2 inch 50,8 mm Germanium Wafersubstraat Eén kristal 1SP 2SP

Korte beschrijving:

Zeer zuiver germanium is een halfgeleidermateriaal dat wordt gebruikt bij de vervaardiging van halfgeleiderapparaten.Eenkristal van Germanium, gedoteerd met sporenspecifieke onzuiverheden, kan worden gebruikt om verschillende transistors, gelijkrichters en andere apparaten te maken.Zeer zuiver germanium-monokristal heeft een hoge brekingscoëfficiënt, transparant voor infrarood, niet door zichtbaar en infrarood licht, kan worden gebruikt als prisma of lens voor infrarood licht.Germaniumverbindingen worden gebruikt bij de vervaardiging van fluorescerende platen en diverse soorten hoogbrekend glas.Het wordt ook gebruikt in stralingsdetectoren en thermo-elektrische materialen.

Stuur een e-mail naar ons

Product detail

Productlabels

Gedetailleerde informatie

Germaniumchips hebben halfgeleidereigenschappen.Heeft een belangrijke rol gespeeld in de ontwikkeling van de vastestoffysica en de vastestofelektronica.Germanium heeft een smeltdichtheid van 5,32 g/cm3, germanium kan worden geclassificeerd als een dun verspreid metaal, germanium is chemisch stabiel, heeft geen interactie met lucht of waterdamp bij kamertemperatuur, maar bij 600 ~ 700 ℃ wordt germaniumdioxide snel gegenereerd .Werkt niet met zoutzuur, verdund zwavelzuur.Wanneer geconcentreerd zwavelzuur wordt verwarmd, zal germanium langzaam oplossen.In salpeterzuur en koningswater lost germanium gemakkelijk op.Het effect van een alkalische oplossing op germanium is erg zwak, maar gesmolten alkali in de lucht kan germanium snel doen oplossen.Germanium werkt niet met koolstof, dus het wordt gesmolten in een grafietkroes en wordt niet verontreinigd met koolstof.Germanium heeft goede halfgeleidereigenschappen, zoals elektronenmobiliteit, gatenmobiliteit enzovoort.De ontwikkeling van germanium heeft nog steeds een groot potentieel.

Specificatie

Groeimethode	CZ
kristal instituut	Kubisch systeem
Roosterconstante	a=5,65754 A
Dikte	5,323 g/cm3
Smeltpunt	937,4 ℃
Doping	Ontdoping	Doping-Sb	Doping-Ga
Type	/	N	P
weerstand	>35Ωcm	0,01~35 Ωcm	0,05~35 Ωcm
EPD	<4×10³∕cm2	<4×10³∕cm2	<4×10³∕cm2
Diameter	2 inch/50,8 mm
Dikte	0,5 mm, 1,0 mm
Oppervlak	DSP en SSP
Oriëntatie	<100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra	≤5Å (5 µm×5 µm)
Pakket	Pakket van 100 graden, kamer van 1000 graden