6 inch 150 mm siliciumcarbide SiC-wafers van het type 4H-N voor MOS- of SBD-productieonderzoek en dummy-kwaliteit

Korte beschrijving:

Het 15 cm dikke siliciumcarbide monokristallijne substraat is een hoogwaardig materiaal met uitstekende fysische en chemische eigenschappen. Het is vervaardigd uit siliciumcarbide monokristallijn materiaal met een hoge zuiverheidsgraad en vertoont een superieure thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. Dit substraat, vervaardigd met behulp van nauwkeurige productieprocessen en hoogwaardige materialen, is uitgegroeid tot het voorkeursmateriaal voor de productie van zeer efficiënte elektronische apparaten in diverse sectoren.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Toepassingsgebieden

Het 15 cm grote siliciumcarbide monokristallijne substraat speelt een cruciale rol in diverse industrieën. Ten eerste wordt het veel gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor de fabricage van elektronische apparaten met een hoog vermogen, zoals vermogenstransistoren, geïntegreerde schakelingen en vermogensmodules. De hoge thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid zorgen voor een betere warmteafvoer, wat resulteert in een verbeterde efficiëntie en betrouwbaarheid. Ten tweede zijn siliciumcarbidewafers essentieel in onderzoeksgebieden voor de ontwikkeling van nieuwe materialen en apparaten. Daarnaast vindt de siliciumcarbidewafer uitgebreide toepassingen in de opto-elektronica, waaronder de productie van leds en laserdiodes.

Productspecificaties

Het 15 cm grote siliciumcarbide monokristallijne substraat heeft een diameter van 15 cm (ongeveer 152,4 mm). De oppervlakteruwheid is Ra < 0,5 nm en de dikte is 600 ± 25 μm. Het substraat kan worden aangepast met N-type of P-type geleidbaarheid, afhankelijk van de wensen van de klant. Bovendien vertoont het een uitzonderlijke mechanische stabiliteit en is het bestand tegen druk en trillingen.

Diameter		150±2,0 mm (6 inch)
Dikte		350 μm±25 μm
Oriëntatie		Op de as: <0001>±0,5°		Buiten de as: 4,0° richting 1120±0,5°
Polytype		4H
Soortelijke weerstand (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Primaire vlakke oriëntatie		{10-10}±5,0°
Primaire vlakke lengte (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Rand		Afschuining
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 / ≤40 / ≤60
AFM Front (Si-face)		Poolse Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10 mm*10 mm)	≤5μm (10 mm*10 mm)		≤10μm (10 mm*10 mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Sinaasappelschil/pitten/scheuren/verontreinigingen/vlekken/strepen		Geen	Geen		Geen
inspringingen		Geen	Geen		Geen

Het 15 cm grote siliciumcarbide monokristallijne substraat is een hoogwaardig materiaal dat veel wordt gebruikt in de halfgeleider-, onderzoeks- en opto-elektronische industrie. Het biedt uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid, waardoor het geschikt is voor de productie van krachtige elektronische apparaten en onderzoek naar nieuwe materialen. We bieden diverse specificaties en maatwerkopties om aan de uiteenlopende eisen van klanten te voldoen.Neem contact met ons op voor meer informatie over siliciumcarbidewafers!