8-inch silicium wafer P/N-type (100) 1-100Ω dummy-recycle substraat
Introductie van de waferdoos
De 8-inch siliciumwafer is een veelgebruikt siliciumsubstraat en wordt op grote schaal toegepast in de productie van geïntegreerde schakelingen. Dergelijke siliciumwafers worden vaak gebruikt voor de vervaardiging van diverse soorten geïntegreerde schakelingen, waaronder microprocessoren, geheugenchips, sensoren en andere elektronische apparaten. 8-inch siliciumwafers worden doorgaans gebruikt voor de productie van relatief grote chips, met als voordelen een groter oppervlak en de mogelijkheid om meer chips op één siliciumwafer te produceren, wat leidt tot een hogere productie-efficiëntie. De 8-inch siliciumwafer heeft bovendien goede mechanische en chemische eigenschappen, waardoor deze geschikt is voor grootschalige productie van geïntegreerde schakelingen.
Productkenmerken
8" P/N-type, gepolijste siliciumwafels (25 stuks)
Oriëntatie: 200
Soortelijke weerstand: 0,1 - 40 ohm•cm (kan per batch variëren)
Dikte: 725+/-20 µm
Prime/Monitor/Test Grade
MATERIAALEIGENSCHAPPEN
| Parameter | Kenmerkend |
| Type/Dopant | P, boor-N, fosfor-N, antimoon-N, arseen |
| Oriëntaties | <100>, <111> snijoriëntaties volgens klantspecificaties |
| Zuurstofgehalte | 1019ppmA Aangepaste toleranties volgens klantspecificaties |
| Koolstofgehalte | < 0,6 ppmA |
MECHANISCHE EIGENSCHAPPEN
| Parameter | Prime | Monitor/Test A | Test |
| Diameter | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
| Dikte | 725±20µm (standaard) | 725±25µm (standaard) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (standaard) |
| TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
| Boog | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Wrap | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Randafronding | SEMI-STD | ||
| Markering | Primaire SEMI-Flat alleen, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch | ||
| Parameter | Prime | Monitor/Test A | Test |
| Criteria voor de voorkant | |||
| Oppervlakteconditie | Chemisch-mechanisch gepolijst | Chemisch-mechanisch gepolijst | Chemisch-mechanisch gepolijst |
| Oppervlakteruwheid | < 2 Å | < 2 Å | < 2 Å |
| Verontreiniging Deeltjes@ >0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
| Nevel, Pits Sinaasappelschil | Geen | Geen | Geen |
| Zaag, Markeringen Strepen | Geen | Geen | Geen |
| Criteria voor de achterzijde | |||
| Scheuren, kraaienpootjes, zaagsporen, vlekken | Geen | Geen | Geen |
| Oppervlakteconditie | bijtende etsing | ||
Gedetailleerd diagram





