4H-semi HPSI 2 inch SiC-substraatwafel Productie Dummy Onderzoekskwaliteit

Korte beschrijving:

2 inch siliciumcarbide monokristallijne substraatwafel is een hoogwaardig materiaal met uitstekende fysische en chemische eigenschappen.Het is gemaakt van zeer zuiver siliciumcarbide monokristallijn materiaal met uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid.Dankzij het uiterst nauwkeurige voorbereidingsproces en de hoogwaardige materialen is deze chip op veel gebieden een van de voorkeursmaterialen voor de voorbereiding van hoogwaardige elektronische apparaten.

Stuur een e-mail naar ons

Product detail

Productlabels

Semi-isolerend siliciumcarbidesubstraat SiC-wafels

Siliciumcarbidesubstraat is hoofdzakelijk verdeeld in geleidend en semi-isolerend type, geleidend siliciumcarbidesubstraat naar n-type substraat wordt voornamelijk gebruikt voor epitaxiale GaN-gebaseerde LED en andere opto-elektronische apparaten, op SiC gebaseerde vermogenselektronische apparaten, enz., en semi- isolerend SiC-siliciumcarbidesubstraat wordt voornamelijk gebruikt voor de epitaxiale vervaardiging van GaN-radiofrequentieapparaten met hoog vermogen.Bovendien is de semi-isolatie met hoge zuiverheid HPSI en SI-semi-isolatie verschillend, de dragerconcentratie van de hoogzuivere semi-isolatie van 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015 / cm3 bereik, met hoge elektronenmobiliteit;semi-isolatie is een materiaal met hoge weerstand, de weerstand is zeer hoog, wordt over het algemeen gebruikt voor substraten van microgolfapparaten, niet-geleidend.

Semi-isolerende siliciumcarbide-substraatplaat SiC-wafel

De SiC-kristalstructuur bepaalt de fysieke eigenschappen ervan, ten opzichte van Si en GaAs, die SiC heeft voor de fysieke eigenschappen;de verboden bandbreedte is groot, bijna drie keer zo groot als die van Si, om ervoor te zorgen dat het apparaat bij hoge temperaturen werkt en langdurig betrouwbaar is;de doorslagveldsterkte is hoog, is 1O maal die van Si, om ervoor te zorgen dat de spanningscapaciteit van het apparaat de spanningswaarde van het apparaat verbetert;de verzadigingselektronensnelheid is groot, is 2 maal die van Si, om de frequentie en vermogensdichtheid van het apparaat te verhogen;thermische geleidbaarheid is hoog, meer dan Si, de thermische geleidbaarheid is hoog, de thermische geleidbaarheid is hoog, de thermische geleidbaarheid is hoog, de thermische geleidbaarheid is hoog, meer dan de Si, de thermische geleidbaarheid is hoog, de thermische geleidbaarheid is hoog.Hoge thermische geleidbaarheid, meer dan 3 maal die van Si, waardoor de warmteafvoercapaciteit van het apparaat toeneemt en de miniaturisatie van het apparaat wordt gerealiseerd.