Sic optische lens 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Aangepaste maat

1. Hoge brekingsindex en breed transmissievenster: SiC-lenzen vertonen uitzonderlijke optische prestaties met een brekingsindex van circa 2,6-2,7 over hun gehele werkingsspectrum. Dit brede transmissievenster (600-1850 nm) omvat zowel het zichtbare als het nabij-infrarode gebied, waardoor ze bijzonder waardevol zijn voor multispectrale beeldvormingssystemen en breedband optische toepassingen. De lage absorptiecoëfficiënt van het materiaal in deze bereiken zorgt voor minimale signaalverzwakking, zelfs bij krachtige lasertoepassingen.

2. Uitzonderlijke niet-lineaire optische eigenschappen: De unieke kristallijne structuur van siliciumcarbide verleent het materiaal opmerkelijke niet-lineaire optische coëfficiënten (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), waardoor efficiënte frequentieomzettingsprocessen mogelijk zijn. Deze eigenschappen worden actief benut in geavanceerde toepassingen zoals optische parametrische oscillatoren, ultrasnelle lasersystemen en volledig optische signaalverwerkingsapparaten. De hoge schadedrempel van het materiaal (>5 GW/cm2) vergroot de geschiktheid ervan voor toepassingen met hoge intensiteit.

3. Mechanische en thermische stabiliteit: Met een elasticiteitsmodulus van bijna 400 GPa en een thermische geleidbaarheid van meer dan 300 W/m·K behouden SiC optische componenten een uitzonderlijke stabiliteit onder mechanische belasting en thermische cycli. De ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,0 × 10⁻⁶/K) zorgt voor minimale focusverschuiving bij temperatuurschommelingen, een cruciaal voordeel voor precisie-optische systemen die werken in fluctuerende thermische omgevingen, zoals ruimtevaarttoepassingen of industriële laserbewerkingsapparatuur.

4. Kwantumeigenschappen: De siliciumvacature (VSi) en divacature (VSiVC) kleurencentra in de 4H-SiC- en 6H-SiC-polytypen vertonen optisch adresseerbare spintoestanden met lange coherentietijden bij kamertemperatuur. Deze kwantumemitters worden geïntegreerd in schaalbare kwantumnetwerken en zijn bijzonder veelbelovend voor de ontwikkeling van kwantumsensoren en kwantumgeheugenapparaten die bij kamertemperatuur werken in fotonische kwantumcomputerarchitecturen.

5. CMOS-compatibiliteit: De compatibiliteit van SiC met standaard halfgeleiderfabricageprocessen maakt directe monolithische integratie met siliciumfotonica-platformen mogelijk. Dit maakt de creatie van hybride fotonisch-elektronische systemen mogelijk die de optische voordelen van SiC combineren met de elektronische functionaliteit van silicium, waardoor nieuwe mogelijkheden ontstaan ​​voor system-on-chip-ontwerpen in optische computer- en sensorapplicaties.