maken het gebruik ervan in opto-elektronische apparaten mogelijk, zoals:
●UV-fotodetectoren: voor omgevingsmonitoring en medische diagnostiek.
●High-Power LED's: Ondersteuning van solid-state verlichtingssystemen.
●Laserdiodes: voor industriële en medische toepassingen.

4. Onderzoek en ontwikkeling
HPSI SiC-substraten worden veel gebruikt in academische en industriële R&D-laboratoria voor het onderzoeken van geavanceerde materiaaleigenschappen en de fabricage van apparaten, waaronder:
●Epitaxiale laaggroei: onderzoek naar defectreductie en laagoptimalisatie.
●Carrier Mobility Studies: onderzoek naar elektronen- en gatentransport in hoogzuivere materialen.
●Prototyping: initiële ontwikkeling van nieuwe apparaten en circuits.

Voordelen

Superieure kwaliteit:
Hoge zuiverheid en lage defectdichtheid bieden een betrouwbaar platform voor geavanceerde toepassingen.

Thermische stabiliteit:
Uitstekende warmteafvoereigenschappen zorgen ervoor dat apparaten efficiënt kunnen werken onder omstandigheden met hoog vermogen en hoge temperaturen.

Brede compatibiliteit:
Beschikbare oriëntaties en aangepaste dikteopties zorgen voor aanpasbaarheid aan verschillende apparaatvereisten.

Duurzaamheid:
Uitzonderlijke hardheid en structurele stabiliteit minimaliseren slijtage en vervorming tijdens verwerking en gebruik.

Veelzijdigheid:
Geschikt voor een breed scala aan industrieën, van hernieuwbare energie tot lucht- en ruimtevaart en telecommunicatie.

Conclusie

De 3-inch hoogzuivere semi-isolerende siliciumcarbidewafel vertegenwoordigt het toppunt van substraattechnologie voor hoogvermogen, hoogfrequente en opto-elektronische apparaten. De combinatie van uitstekende thermische, elektrische en mechanische eigenschappen zorgt voor betrouwbare prestaties in uitdagende omgevingen. Van vermogenselektronica en RF-systemen tot opto-elektronica en geavanceerde R&D: deze HPSI-substraten vormen de basis voor de innovaties van morgen.
Voor meer informatie of om een bestelling te plaatsen kunt u contact met ons opnemen. Ons technisch team staat klaar om begeleiding en aanpassingsmogelijkheden te bieden die zijn afgestemd op uw behoeften.