6 inch 150 mm siliciumcarbide SiC-wafeltjes 4H-N-type voor MOS- of SBD-productieonderzoek en dummy-kwaliteit

6 inch 150 mm siliciumcarbide SiC-wafels 4H-N-type voor MOS- of SBD-productieonderzoek en dummy-kwaliteit

Korte beschrijving:

Het 6-inch siliciumcarbide monokristallijne substraat is een hoogwaardig materiaal met uitstekende fysische en chemische eigenschappen. Het is vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide-monokristalmateriaal en vertoont een superieure thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en weerstand tegen hoge temperaturen. Dit substraat, gemaakt met precisieproductieprocessen en hoogwaardige materialen, is het voorkeursmateriaal geworden voor de fabricage van zeer efficiënte elektronische apparaten op verschillende gebieden.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Toepassingsgebieden

Het 6-inch siliciumcarbide monokristallijne substraat speelt een cruciale rol in meerdere industrieën. Ten eerste wordt het veel gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor de fabricage van elektronische apparaten met hoog vermogen, zoals vermogenstransistoren, geïntegreerde schakelingen en vermogensmodules. De hoge thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid zorgen voor een betere warmteafvoer, wat resulteert in verbeterde efficiëntie en betrouwbaarheid. Ten tweede zijn siliciumcarbidewafels essentieel op onderzoeksgebieden voor de ontwikkeling van nieuwe materialen en apparaten. Bovendien vindt de siliciumcarbidewafel uitgebreide toepassingen op het gebied van de opto-elektronica, waaronder de productie van LED's en laserdiodes.

Productspecificaties

Het 6-inch siliciumcarbide monokristallijne substraat heeft een diameter van 6 inch (ongeveer 152,4 mm). De oppervlakteruwheid is Ra <0,5 nm en de dikte is 600 ± 25 μm. Het substraat kan worden aangepast met N-type of P-type geleidbaarheid, op basis van de eisen van de klant. Bovendien vertoont het een uitzonderlijke mechanische stabiliteit en is het bestand tegen druk en trillingen.

Diameter		150 ± 2,0 mm (6 inch)
Dikte		350 μm ± 25 μm
Oriëntatie		Op as: <0001>±0,5°		Buiten de as: 4,0° richting 1120 ± 0,5°
Polytype		4H
Weerstand (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Primaire vlakke oriëntatie		{10-10}±5,0°
Primaire platte lengte (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Rand		Afschuining
TTV/Boog/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM voorzijde (Si-face)		Polijst Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10 mm * 10 mm)	≤5 μm (10 mm * 10 mm)		≤10 μm (10 mm * 10 mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Sinaasappelschil/pitten/scheuren/verontreiniging/vlekken/strepen		Geen	Geen		Geen
streepjes		Geen	Geen		Geen

Het 6-inch siliciumcarbide monokristallijne substraat is een hoogwaardig materiaal dat veel wordt gebruikt in de halfgeleider-, onderzoeks- en opto-elektronica-industrie. Het biedt uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en weerstand tegen hoge temperaturen, waardoor het geschikt is voor de fabricage van krachtige elektronische apparaten en onderzoek naar nieuwe materialen. Wij bieden verschillende specificaties en aanpassingsmogelijkheden om aan de uiteenlopende eisen van de klant te voldoen.Neem contact met ons op voor meer informatie over siliciumcarbidewafels!