Nieuws
-
Dunnefilmlithiumtantalaat (LTOI): het volgende stermateriaal voor hogesnelheidsmodulatoren?
Dunnefilmlithiumtantalaat (LTOI)-materiaal ontwikkelt zich tot een belangrijke nieuwe kracht in de geïntegreerde optica. Dit jaar zijn er verschillende hoogwaardige publicaties over LTOI-modulatoren gepubliceerd, met hoogwaardige LTOI-wafers van professor Xin Ou van het Shanghai Institute...Lees verder -
Diepgaande kennis van het SPC-systeem in de waferproductie
SPC (Statistical Process Control) is een cruciaal hulpmiddel in het waferproductieproces. Het wordt gebruikt om de stabiliteit van verschillende productiefasen te bewaken, controleren en verbeteren. 1. Overzicht van het SPC-systeem SPC is een methode die gebruikmaakt van sta...Lees verder -
Waarom wordt epitaxie uitgevoerd op een wafersubstraat?
Het laten groeien van een extra laag siliciumatomen op een siliciumwafersubstraat heeft verschillende voordelen: Bij CMOS-siliciumprocessen is epitaxiale groei (EPI) op het wafersubstraat een cruciale processtap. 1. Verbetering van de kristalkwaliteit...Lees verder -
Principes, processen, methoden en apparatuur voor het reinigen van wafers
Nat reinigen (Wet Clean) is een van de cruciale stappen in het halfgeleiderproductieproces en is gericht op het verwijderen van diverse verontreinigingen van het oppervlak van de wafer, zodat de daaropvolgende processtappen op een schoon oppervlak kunnen worden uitgevoerd.Lees verder -
De relatie tussen kristalvlakken en kristaloriëntatie.
Kristalvlakken en kristaloriëntatie zijn twee kernconcepten in de kristallografie, nauw verwant aan de kristalstructuur in op silicium gebaseerde geïntegreerde schakelingtechnologie. 1. Definitie en eigenschappen van kristaloriëntatie Kristaloriëntatie vertegenwoordigt een specifieke richting...Lees verder -
Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) processen ten opzichte van TGV?
De voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via (TSV) processen ten opzichte van TGV zijn voornamelijk: (1) uitstekende elektrische eigenschappen bij hoge frequenties. Glas is een isolatormateriaal, de diëlektrische constante is slechts ongeveer 1/3 van die van silicium en de verliesfactor is 2-...Lees verder -
Toepassingen van geleidende en semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraten
Het siliciumcarbidesubstraat wordt onderverdeeld in semi-isolerende en geleidende typen. De gangbare specificatie voor semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraten is momenteel 4 inch. In de geleidende siliciumcarbidema...Lees verder -
Zijn er ook verschillen bij de toepassing van saffierwafers met verschillende kristaloriëntaties?
Saffier is een enkel kristal van aluminiumoxide, behoort tot het driedelige kristalsysteem, hexagonale structuur, de kristalstructuur is samengesteld uit drie zuurstofatomen en twee aluminiumatomen in covalente bindingen, zeer dicht op elkaar gerangschikt, met een sterke bindingsketen en roosterenergie, terwijl de kristalinte...Lees verder -
Wat is het verschil tussen een geleidend SiC-substraat en een semi-geïsoleerd substraat?
Een SiC-siliciumcarbide-apparaat verwijst naar een apparaat gemaakt van siliciumcarbide als grondstof. Afhankelijk van de verschillende weerstandseigenschappen wordt het onderverdeeld in geleidende siliciumcarbide-voedingsapparaten en semi-geïsoleerde siliciumcarbide-RF-apparaten. De belangrijkste apparaatvormen en...Lees verder -
Een artikel leidt je naar een meester van de TGV
Wat is TGV? TGV (Through-Glass via) is een technologie voor het maken van doorlopende gaten in een glazen substraat. Simpel gezegd is TGV een hoogbouw die het glas ponst, vult en van boven naar beneden verbindt om geïntegreerde schakelingen op het glazen oppervlak te bouwen.Lees verder -
Wat zijn de indicatoren voor de evaluatie van de oppervlaktekwaliteit van wafers?
Met de voortdurende ontwikkeling van halfgeleidertechnologie, zowel in de halfgeleiderindustrie als in de fotovoltaïsche industrie, zijn de eisen aan de oppervlaktekwaliteit van het wafersubstraat of epitaxiale plaat ook zeer streng. Dus, wat zijn de kwaliteitseisen voor...Lees verder -
Hoeveel weet u over het groeiproces van SiC-monokristallen?
Siliciumcarbide (SiC) speelt als halfgeleidermateriaal met een brede bandkloof een steeds belangrijkere rol in de toepassing van moderne wetenschap en technologie. Siliciumcarbide heeft een uitstekende thermische stabiliteit, een hoge elektrische veldtolerantie, een opzettelijke geleidbaarheid en...Lees verder