Vind hoogwaardige dubbelzijdig gepolijste siliciumwafels, topleverancier

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. is een toonaangevende fabrikant, leverancier en fabriek van hoogwaardige dubbelzijdig gepolijste siliciumwafels in China. Deze wafels zijn gemaakt van hoogwaardig silicium en zijn aan beide zijden gepolijst om een glad en onberispelijk oppervlak te bieden. Onze wafers worden veel gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor de productie van geïntegreerde schakelingen, microchips en andere elektronische componenten. We gebruiken geavanceerde productietechnieken en apparatuur om wafers te produceren die aan de hoogste kwaliteitsnormen voldoen. Met jarenlange ervaring in de branche hebben we een reputatie opgebouwd voor het leveren van consistente en hoogwaardige producten aan onze klanten. Onze dubbelzijdig gepolijste siliciumwafels zijn verkrijgbaar in verschillende maten en specificaties om aan de uiteenlopende behoeften van onze klanten te voldoen. Wij streven ernaar om uitstekende klantenservice en tijdige levering van producten tegen concurrerende prijzen te bieden. Als u op zoek bent naar een betrouwbare leverancier van dubbelzijdig gepolijste siliciumwafels, hoeft u niet verder te zoeken dan Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze producten en diensten.

Gerelateerde producten

WechatIMG566 — 6 inch 150 mm siliciumcarbide SiC-wafeltjes 4H-N-type voor MOS- of SBD-productieonderzoek en dummy-kwaliteit
Lees meer

Productiekwaliteit 500um dikte (3) — 8 inch 200 mm siliciumcarbide SiC wafeltjes 4H-N type productiekwaliteit 500um dikte

4H-Semi SiC-substraatwafel Siliciumcarbide Semi-beledigende SiC-wafels (1) — 3 inch 76,2 mm 4H-Semi SiC-substraatwafel Siliciumcarbide Semi-beledigende SiC-wafels

SOI-WAFERS4 — SOI-wafelisolator op silicium 8-inch en 6-inch SOI-wafels (Silicon-On-Insulator)

2 inch siliciumcarbidewafels 6H of 4H N-type — 2 inch siliciumcarbidewafeltjes 6H of 4H N-type of semi-isolerende SiC-substraten

SiC semi-isolerend05 — 3 inch hoge zuiverheid (ongedoteerde) siliciumcarbidewafels semi-isolerende Sic-substraten (HPSl)

Siliciumcarbide SiC-wafels Gedoteerd Si N-type Productieonderzoek en dummykwaliteit (1) — 2 inch 50,8 mm siliciumcarbide SiC-wafels gedoteerde Si N-type productieonderzoek en dummy-kwaliteit

Best verkopende producten

Gerelateerde blog
Recensies

Dunnefilmlithiumtantalaat (LTOI): het volgende stermateriaal voor hogesnelheidsmodulatoren?

Dunne-film lithiumtantalaat (LTOI)-materiaal komt naar voren als een belangrijke nieuwe kracht op het gebied van geïntegreerde optica. Dit jaar zijn er verschillende werken op hoog niveau over LTOI-modulatoren gepubliceerd, met h...
De doorbraakstrijd van binnenlandse SiC-substraten

Woensdag kondigde president Biden een overeenkomst aan om Intel 8,5 miljard dollar aan directe financiering en 11 miljard dollar aan leningen te verstrekken in het kader van de CHIPS and Science Act. Intel zal deze financiering gebruiken voor i...
XKH-Kennis delen-Wat is technologie voor het in blokjes snijden van wafels?

De technologie voor het in blokjes snijden van wafels is een cruciale stap in het productieproces van halfgeleiders en houdt rechtstreeks verband met de chipprestaties, opbrengst en productiekosten. #01 Achtergrond en betekenis van Wafe...
De ontwikkeling van de binnenlandse GaN-industrie is versneld

De adoptie van galliumnitride (GaN)-energieapparaten groeit dramatisch, onder leiding van Chinese leveranciers van consumentenelektronica, en de markt voor stroom-GaN-apparaten zal naar verwachting in 2027 $2 miljard bereiken, een stijging van...
Waarom wordt epitaxie uitgevoerd op een wafersubstraat?

Het laten groeien van een extra laag siliciumatomen op een siliciumwafelsubstraat heeft verschillende voordelen: Bij CMOS-siliciumprocessen is epitaxiale groei (EPI) op het wafersubstraat een kritische factor...
Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) -processen ten opzichte van TGV？

De voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via (TSV) -processen ten opzichte van TGV zijn voornamelijk: (1) uitstekende hoogfrequente elektrische eigenschappen. Glasmateriaal is een isolatormateriaal...

