SiC keramische plaat/tray voor 4inch 6inch waferhouder voor ICP

Korte beschrijving:

De SiC-keramische plaat is een hoogwaardige component, vervaardigd uit siliciumcarbide met een hoge zuiverheidsgraad, ontworpen voor gebruik in extreme thermische, chemische en mechanische omgevingen. De SiC-plaat staat bekend om zijn uitzonderlijke hardheid, thermische geleidbaarheid en corrosiebestendigheid en wordt veel gebruikt als waferdrager, susceptor of structureel component in de halfgeleider-, led-, fotovoltaïsche en lucht- en ruimtevaartindustrie.

Stuur ons een e-mail

Functies

SiC keramische plaat Abstract

Met een uitstekende thermische stabiliteit tot 1600 °C en uitstekende bestendigheid tegen reactieve gassen en plasma-omgevingen garandeert de SiC-plaat consistente prestaties tijdens ets-, depositie- en diffusieprocessen bij hoge temperaturen. De dichte, niet-poreuze microstructuur minimaliseert de deeltjesgeneratie, waardoor het ideaal is voor ultraschone toepassingen in vacuüm- of cleanroomomgevingen.

SiC keramische plaat Toepassing

1. Halfgeleiderproductie

SiC-keramische platen worden vaak gebruikt als waferdragers, susceptors en voetplaten in apparatuur voor de productie van halfgeleiders, zoals CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) en etssystemen. Hun uitstekende thermische geleidbaarheid en lage thermische uitzetting zorgen voor een gelijkmatige temperatuurverdeling, wat cruciaal is voor zeer nauwkeurige waferverwerking. De bestendigheid van SiC tegen corrosieve gassen en plasma's garandeert duurzaamheid in zware omstandigheden, waardoor deeltjesverontreiniging en onderhoud aan de apparatuur worden verminderd.

2. LED-industrie – ICP-etsen

In de LED-productiesector zijn SiC-platen belangrijke componenten in ICP-etssystemen (Inductief Gekoppeld Plasma). Ze fungeren als waferhouders en bieden een stabiel en thermisch robuust platform ter ondersteuning van saffier- of GaN-wafers tijdens plasmabewerking. Hun uitstekende plasmabestendigheid, oppervlaktevlakheid en maatvastheid zorgen voor een hoge etsnauwkeurigheid en uniformiteit, wat leidt tot een hogere opbrengst en betere prestaties van LED-chips.

3. Fotovoltaïsche energie (PV) en zonne-energie

SiC-keramische platen worden ook gebruikt bij de productie van zonnecellen, met name tijdens sinteren en gloeien bij hoge temperaturen. Hun inertie bij hoge temperaturen en hun weerstand tegen kromtrekken zorgen voor een consistente verwerking van siliciumwafers. Bovendien is hun lage besmettingsrisico essentieel voor het behoud van de efficiëntie van fotovoltaïsche cellen.

Eigenschappen van SiC keramische platen

1. Uitzonderlijke mechanische sterkte en hardheid

SiC-keramische platen vertonen een zeer hoge mechanische sterkte, met een typische buigsterkte van meer dan 400 MPa en een Vickers-hardheid van > 2000 HV. Dit maakt ze zeer goed bestand tegen mechanische slijtage, slijtage en vervorming, wat een lange levensduur garandeert, zelfs onder hoge belasting of herhaalde thermische cycli.

2. Hoge thermische geleidbaarheid

SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid (typisch 120–200 W/m·K), waardoor de warmte gelijkmatig over het oppervlak wordt verdeeld. Deze eigenschap is cruciaal in processen zoals het etsen, deponeren of sinteren van wafers, waar temperatuuruniformiteit direct van invloed is op de productopbrengst en -kwaliteit.

3. Superieure thermische stabiliteit

Met een hoog smeltpunt (2700 °C) en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,0 × 10⁻⁶/K) behouden SiC-keramische platen hun maatnauwkeurigheid en structurele integriteit bij snelle verwarmings- en afkoelcycli. Dit maakt ze ideaal voor toepassingen in hogetemperatuurovens, vacuümkamers en plasma-omgevingen.

Technische eigenschappen
Index	Eenheid	Waarde
Materiaalnaam		Reactie gesinterd siliciumcarbide	Drukloos gesinterd siliciumcarbide	Herkristalliseerd siliciumcarbide
Samenstelling		RBSiC	SSiC	R-SiC
Bulkdichtheid	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Buigsterkte	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Druksterkte	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Hardheid	Knoop	2700	2800	/
Het breken van vasthoudendheid	MPa m1/2	4.5	4	/
Thermische geleidbaarheid	W/mk	95	120	23
Coëfficiënt van thermische uitzetting	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Soortelijke warmte	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Maximale temperatuur in de lucht	℃	1200	1500	1600
Elastische modulus	Gpa	360	410	240

SiC keramische plaat Vragen en antwoorden

V: Wat zijn de eigenschappen van siliciumcarbideplaten?

A: Siliciumcarbide (SiC) platen staan bekend om hun hoge sterkte, hardheid en thermische stabiliteit. Ze bieden een uitstekende thermische geleidbaarheid en lage thermische uitzetting, wat zorgt voor betrouwbare prestaties bij extreme temperaturen. SiC is bovendien chemisch inert en bestand tegen zuren, logen en plasma-omgevingen, waardoor het ideaal is voor de verwerking van halfgeleiders en leds. Het dichte, gladde oppervlak minimaliseert de deeltjesgeneratie en behoudt de compatibiliteit in cleanrooms. SiC-platen worden veel gebruikt als waferdragers, susceptors en ondersteunende componenten in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie in de halfgeleider-, fotovoltaïsche en lucht- en ruimtevaartindustrie.