3 inch hoogzuivere (ongedopeerde) siliciumcarbidewafers semi-isolerende SIC-substraten (HPS1)

Korte beschrijving:

De 3-inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) siliciumcarbide (SiC) wafer is een hoogwaardig substraat, geoptimaliseerd voor toepassingen met hoog vermogen, hoge frequenties en opto-elektronische toepassingen. Deze wafers zijn vervaardigd met ongedoteerd, zeer zuiver 4H-SiC-materiaal en vertonen een uitstekende thermische geleidbaarheid, een brede bandgap en uitzonderlijke semi-isolerende eigenschappen, waardoor ze onmisbaar zijn voor geavanceerde apparaatontwikkeling. Met hun superieure structurele integriteit en oppervlaktekwaliteit vormen HPSI SiC-substraten de basis voor technologieën van de volgende generatie in de vermogenselektronica, telecommunicatie en lucht- en ruimtevaart, en ondersteunen ze innovatie in diverse sectoren.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Eigenschappen

1. Fysieke en structurele eigenschappen
●Materiaaltype: Hoogzuiver (ongedopeerd) siliciumcarbide (SiC)
●Diameter: 76,2 mm (3 inch)
●Dikte: 0,33-0,5 mm, aanpasbaar op basis van toepassingsvereisten.
●Kristalstructuur: 4H-SiC-polytype met een hexagonaal rooster, bekend om zijn hoge elektronenmobiliteit en thermische stabiliteit.
●Oriëntatie:
oStandaard: [0001] (C-vlak), geschikt voor een breed scala aan toepassingen.
oOptioneel: Off-axis (4° of 8° kanteling) voor verbeterde epitaxiale groei van apparaatlagen.
●Vlakheid: Totale diktevariatie (TTV) ●Oppervlaktekwaliteit:
oGepolijst tot oLage defectdichtheid (<10/cm² micropijpdichtheid). 2. Elektrische eigenschappen ●Weerstand: >109^99 Ω·cm, gehandhaafd door het verwijderen van opzettelijke doteermiddelen.
●Diëlektrische sterkte: Hoge spanningsduurzaamheid met minimale diëlektrische verliezen, ideaal voor toepassingen met hoog vermogen.
●Thermische geleidbaarheid: 3,5-4,9 W/cm·K, waardoor effectieve warmteafvoer in hoogwaardige apparaten mogelijk is.

3. Thermische en mechanische eigenschappen
●Brede bandafstand: 3,26 eV, ondersteunt werking onder hoge spanning, hoge temperaturen en hoge stralingsomstandigheden.
●Hardheid: Mohs-schaal 9, voor robuustheid tegen mechanische slijtage tijdens de verwerking.
●Thermische uitzettingscoëfficiënt: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, waardoor maatvastheid bij temperatuurvariaties wordt gegarandeerd.

Parameter	Productiekwaliteit	Onderzoeksgraad	Dummy-cijfer	Eenheid
Cijfer	Productiekwaliteit	Onderzoeksgraad	Dummy-cijfer
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Dikte	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Waferoriëntatie	Op de as: <0001> ± 0,5°	Op de as: <0001> ± 2,0°	Op de as: <0001> ± 2,0°	rang
Micropijpdichtheid (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Elektrische weerstand	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Ongedopeerd	Ongedopeerd	Ongedopeerd
Primaire vlakke oriëntatie	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	rang
Primaire vlakke lengte	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Secundaire vlakke lengte	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Secundaire vlakke oriëntatie	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°	rang
Randuitsluiting	3	3	3	mm
LTV/TTV/Boog/Warp	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Oppervlakteruwheid	Si-vlak: CMP, C-vlak: Gepolijst	Si-vlak: CMP, C-vlak: Gepolijst	Si-vlak: CMP, C-vlak: Gepolijst
Scheuren (Hoog Intensiteit Licht)	Geen	Geen	Geen
Hex-platen (hoogintensief licht)	Geen	Geen	Cumulatief gebied 10%	%
Polytype-gebieden (licht met hoge intensiteit)	Cumulatief oppervlak 5%	Cumulatief oppervlak 20%	Cumulatief oppervlak 30%	%
Krassen (Hoog Intensiteit Licht)	≤ 5 krassen, cumulatieve lengte ≤ 150	≤ 10 krassen, cumulatieve lengte ≤ 200	≤ 10 krassen, cumulatieve lengte ≤ 200	mm
Randafbrokkeling	Geen ≥ 0,5 mm breedte/diepte	2 toegestaan ≤ 1 mm breedte/diepte	5 toegestaan ≤ 5 mm breedte/diepte	mm
Oppervlakteverontreiniging	Geen	Geen	Geen

