P-type SiC-wafel 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm met primaire vlakke oriëntatie

P-type SiC-wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm met primaire vlakke richting Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

De P-type SiC-wafer, 4H/6H-P 3C-N, is een 6-inch halfgeleidermateriaal met een dikte van 350 μm en primaire vlakke oriëntatie, ontworpen voor geavanceerde elektronische toepassingen. Deze wafer staat bekend om zijn hoge thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning en weerstand tegen extreme temperaturen en corrosieve omgevingen en is geschikt voor hoogwaardige elektronische apparaten. De dotering van het P-type introduceert gaten als de primaire ladingsdragers, waardoor het ideaal is voor vermogenselektronica en RF-toepassingen. De robuuste structuur zorgt voor stabiele prestaties onder hoogspannings- en hoogfrequente omstandigheden, waardoor het zeer geschikt is voor voedingsapparaten, hogetemperatuurelektronica en hoogefficiënte energieconversie. De primaire vlakke oriëntatie zorgt voor een nauwkeurige uitlijning tijdens het productieproces en zorgt voor consistentie bij de fabricage van het apparaat.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Specificatie4H/6H-P Type SiC-composietsubstraten Gemeenschappelijke parametertabel

6 inch diameter Siliciumcarbide (SiC) substraat Specificatie

Cijfer			Geen MPD-productieGraad (Z Cijfer)	Standaard productieGraad (P Cijfer)	Dummy-klasse (D Cijfer)
Diameter			145,5 mm ~ 150,0 mm
Dikte			350 μm ± 25 μm
Waferoriëntatie			-Offas: 2,0°-4,0° richting [1120] ± 0,5° voor 4H/6H-P, op as: 〈111〉± 0,5° voor 3C-N
Dichtheid van de micropijp			0 cm-2
Weerstand	p-type 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-type 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Primaire vlakke oriëntatie		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primaire platte lengte			32,5 mm ± 2,0 mm
Secundaire platte lengte			18,0 mm ± 2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie			Siliciumzijde naar boven: 90° CW. vanaf Prime flat ± 5,0°
Randuitsluiting			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Boog/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Ruwheid			Polijst Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Randscheuren door licht met hoge intensiteit			Geen		Cumulatieve lengte ≤ 10 mm, enkele lengte ≤2 mm
Hexuitdraaiplaten door licht met hoge intensiteit			Cumulatief gebied ≤0,05%		Cumulatief gebied ≤0,1%
Polytype gebieden door licht met hoge intensiteit			Geen		Cumulatief gebied≤3%
Visuele koolstofinsluitingen			Cumulatief gebied ≤0,05%		Cumulatief gebied ≤3%
Siliciumoppervlak krast door licht van hoge intensiteit			Geen		Cumulatieve lengte≤1×wafeldiameter
Randchips hoog door intensiteitslicht			Geen toegestaan ≥0,2 mm breedte en diepte		5 toegestaan, ≤1 mm elk
Verontreiniging van siliciumoppervlak door hoge intensiteit			Geen
Verpakking			Multi-wafercassette of enkele wafercontainer

Opmerkingen:

※ Defectlimieten zijn van toepassing op het gehele wafeloppervlak, behalve het randuitsluitingsgebied. # De krassen moeten worden gecontroleerd op Si-zijde o

De P-type SiC-wafel, 4H/6H-P 3C-N, speelt met zijn formaat van 6 inch en een dikte van 350 μm een cruciale rol in de industriële productie van hoogwaardige vermogenselektronica. De uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge doorslagspanning maken het ideaal voor de productie van componenten zoals stroomschakelaars, diodes en transistors die worden gebruikt in omgevingen met hoge temperaturen, zoals elektrische voertuigen, elektriciteitsnetwerken en systemen voor hernieuwbare energie. Het vermogen van de wafer om efficiënt te werken onder zware omstandigheden zorgt voor betrouwbare prestaties in industriële toepassingen die een hoge vermogensdichtheid en energie-efficiëntie vereisen. Bovendien helpt de primaire vlakke oriëntatie bij nauwkeurige uitlijning tijdens de fabricage van het apparaat, waardoor de productie-efficiëntie en productconsistentie worden verbeterd.

De voordelen van N-type SiC-composietsubstraten omvatten:

Hoge thermische geleidbaarheid: SiC-wafels van het P-type voeren de warmte efficiënt af, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen bij hoge temperaturen.
Hoge doorslagspanning: Bestand tegen hoge spanningen, waardoor betrouwbaarheid in vermogenselektronica en hoogspanningsapparaten wordt gegarandeerd.
Weerstand tegen ruwe omgevingen: Uitstekende duurzaamheid onder extreme omstandigheden, zoals hoge temperaturen en corrosieve omgevingen.
Efficiënte stroomconversie: De dotering van het P-type vergemakkelijkt een efficiënte vermogensafhandeling, waardoor de wafer geschikt is voor energieconversiesystemen.
Primaire vlakke oriëntatie: Zorgt voor een nauwkeurige uitlijning tijdens de productie, waardoor de nauwkeurigheid en consistentie van het apparaat worden verbeterd.
Dunne structuur (350 μm): De optimale dikte van de wafer ondersteunt integratie in geavanceerde elektronische apparaten met beperkte ruimte.

Over het geheel genomen biedt de SiC-wafer van het P-type, 4H/6H-P 3C-N, een reeks voordelen die hem zeer geschikt maken voor industriële en elektronische toepassingen. De hoge thermische geleidbaarheid en doorslagspanning maken een betrouwbare werking in omgevingen met hoge temperaturen en hoge spanning mogelijk, terwijl de weerstand tegen zware omstandigheden duurzaamheid garandeert. De dotering van het P-type zorgt voor een efficiënte stroomomzetting, waardoor het ideaal is voor vermogenselektronica en energiesystemen. Bovendien zorgt de primaire vlakke oriëntatie van de wafer voor een nauwkeurige uitlijning tijdens het productieproces, waardoor de productieconsistentie wordt verbeterd. Met een dikte van 350 μm is het zeer geschikt voor integratie in geavanceerde, compacte apparaten.