Nieuws
-
Toepassingen van geleidende en halfgeleidende siliciumcarbide substraten
Het siliciumcarbide substraat wordt onderverdeeld in een halfgeleidend en een geleidend type. Momenteel is de meest gangbare specificatie voor halfgeleidende siliciumcarbide substraten 4 inch. Bij geleidend siliciumcarbide...Lees meer -
Zijn er ook verschillen in de toepassing van saffierwafers met verschillende kristaloriëntaties?
Saffier is een enkelkristal van aluminiumoxide, behoort tot het drieledige kristalsysteem, heeft een hexagonale structuur en is opgebouwd uit drie zuurstofatomen en twee aluminiumatomen die in covalente bindingen zeer dicht op elkaar staan, met sterke bindingsketens en een hoge roosterenergie. De kristalstructuur...Lees meer -
Wat is het verschil tussen een geleidend SiC-substraat en een halfgeleidend SiC-substraat?
Een SiC-siliciumcarbide-apparaat is een apparaat dat is gemaakt van siliciumcarbide als grondstof. Afhankelijk van de verschillende weerstandseigenschappen wordt er onderscheid gemaakt tussen geleidende siliciumcarbide-vermogensapparaten en halfgeleidende siliciumcarbide-RF-apparaten. De belangrijkste apparaatvormen en...Lees meer -
Een artikel leidt je naar een expert op het gebied van TGV.
Wat is TGV? TGV (Through-Glass Via) is een technologie voor het creëren van doorgaande gaten in een glazen substraat. Simpel gezegd is TGV een soort hoogbouw die gaten in het glas boort, vult en verbindt om geïntegreerde schakelingen op de glasplaat te bouwen...Lees meer -
Wat zijn de indicatoren voor de beoordeling van de oppervlaktekwaliteit van wafers?
Met de voortdurende ontwikkeling van halfgeleidertechnologie, zowel in de halfgeleiderindustrie als in de fotovoltaïsche industrie, worden de eisen aan de oppervlaktekwaliteit van het wafersubstraat of de epitaxiale laag steeds strenger. Dus, wat zijn de kwaliteitseisen voor...Lees meer -
Hoeveel weet u over het groeiproces van SiC-eenkristallen?
Siliciumcarbide (SiC), als een soort halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand, speelt een steeds belangrijkere rol in de toepassingen van moderne wetenschap en technologie. Siliciumcarbide heeft een uitstekende thermische stabiliteit, een hoge tolerantie voor elektrische velden, een instelbare geleidbaarheid en...Lees meer -
De doorbraakstrijd om binnenlandse SiC-substraten
De laatste jaren speelt SiC, als nieuw halfgeleidermateriaal, een belangrijke rol in downstream-toepassingen zoals elektrische voertuigen, zonne-energieopwekking en energieopslag. Daarom...Lees meer -
SiC MOSFET, 2300 volt.
Op de 26e kondigde Power Cube Semi de succesvolle ontwikkeling aan van de eerste 2300V SiC (siliciumcarbide) MOSFET-halfgeleider van Zuid-Korea. In vergelijking met bestaande siliciumgebaseerde halfgeleiders kan SiC (siliciumcarbide) hogere spanningen weerstaan, waardoor het wordt beschouwd als een veelbelovend materiaal.Lees meer -
Is het herstel van de halfgeleiderindustrie slechts een illusie?
Van 2021 tot 2022 kende de wereldwijde halfgeleidermarkt een snelle groei als gevolg van de toegenomen vraag door de COVID-19-uitbraak. Echter, toen deze bijzondere vraag in de tweede helft van 2022 afnam, daalde de markt sterk...Lees meer -
In 2024 daalden de kapitaaluitgaven voor halfgeleiders.
President Biden kondigde woensdag een overeenkomst aan waarbij Intel 8,5 miljard dollar aan directe financiering en 11 miljard dollar aan leningen ontvangt in het kader van de CHIPS and Science Act. Intel zal deze financiering gebruiken voor zijn chipfabrieken in Arizona, Ohio, New Mexico en Oregon. Zoals eerder gemeld in onze...Lees meer -
Wat is een SiC-wafer?
SiC-wafers zijn halfgeleiders gemaakt van siliciumcarbide. Dit materiaal werd ontwikkeld in 1893 en is ideaal voor diverse toepassingen. Het is met name geschikt voor Schottky-diodes, junctiebarrière-Schottky-diodes, schakelaars en metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistoren (MOSFET's).Lees meer -
Een diepgaande interpretatie van de derde generatie halfgeleiders: siliciumcarbide.
Inleiding tot siliciumcarbide Siliciumcarbide (SiC) is een samengesteld halfgeleidermateriaal bestaande uit koolstof en silicium, en is een van de ideale materialen voor het maken van apparaten die bestand zijn tegen hoge temperaturen, hoge frequenties, hoge vermogens en hoge spanningen. Vergeleken met de traditionele ...Lees meer