P-type SiC-wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm met primaire vlakke oriëntatie
Specificatie 4H/6H-P Type SiC composietsubstraten Algemene parametertabel
6 siliciumcarbide (SiC) substraat met een diameter van 1 inch Specificatie
| Cijfer | Nul MPD-productieCijfer (Z) Cijfer) | StandaardproductieCijfer (P) Cijfer) | Nepcijfer (D Cijfer) | ||
| Diameter | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Dikte | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferoriëntatie | -Offas: 2,0°-4,0° richting [1120] ± 0,5° voor 4H/6H-P, Op as:〈111〉± 0,5° voor 3C-N | ||||
| Micropipe-dichtheid | 0 cm-2 | ||||
| Soortelijke weerstand | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-type 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primaire vlakke oriëntatie | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Primaire vlakke lengte | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Secundaire vlakke lengte | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Secundaire vlakke oriëntatie | Siliconenzijde naar boven: 90° met de klok mee ten opzichte van het Prime-vlak ± 5,0° | ||||
| Randuitsluiting | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Ruwheid | Poolse Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Randscheuren veroorzaakt door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 10 mm, individuele lengte ≤ 2 mm | |||
| Hex-platen door middel van licht met hoge intensiteit | Cumulatief oppervlak ≤0,05% | Cumulatief oppervlak ≤0,1% | |||
| Polytypegebieden door middel van licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatief oppervlak ≤ 3% | |||
| Visuele koolstofinsluitingen | Cumulatief oppervlak ≤0,05% | Cumulatief oppervlak ≤3% | |||
| Het siliconenoppervlak raakt beschadigd door fel licht. | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 1 × waferdiameter | |||
| Randbeschadigingen door intens licht | Niet toegestaan met een breedte en diepte van ≥0,2 mm. | 5 toegestaan, ≤1 mm elk | |||
| Verontreiniging van het siliciumoppervlak door hoge intensiteit | Geen | ||||
| Verpakking | Cassette voor meerdere wafers of container voor één wafer | ||||
Opmerkingen:
※ De defectlimieten gelden voor het gehele waferoppervlak, met uitzondering van het randuitsluitingsgebied. # De krassen moeten worden gecontroleerd op het Si-vlak.
De P-type SiC-wafer, 4H/6H-P 3C-N, met een afmeting van 6 inch en een dikte van 350 μm, speelt een cruciale rol in de industriële productie van hoogwaardige vermogenselektronica. De uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge doorslagspanning maken hem ideaal voor de productie van componenten zoals vermogensschakelaars, diodes en transistors die worden gebruikt in omgevingen met hoge temperaturen, zoals elektrische voertuigen, elektriciteitsnetten en systemen voor hernieuwbare energie. Het vermogen van de wafer om efficiënt te werken onder zware omstandigheden garandeert betrouwbare prestaties in industriële toepassingen die een hoge vermogensdichtheid en energie-efficiëntie vereisen. Bovendien draagt de primaire vlakke oriëntatie bij aan een nauwkeurige uitlijning tijdens de fabricage van componenten, wat de productie-efficiëntie en productconsistentie verbetert.
De voordelen van N-type SiC-composietsubstraten zijn onder andere:
- Hoge thermische geleidbaarheidP-type SiC-wafers voeren warmte efficiënt af, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen bij hoge temperaturen.
- Hoge doorslagspanning: Bestand tegen hoge spanningen, wat de betrouwbaarheid garandeert in vermogenselektronica en hoogspanningsapparaten.
- Bestand tegen zware omstandighedenUitstekende duurzaamheid onder extreme omstandigheden, zoals hoge temperaturen en corrosieve omgevingen.
- Efficiënte energieomzettingDe p-type dotering maakt een efficiënte energieoverdracht mogelijk, waardoor de wafer geschikt is voor energieomzettingssystemen.
- Primaire vlakke oriëntatie: Zorgt voor een nauwkeurige uitlijning tijdens de productie, waardoor de nauwkeurigheid en consistentie van het apparaat verbeteren.
- Dunne structuur (350 μm)De optimale dikte van de wafer maakt integratie in geavanceerde, ruimtebeperkte elektronische apparaten mogelijk.
Over het algemeen biedt de P-type SiC-wafer, 4H/6H-P 3C-N, een reeks voordelen die hem uitermate geschikt maken voor industriële en elektronische toepassingen. De hoge thermische geleidbaarheid en doorslagspanning zorgen voor een betrouwbare werking in omgevingen met hoge temperaturen en hoge spanningen, terwijl de weerstand tegen zware omstandigheden een lange levensduur garandeert. De P-type dotering maakt een efficiënte energieomzetting mogelijk, waardoor de wafer ideaal is voor vermogenselektronica en energiesystemen. Bovendien zorgt de primaire vlakke oriëntatie van de wafer voor een nauwkeurige uitlijning tijdens het productieproces, wat de productieconsistentie verbetert. Met een dikte van 350 μm is de wafer zeer geschikt voor integratie in geavanceerde, compacte apparaten.
Gedetailleerd diagram
