SiC
-
2 inch SiC-wafers 6H of 4H semi-isolerende SiC-substraten Diameter 50,8 mm
-
2 inch siliciumcarbide wafers 6H of 4H N-type of semi-isolerende SiC substraten
-
4H-N 4 inch SiC-substraat wafer Siliciumcarbide Productie Dummy Onderzoekskwaliteit
-
6 inch (150 mm) siliciumcarbide (SiC) wafers van het type 4H-N voor MOS- of SBD-productie, onderzoeks- en testkwaliteit.
-
8 inch (200 mm) 4H-N SiC-wafer, geleidende dummy, onderzoekskwaliteit
-
2 inch siliciumcarbide wafers 6H of 4H N-type of semi-isolerende SiC substraten