4 inch SiC-wafels 6H semi-isolerende SiC-substraten prime-, onderzoeks- en dummy-kwaliteit

Korte beschrijving:

Halfgeïsoleerd siliciumcarbidesubstraat wordt gevormd door snijden, slijpen, polijsten, reinigen en andere verwerkingstechnologie na de groei van halfgeïsoleerd siliciumcarbidekristal.Op het substraat wordt een laag of meerlaagse kristallaag gegroeid die voldoet aan de kwaliteitseisen als epitaxie, en vervolgens wordt het microgolf-RF-apparaat gemaakt door het circuitontwerp en de verpakking te combineren.Verkrijgbaar als 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch industriële, onderzoeks- en testkwaliteit semi-geïsoleerde siliciumcarbide monokristallijne substraten.

Stuur een e-mail naar ons

Product detail

Productlabels

Productspecificatie

Cijfer			Zero MPD-productiekwaliteit (Z-klasse)			Standaard productiekwaliteit (P-klasse)		Dummy-klasse (D-klasse)
Diameter			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Waferoriëntatie			Buiten de as: 4,0° richting < 1120 > ±0,5° voor 4H-N, Op de as: <0001>±0,5° voor 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primaire vlakke oriëntatie		{10-10} ±5,0°
Primaire platte lengte		32,5 mm±2,0 mm
Secundaire platte lengte		18,0 mm±2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie		Siliciumzijde naar boven: 90° CW.vanaf Prime flat ±5,0°
Randuitsluiting		3 mm
LTV/TTV/Boog/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Ruwheid			C-gezicht				Pools		Ra≤1 nm
			Si gezicht	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Randscheuren door licht met hoge intensiteit		Geen						Cumulatieve lengte ≤ 10 mm, enkelvoudig lengte≤2 mm
Hexuitdraaiplaten door licht met hoge intensiteit		Cumulatief gebied ≤0,05%						Cumulatief gebied ≤0,1%
Polytype gebieden door licht met hoge intensiteit		Geen						Cumulatief gebied≤3%
Visuele koolstofinsluitsels		Cumulatief gebied ≤0,05%						Cumulatief gebied ≤3%
Siliciumoppervlak krast door licht van hoge intensiteit		Geen						Cumulatieve lengte≤1＊wafeldiameter
Randchips hoog door intensiteitslicht		Geen toegestaan ≥0,2 mm breedte en diepte						5 toegestaan, ≤1 mm elk
Verontreiniging van siliciumoppervlak door hoge intensiteit		Geen
Verpakking		Multi-wafelcassette of enkele wafelcontainer