LiTaO3-wafers van 2 tot 8 inch, 10 x 10 x 0,5 mm, 1 stuk, 2 stuks, voor 5G/6G-communicatie.

Korte beschrijving:

LiTaO3-wafers (lithiumtantalaatwafers), een cruciaal materiaal in halfgeleiders en opto-elektronica van de derde generatie, benutten hun hoge Curie-temperatuur (610 °C), brede transparantiebereik (0,4–5,0 μm), superieure piëzo-elektrische coëfficiënt (d33 > 1.500 pC/N) en lage diëlektrische verliezen (tanδ < 2%) om een ​​revolutie teweeg te brengen in 5G-communicatie, fotonische integratie en kwantumapparaten. Door gebruik te maken van geavanceerde fabricagetechnologieën zoals Physical Vapor Transport (PVT) en Chemical Vapor Deposition (CVD), levert XKH X/Y/Z-gesneden, 42°Y-gesneden en periodiek gepolariseerde (PPLT) wafers in formaten van 2 tot 8 inch, met een oppervlakteruwheid (Ra) van <0,5 nm en een micropipedichtheid van <0,1 cm⁻². Onze diensten omvatten Fe-dotering, chemische reductie en Smart-Cut heterogene integratie, gericht op hoogwaardige optische filters, infrarooddetectoren en kwantumlichtbronnen. Dit materiaal maakt doorbraken mogelijk op het gebied van miniaturisatie, hoogfrequente werking en thermische stabiliteit, waardoor de binnenlandse vervanging in cruciale technologieën wordt versneld.


  • :
  • Functies

    Technische parameters

    Naam LiTaO3 van optische kwaliteit Geluidstafelniveau LiTaO3
    Axiaal Z-snede +/- 0,2° 36° Y-snede / 42° Y-snede / X-snede

    (+ / - 0,2 °)

    Diameter 76,2 mm + / - 0,3 mm/

    100 ± 0,2 mm

    76,2 mm + /-0,3 mm

    100 mm ± 0,3 mm of 150 ± 0,5 mm

    Referentievlak 22 mm + / - 2 mm 22 mm +/- 2 mm

    32 mm +/- 2 mm

    Dikte 500 µm ± 5 mm

    1000 µm ± 5 mm

    500 µm ± 20 mm

    350 µm ± 20 mm

    TTV ≤ 10 µm ≤ 10 µm
    Curie-temperatuur 605 °C + / - 0,7 °C (DTA-methode) 605 °C + / -3 °C (DTA-methode)
    Oppervlaktekwaliteit Dubbelzijdig polijsten Dubbelzijdig polijsten
    Afgeschuinde randen randafronding randafronding

     

    Belangrijkste kenmerken

    1. Elektrische en optische prestaties
    • Elektro-optische coëfficiënt: r33 bereikt 30 pm/V (X-cut), 1,5 keer hoger dan LiNbO3, waardoor ultrabreedband elektro-optische modulatie mogelijk is (>40 GHz bandbreedte).
    • Breed spectraal responsbereik: transmissiebereik van 0,4–5,0 μm (8 mm dikte), met een ultraviolette absorptiegrens van slechts 280 nm, ideaal voor UV-lasers en kwantumdot-apparaten.
    • Lage pyroelektrische coëfficiënt: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), wat stabiliteit garandeert in infraroodsensoren voor hoge temperaturen.

    2. Thermische en mechanische eigenschappen
    • Hoge thermische geleidbaarheid: 4,6 W/m·K (X-gesneden), viermaal zo hoog als die van kwarts, bestand tegen temperatuurschommelingen van -200–500 °C.
    • Lage thermische uitzettingscoëfficiënt: CTE = 4,1 × 10⁻⁶/K (25–1000 °C), compatibel met siliciumverpakkingen om thermische spanning te minimaliseren.
    3. Defectbeheersing en verwerkingsnauwkeurigheid
    • Micropipe-dichtheid: <0,1 cm⁻² (8-inch wafers), dislocatiedichtheid <500 cm⁻² (geverifieerd via KOH-etsen).
    • Oppervlaktekwaliteit: CMP-gepolijst tot Ra <0,5 nm, voldoet aan de vlakheidseisen voor EUV-lithografie.

    Belangrijkste toepassingen

    Domein

    Toepassingsscenario's

    Technische voordelen

    Optische communicatie

    100G/400G DWDM-lasers, hybride siliciumfotonica-modules

    De brede spectrale transmissie en het lage golfgeleiderverlies (α <0,1 dB/cm) van de LiTaO3-wafer maken uitbreiding van de C-band mogelijk.

    5G/6G-communicatie

    SAW-filters (1,8–3,5 GHz), BAW-SMR-filters

    42°Y-gesneden wafers bereiken een Kt² van >15%, wat resulteert in een lage invoegverlies (<1,5 dB) en een hoge afvalfrequentie (>30 dB).

    Kwantumtechnologieën

    Enkelfotonendetectoren, parametrische downconversiebronnen

    Een hoge niet-lineaire coëfficiënt (χ(2)=40 pm/V) en een lage donkere telrate (<100 tellingen/s) verhogen de kwantumgetrouwheid.

    Industriële sensoren

    Hogetemperatuurdruksensoren, stroomtransformatoren

    De piëzo-elektrische respons (g33 >20 mV/m) en de hoge temperatuurtolerantie (>400 °C) van de LiTaO3-wafer maken deze geschikt voor extreme omstandigheden.

     

    XKH Services

    1. Fabricage van wafers op maat

    • Formaat en snijwijze: Wafers van 2 tot 8 inch met X/Y/Z-snede, 42°Y-snede en aangepaste hoeksneden (tolerantie van ±0,01°).

    • Dopingcontrole: Fe- en Mg-dotering via de Czochralski-methode (concentratiebereik 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) om de elektro-optische coëfficiënten en de thermische stabiliteit te optimaliseren.

    2. Geavanceerde procestechnologieën
    ​​
    • Periodieke polarisatie (PPLT): Smart-Cut-technologie voor LTOI-wafers, waarmee een domeinperiodeprecisie van ±10 nm en quasi-fase-aangepaste (QPM) frequentieomzetting wordt bereikt.

    • Heterogene integratie: Si-gebaseerde LiTaO3-composietwafers (POI) met instelbare dikte (300–600 nm) en een thermische geleidbaarheid tot 8,78 W/m·K voor hoogfrequente SAW-filters.

    3. Kwaliteitsmanagementsystemen
    ​​
    • Volledige testprocedure: Raman-spectroscopie (polytypeverificatie), XRD (kristalliniteit), AFM (oppervlaktemorfologie) en optische uniformiteitstest (Δn <5×10⁻⁵).

    4. Wereldwijde ondersteuning van de toeleveringsketen
    ​​
    • Productiecapaciteit: Maandelijkse output >5.000 wafers (8-inch: 70%), met spoedlevering binnen 48 uur.

    • Logistiek netwerk: Dekking in Europa, Noord-Amerika en Azië-Pacific via lucht- en zeevracht met temperatuurgecontroleerde verpakkingen.

    Laser holografische anti-namaakapparatuur 2
    Laserholografische anti-namaakapparatuur 3
    Laser holografische anti-namaakapparatuur 5

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier je bericht en stuur het naar ons.