InGaAs epitaxiale wafersubstraat PD Array fotodetector arrays kunnen worden gebruikt voor LiDAR
Belangrijke kenmerken van de InGaAs laser epitaxiale plaat zijn onder meer:
1. Roosteraanpassing: Er kan een goede roosteraanpassing worden bereikt tussen de InGaAs epitaxiale laag en het InP of GaAs substraat, waardoor de defectdichtheid van de epitaxiale laag wordt verminderd en de prestaties van het apparaat worden verbeterd.
2. Instelbare bandafstand: De bandafstand van InGaAs-materiaal kan worden bereikt door de verhouding van de componenten In en Ga aan te passen. Hierdoor heeft InGaAs-epitaxiale platen een breed scala aan toepassingsmogelijkheden in opto-elektronische apparaten.
3. Hoge lichtgevoeligheid: InGaAs epitaxiale film heeft een hoge lichtgevoeligheid, waardoor het op het gebied van foto-elektrische detectie, optische communicatie en andere unieke voordelen biedt.
4. Hoge temperatuurstabiliteit: De epitaxiale structuur van InGaAs/InP heeft een uitstekende hoge temperatuurstabiliteit en kan stabiele apparaatprestaties handhaven bij hoge temperaturen.
De belangrijkste toepassingen van InGaAs laser epitaxiale tabletten zijn onder meer:
1. Opto-elektronische apparaten: InGaAs epitaxiale tabletten kunnen worden gebruikt voor de productie van fotodiodes, fotodetectoren en andere opto-elektronische apparaten, die een breed scala aan toepassingen hebben in optische communicatie, nachtzicht en andere gebieden.
2. Lasers: InGaAs epitaxiale platen kunnen ook worden gebruikt voor de productie van lasers, met name lasers met een lange golflengte. Deze lasers spelen een belangrijke rol in optische glasvezelcommunicatie, industriële verwerking en andere sectoren.
3. Zonnecellen: InGaAs-materiaal heeft een groot bereik voor het aanpassen van de bandkloof, wat kan voldoen aan de bandkloofvereisten van thermische fotovoltaïsche cellen. Daarom heeft InGaAs-epitaxiale plaat ook een bepaald toepassingspotentieel op het gebied van zonnecellen.
4. Medische beeldvorming: In medische beeldvormingsapparatuur (zoals CT, MRI, enz.) voor detectie en beeldvorming.
5. Sensornetwerk: bij milieubewaking en gasdetectie kunnen meerdere parameters tegelijkertijd worden bewaakt.
6. Industriële automatisering: wordt gebruikt in machine vision-systemen om de status en kwaliteit van objecten op de productielijn te bewaken.
In de toekomst zullen de materiaaleigenschappen van het epitaxiale InGaAs-substraat verder verbeteren, inclusief een hogere foto-elektrische conversie-efficiëntie en een verlaging van het ruisniveau. Dit zal leiden tot een bredere toepassing van het epitaxiale InGaAs-substraat in opto-elektronische apparaten en een uitstekende prestatie. Tegelijkertijd zal het voorbereidingsproces continu worden geoptimaliseerd om de kosten te verlagen en de efficiëntie te verbeteren, teneinde te voldoen aan de behoeften van de bredere markt.
Over het algemeen neemt het epitaxiale InGaAs-substraat een belangrijke positie in op het gebied van halfgeleidermaterialen vanwege de unieke eigenschappen en brede toepassingsmogelijkheden.
XKH biedt maatwerk van InGaAs epitaxiale platen met verschillende structuren en diktes, voor een breed scala aan toepassingen in opto-elektronische apparaten, lasers en zonnecellen. De producten van XKH worden geproduceerd met geavanceerde MOCVD-apparatuur om hoge prestaties en betrouwbaarheid te garanderen. Qua logistiek beschikt XKH over een breed scala aan internationale bronkanalen, die flexibel omgaan met het aantal bestellingen en diensten met toegevoegde waarde bieden, zoals verfijning en segmentatie. Efficiënte leveringsprocessen garanderen tijdige levering en voldoen aan de eisen van de klant ten aanzien van kwaliteit en levertijden.
Gedetailleerd diagram