Toepassingen

1. Vermogenselektronica
De brede bandgap en hoge thermische geleidbaarheid van HPSI SiC-substraten maken ze ideaal voor elektrische apparaten die onder extreme omstandigheden werken, zoals:
●Hoogspanningsapparaten: waaronder MOSFET's, IGBT's en Schottky-barrièrediodes (SBD's) voor efficiënte vermogensomzetting.
●Hernieuwbare energiesystemen: zoals zonneomvormers en windturbinecontrollers.
●Elektrische voertuigen (EV's): Worden gebruikt in omvormers, opladers en aandrijflijnsystemen om de efficiëntie te verbeteren en de omvang te verkleinen.

2. RF- en microgolftoepassingen
De hoge soortelijke weerstand en lage diëlektrische verliezen van HPSI-wafers zijn essentieel voor radiofrequentie- (RF) en microgolfsystemen, waaronder:
●Telecommunicatie-infrastructuur: basisstations voor 5G-netwerken en satellietcommunicatie.
●Lucht- en ruimtevaart en defensie: radarsystemen, fase-arrayantennes en avionicacomponenten.

3. Opto-elektronica
De transparantie en de grote bandafstand van 4H-SiC maken het gebruik ervan in opto-elektronische apparaten mogelijk, zoals:
●UV-fotodetectoren: voor omgevingsbewaking en medische diagnostiek.
●Krachtige LED's: ondersteunen solid-state verlichtingssystemen.
●Laserdiodes: voor industriële en medische toepassingen.

4. Onderzoek en ontwikkeling
HPSI SiC-substraten worden veel gebruikt in academische en industriële R&D-laboratoria voor het onderzoeken van geavanceerde materiaaleigenschappen en de fabricage van apparaten, waaronder:
●Epitaxiale laaggroei: studies naar defectreductie en laagoptimalisatie.
●Onderzoek naar dragermobiliteit: onderzoek naar elektronen- en gatentransport in materialen met een hoge zuiverheid.
●Prototyping: Initiële ontwikkeling van nieuwe apparaten en circuits.

Voordelen

Superieure kwaliteit:
Hoge zuiverheid en lage defectdichtheid bieden een betrouwbaar platform voor geavanceerde toepassingen.

Thermische stabiliteit:
Uitstekende warmteafvoereigenschappen zorgen ervoor dat apparaten efficiënt werken onder hoge vermogens- en temperatuuromstandigheden.

Brede compatibiliteit:
Beschikbare oriëntaties en aangepaste dikteopties zorgen voor aanpasbaarheid aan verschillende apparaatvereisten.

Duurzaamheid:
Uitzonderlijke hardheid en structurele stabiliteit minimaliseren slijtage en vervorming tijdens de verwerking en het gebruik.

Veelzijdigheid:
Geschikt voor een breed scala aan industrieën, van hernieuwbare energie tot lucht- en ruimtevaart en telecommunicatie.

Conclusie

De 3-inch High Purity Semi-Insulated Silicon Carbide wafer vertegenwoordigt het toppunt van substraattechnologie voor hoogvermogen-, hoogfrequente en opto-elektronische apparaten. De combinatie van uitstekende thermische, elektrische en mechanische eigenschappen garandeert betrouwbare prestaties in uitdagende omgevingen. Van vermogenselektronica en RF-systemen tot opto-elektronica en geavanceerde R&D: deze HPSI-substraten vormen de basis voor de innovaties van morgen.
Neem contact met ons op voor meer informatie of om een bestelling te plaatsen. Ons technische team staat klaar om u te adviseren en maatwerkopties te bieden die aansluiten op uw behoeften.