P-type SiC-wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm met primaire vlakke oriëntatie
Specificatie4H/6H-P Type SiC Composiet Substraten Algemene parametertabel
6 inch diameter siliciumcarbide (SiC) substraat Specificatie
| Cijfer | Nul MPD-productieKlasse (Z) Cijfer) | StandaardproductieCijfer (P) Cijfer) | Dummy-cijfer (D Cijfer) | ||
| Diameter | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Dikte | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferoriëntatie | -Offas: 2,0°-4,0° richting [1120] ± 0,5° voor 4H/6H-P, Op de as:〈111〉± 0,5° voor 3C-N | ||||
| Micropijpdichtheid | 0 cm-2 | ||||
| Weerstand | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ω·cm | ≤0,3 Ω·cm | ||
| n-type 3C-N | ≤0,8 mΩ·cm | ≤1 m Ω·cm | |||
| Primaire vlakke oriëntatie | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Primaire vlakke lengte | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Secundaire vlakke lengte | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Secundaire vlakke oriëntatie | Siliciumzijde naar boven: 90° CW. vanaf Prime flat ± 5,0° | ||||
| Randuitsluiting | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Boog/Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Ruwheid | Poolse Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Randscheuren door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 10 mm, enkele lengte ≤ 2 mm | |||
| Hex-platen door middel van licht met hoge intensiteit | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief gebied ≤0,1% | |||
| Polytypegebieden door middel van licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatief gebied ≤ 3% | |||
| Visuele koolstofinsluitingen | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief oppervlak ≤3% | |||
| Krassen op siliciumoppervlak door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 1 × waferdiameter | |||
| Randchips met hoge intensiteit licht | Geen toegestane breedte en diepte ≥0,2 mm | 5 toegestaan, elk ≤1 mm | |||
| Verontreiniging van het siliciumoppervlak door hoge intensiteit | Geen | ||||
| Verpakking | Multi-wafercassette of enkele wafercontainer | ||||
Opmerkingen:
※ Defectlimieten gelden voor het gehele waferoppervlak, met uitzondering van het randuitsluitingsgebied. # De krassen moeten op het Si-vlak worden gecontroleerd
De P-type SiC-wafer, 4H/6H-P 3C-N, speelt met zijn 6-inch formaat en 350 μm dikte een cruciale rol in de industriële productie van hoogwaardige vermogenselektronica. De uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge doorslagspanning maken hem ideaal voor de productie van componenten zoals vermogensschakelaars, diodes en transistors die worden gebruikt in omgevingen met hoge temperaturen, zoals elektrische voertuigen, elektriciteitsnetten en hernieuwbare energiesystemen. De efficiënte werking van de wafer onder zware omstandigheden garandeert betrouwbare prestaties in industriële toepassingen die een hoge vermogensdichtheid en energie-efficiëntie vereisen. Bovendien draagt de primaire vlakke oriëntatie bij aan een nauwkeurige uitlijning tijdens de fabricage, wat de productie-efficiëntie en productconsistentie verbetert.
De voordelen van N-type SiC-composietsubstraten zijn onder meer:
- Hoge thermische geleidbaarheid:P-type SiC-wafers voeren warmte efficiënt af, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen met hoge temperaturen.
- Hoge doorslagspanning: Bestand tegen hoge spanningen, wat de betrouwbaarheid van vermogenselektronica en hoogspanningsapparatuur garandeert.
- Weerstand tegen zware omstandigheden: Uitstekende duurzaamheid onder extreme omstandigheden, zoals hoge temperaturen en corrosieve omgevingen.
- Efficiënte vermogensconversie:De P-type doping zorgt voor een efficiënte vermogensafhandeling, waardoor de wafer geschikt is voor energieomzettingssystemen.
- Primaire vlakke oriëntatie: Zorgt voor een nauwkeurige uitlijning tijdens de productie, waardoor de nauwkeurigheid en consistentie van het apparaat worden verbeterd.
- Dunne structuur (350 μm)De optimale dikte van de wafer maakt integratie in geavanceerde elektronische apparaten met beperkte ruimte mogelijk.
Al met al biedt de P-type SiC-wafer, 4H/6H-P 3C-N, een reeks voordelen die hem zeer geschikt maken voor industriële en elektronische toepassingen. De hoge thermische geleidbaarheid en doorslagspanning zorgen voor een betrouwbare werking in omgevingen met hoge temperaturen en hoge spanningen, terwijl de bestendigheid tegen zware omstandigheden duurzaamheid garandeert. De P-type doping zorgt voor een efficiënte vermogensconversie, waardoor hij ideaal is voor vermogenselektronica en energiesystemen. Bovendien zorgt de primaire vlakke oriëntatie van de wafer voor een nauwkeurige uitlijning tijdens het productieproces, wat de productieconsistentie verbetert. Met een dikte van 350 μm is hij zeer geschikt voor integratie in geavanceerde, compacte apparaten.
Gedetailleerd diagram