Penelope03/04/2023 15:58:39
Klantenservicepersoneel en verkopers zijn erg geduldig en ze zijn allemaal goed in het Engels, de aankomst van het product is ook zeer actueel, een goede leverancier.
Sharon17/02/2023 10:37:18
Personeel is vakkundig, goed uitgerust, proces is specificatie, producten voldoen aan de eisen en levering is gegarandeerd, een beste partner!
Riva11/02/2023 11:09:09
In onze samenwerkende groothandels heeft dit bedrijf de beste kwaliteit en redelijke prijs, zij zijn onze eerste keuze.
Michelle29/01/2023 13:09:45
We werken al vele jaren met dit bedrijf samen, het bedrijf zorgt altijd voor tijdige levering, goede kwaliteit en het juiste aantal, we zijn goede partners.
Catharina2023/01/19 18:34:45
De productmanager is een zeer warm en professioneel persoon, we hebben een prettig gesprek en uiteindelijk zijn we tot een consensus gekomen.
Kimberley2023/01/18 01:28:30
De accountmanager van het bedrijf beschikt over een schat aan branchekennis en ervaring, hij kan een passend programma bieden dat voldoet aan onze behoeften en spreekt vloeiend Engels.

Vind hoogwaardige dubbelzijdig gepolijste siliciumwafels, topleverancier

Gerelateerde producten

6 inch 150 mm siliciumcarbide SiC-wafeltjes 4H-N-type voor MOS- of SBD-productieonderzoek en dummy-kwaliteit

8 inch 200 mm siliciumcarbide SiC wafeltjes 4H-N type productiekwaliteit 500um dikte

3 inch 76,2 mm 4H-Semi SiC-substraatwafel Siliciumcarbide Semi-beledigende SiC-wafels

SOI-wafelisolator op silicium 8-inch en 6-inch SOI-wafels (Silicon-On-Insulator)

2 inch siliciumcarbidewafeltjes 6H of 4H N-type of semi-isolerende SiC-substraten

3 inch hoge zuiverheid (ongedoteerde) siliciumcarbidewafels semi-isolerende Sic-substraten (HPSl)

2 inch 50,8 mm siliciumcarbide SiC-wafels gedoteerde Si N-type productieonderzoek en dummy-kwaliteit

Best verkopende producten

Saffier ronde ringring hardheid hoge slijtvastheid

2 inch 50,8 mm enkele wafer-draagdoos van PC en PP

8 inch 200 mm saffierwafeldragersubstraat 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm

Cassette 12 inch silicium wafer dragerdoos silicium Wafer Container IC Wafer Box Shading

Onregelmatige aangepaste saffierstaaflengte 100 mm dia 5 mm voor industriële toepassingen

SiC-siliciumcarbidewafel SiC-wafel 4H-N 6H-N HPSI (semi-isolerend met hoge zuiverheid) 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch beschikbaar

6 in siliciumcarbide 4H-SiC semi-isolerende staaf, dummykwaliteit

GaAs high-power epitaxiale wafersubstraat galliumarsenide wafer power laser golflengte 905nm voor laser medische behandeling

8 inch siliciumwafel P/N-type (100) 1-100Ω dummy terugwinningssubstraat

Koningsblauw Aquamarijn Korenbloem saffier 99,999% Al2O3 Paraiba

200 mm 8 inch GaN op saffier Epi-laag wafersubstraat

2Inch 6H-N Siliciumcarbide Substraat Sic Wafer Dubbel gepolijst Geleidende eerste kwaliteit Mos-kwaliteit

Dunnefilmlithiumtantalaat (LTOI): het volgende stermateriaal voor hogesnelheidsmodulatoren?

De doorbraakstrijd van binnenlandse SiC-substraten

XKH-Kennis delen-Wat is technologie voor het in blokjes snijden van wafels?

De ontwikkeling van de binnenlandse GaN-industrie is versneld

Waarom wordt epitaxie uitgevoerd op een wafersubstraat?

Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) -processen ten opzichte van TGV？

Penelope03/04/2023 15:58:39

Sharon17/02/2023 10:37:18

Riva11/02/2023 11:09:09

Michelle29/01/2023 13:09:45

Catharina2023/01/19 18:34:45

Kimberley2023/01/18 01:28:30

gerelateerde zoekopdracht