6 inch (150 mm) siliciumcarbide (SiC) wafers van het type 4H-N voor MOS- of SBD-productie, onderzoeks- en testkwaliteit.
Toepassingsvelden
Het 6-inch siliciumcarbide-eenkristalsubstraat speelt een cruciale rol in diverse industrieën. Ten eerste wordt het veelvuldig gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor de fabricage van krachtige elektronische componenten zoals vermogenstransistors, geïntegreerde schakelingen en vermogensmodules. De hoge thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid zorgen voor een betere warmteafvoer, wat resulteert in een verbeterde efficiëntie en betrouwbaarheid. Ten tweede zijn siliciumcarbide-wafers essentieel in onderzoeksgebieden voor de ontwikkeling van nieuwe materialen en apparaten. Daarnaast vindt de siliciumcarbide-wafer uitgebreide toepassingen in de opto-elektronica, waaronder de productie van LED's en laserdiode's.
Productspecificaties
Het 6-inch siliciumcarbide-eenkristalsubstraat heeft een diameter van 6 inch (ongeveer 152,4 mm). De oppervlakteruwheid is Ra < 0,5 nm en de dikte bedraagt 600 ± 25 μm. Het substraat kan worden aangepast met N-type of P-type geleidbaarheid, afhankelijk van de wensen van de klant. Bovendien vertoont het een uitzonderlijke mechanische stabiliteit en is het bestand tegen druk en trillingen.
| Diameter | 150 ± 2,0 mm (6 inch) | ||||
| Dikte | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Oriëntatie | Op de as: <0001>±0,5° | Buiten de as: 4,0° richting 1120±0,5° | |||
| Polytype | 4H | ||||
| Soortelijke weerstand (Ω·cm) | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | ||||
| Primaire vlakke oriëntatie | {10-10}±5,0° | ||||
| Primaire vlakke lengte (mm) | 47,5 mm ± 2,5 mm | ||||
| Rand | Afschuining | ||||
| TTV/Bow/Warp (um) | ≤15 /≤40 /≤60 | ||||
| AFM-front (Si-face) | Poolse Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| LTV | ≤3μm (10mm*10mm) | ≤5 μm (10 mm * 10 mm) | ≤10 μm (10 mm * 10 mm) | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm | ||
| Sinaasappelschil/putjes/scheurtjes/verontreiniging/vlekken/strepen | Geen | Geen | Geen | ||
| inspringingen | Geen | Geen | Geen | ||
Het 6-inch siliciumcarbide-eenkristalsubstraat is een hoogwaardig materiaal dat veelvuldig wordt gebruikt in de halfgeleider-, onderzoeks- en opto-elektronica-industrie. Het biedt uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid, waardoor het geschikt is voor de fabricage van krachtige elektronische apparaten en onderzoek naar nieuwe materialen. We bieden diverse specificaties en aanpassingsmogelijkheden om aan de uiteenlopende wensen van onze klanten te voldoen.Neem contact met ons op voor meer informatie over siliciumcarbide wafers!
Gedetailleerd diagram
