2 inch SiC-wafels 6H of 4H semi-isolerende SiC-substraten Dia50,8 mm

Korte beschrijving:

Siliciumcarbide (SiC) is een binaire verbinding van Groep IV-IV, het is de enige stabiele vaste verbinding in Groep IV van het Periodiek Systeem der Elementen. Het is een belangrijke halfgeleider.SiC heeft uitstekende thermische, mechanische, chemische en elektrische eigenschappen, waardoor het een van de beste materialen is voor het maken van elektronische apparaten met hoge temperatuur, hoge frequentie en hoog vermogen.

Stuur een e-mail naar ons

Product detail

Productlabels

Toepassing van siliciumcarbidesubstraat

Siliciumcarbidesubstraat kan afhankelijk van de soortelijke weerstand worden onderverdeeld in geleidend type en semi-isolerend type.Geleidende siliciumcarbide-apparaten worden voornamelijk gebruikt in elektrische voertuigen, fotovoltaïsche energieopwekking, spoorwegvervoer, datacenters, oplaadsystemen en andere infrastructuur.De elektrische auto-industrie heeft een enorme vraag naar geleidende siliciumcarbidesubstraten, en op dit moment zijn Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng en andere nieuwe energievoertuigenbedrijven van plan om afzonderlijke siliciumcarbide-apparaten of -modules te gebruiken.

Halfgeïsoleerde siliciumcarbide-apparaten worden voornamelijk gebruikt in 5G-communicatie, voertuigcommunicatie, nationale defensietoepassingen, datatransmissie, lucht- en ruimtevaart en andere gebieden.Door de epitaxiale laag van galliumnitride op het semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraat te laten groeien, kan de op silicium gebaseerde epitaxiale wafer van galliumnitride verder worden omgezet in microgolf-RF-apparaten, die voornamelijk worden gebruikt in het RF-veld, zoals eindversterkers in 5G-communicatie en radiodetectoren in de nationale defensie.

De productie van siliciumcarbidesubstraatproducten omvat de ontwikkeling van apparatuur, de synthese van grondstoffen, kristalgroei, kristalsnijden, wafelverwerking, reiniging en testen, en vele andere schakels.Op het gebied van grondstoffen levert de Songshan Boron-industrie siliciumcarbide-grondstoffen voor de markt en heeft zij kleine batches verkocht.De derde generatie halfgeleidermaterialen, vertegenwoordigd door siliciumcarbide, spelen een sleutelrol in de moderne industrie. Met de versnelling van de penetratie van nieuwe energievoertuigen en fotovoltaïsche toepassingen staat de vraag naar siliciumcarbidesubstraten op het punt een keerpunt in te luiden.