SiC keramische tray-eind-effector waferverwerking op maat gemaakte componenten
SiC keramische en aluminiumoxide keramische componenten op maat Brief
Siliciumcarbide (SiC) keramische maatwerkcomponenten
Op maat gemaakte keramische componenten van siliciumcarbide (SiC) zijn hoogwaardige industriële keramische materialen die bekend staan om hunextreem hoge hardheid, uitstekende thermische stabiliteit, uitzonderlijke corrosiebestendigheid en hoge thermische geleidbaarheid. Op maat gemaakte keramische componenten van siliciumcarbide (SiC) maken het mogelijk om de structurele stabiliteit inomgevingen met hoge temperaturen, terwijl het bestand is tegen erosie door sterke zuren, alkaliën en gesmolten metalenSiC-keramiek wordt vervaardigd via processen zoalsdrukloos sinteren, reactie sinteren of warmpers sinterenen kunnen worden aangepast aan complexe vormen, zoals mechanische afdichtingsringen, asbussen, spuitmonden, ovenbuizen, waferboten en slijtvaste bekledingsplaten.
Alumina keramische aangepaste componenten
Alumina (Al₂O₃) keramische aangepaste componenten benadrukkenhoge isolatie, goede mechanische sterkte en slijtvastheid. Geclassificeerd op zuiverheidsgraad (bijv. 95%, 99%), kunnen op maat gemaakte aluminiumoxide (Al₂O₃) keramische componenten met precisiebewerking worden verwerkt tot isolatoren, lagers, snijgereedschappen en medische implantaten. Aluminiumoxide keramiek wordt voornamelijk geproduceerd viadroogpersen, spuitgieten of isostatisch persen, met oppervlakken die gepolijst kunnen worden tot een spiegelgladde afwerking.
XKH is gespecialiseerd in R&D en maatwerkproductie vansiliciumcarbide (SiC) en aluminiumoxide (Al₂O₃) keramiekSiC-keramische producten richten zich op omgevingen met hoge temperaturen, hoge slijtage en corrosie, en omvatten halfgeleidertoepassingen (bijv. waferboten, cantilever-schoepen, ovenbuizen), evenals thermische veldcomponenten en hoogwaardige afdichtingen voor nieuwe energiesectoren. Alumina-keramische producten benadrukken isolatie, afdichting en biomedische eigenschappen, waaronder elektronische substraten, mechanische afdichtingsringen en medische implantaten. Gebruikmakend van technologieën zoalsisostatisch persen, drukloos sinteren en precisiebewerkingleveren wij hoogwaardige, op maat gemaakte oplossingen voor sectoren als halfgeleiders, fotovoltaïsche cellen, lucht- en ruimtevaart, medische technologie en chemische verwerking. Hierbij zorgen wij ervoor dat componenten voldoen aan de strenge eisen op het gebied van precisie, duurzaamheid en betrouwbaarheid, zelfs onder extreme omstandigheden.
SiC keramische functionele klauwplaten en CMP slijpschijven Inleiding
SiC keramische vacuümklauwen
Siliciumcarbide (SiC) keramische vacuümklauwplaten zijn uiterst precieze adsorptiegereedschappen vervaardigd uit hoogwaardig siliciumcarbide (SiC) keramisch materiaal. Ze zijn specifiek ontworpen voor toepassingen die extreme reinheid en stabiliteit vereisen, zoals de halfgeleider-, fotovoltaïsche en precisieproductie-industrie. Hun belangrijkste voordelen zijn: een spiegelglad gepolijst oppervlak (vlakheid gecontroleerd binnen 0,3–0,5 μm), ultrahoge stijfheid en lage thermische uitzettingscoëfficiënt (zorgt voor vorm- en positiestabiliteit op nanoschaal), een extreem lichtgewicht structuur (aanzienlijk verminderde bewegingstraagheid) en uitzonderlijke slijtvastheid (Mohs-hardheid tot 9,5, wat de levensduur van metalen klauwplaten ver overtreft). Deze eigenschappen zorgen voor een stabiele werking in omgevingen met afwisselend hoge en lage temperaturen, sterke corrosie en hoge snelheidsverwerking, waardoor de verwerkingsopbrengst en productie-efficiëntie voor precisiecomponenten zoals wafers en optische elementen aanzienlijk worden verbeterd.
Siliciumcarbide (SiC) Bump vacuümklauwplaat voor metrologie en inspectie
Dit uiterst nauwkeurige adsorptiegereedschap is ontworpen voor inspectieprocessen van waferdefecten en is vervaardigd uit keramisch siliciumcarbide (SiC). De unieke oppervlaktestructuur zorgt voor een krachtige vacuümadsorptiekracht, terwijl het contactoppervlak met de wafer wordt geminimaliseerd. Dit voorkomt schade of verontreiniging van het waferoppervlak en garandeert stabiliteit en nauwkeurigheid tijdens de inspectie. De klauwplaat heeft een uitzonderlijke vlakheid (0,3–0,5 μm) en een spiegelgepolijst oppervlak, gecombineerd met een ultralicht gewicht en hoge stijfheid voor stabiliteit tijdens snelle bewegingen. De extreem lage thermische uitzettingscoëfficiënt garandeert maatvastheid bij temperatuurschommelingen, terwijl de uitstekende slijtvastheid de levensduur verlengt. Het product is leverbaar in specificaties van 6, 8 en 12 inch om te voldoen aan de inspectiebehoeften van verschillende wafergroottes.
Flip Chip Bonding Chuck
De flip-chip-bonding chuck is een kerncomponent in flip-chip-bondingprocessen en is speciaal ontworpen voor het nauwkeurig adsorberen van wafers om stabiliteit te garanderen tijdens snelle en uiterst precieze bondingbewerkingen. De chuck beschikt over een spiegelgepolijst oppervlak (vlakheid/parallelliteit ≤ 1 μm) en nauwkeurige gaskanaalgroeven voor een uniforme vacuümadsorptiekracht, waardoor waferverplaatsing of -beschadiging wordt voorkomen. De hoge stijfheid en ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (nabij silicium) zorgen voor maatvastheid in bondingomgevingen met hoge temperaturen, terwijl het materiaal met hoge dichtheid (bijv. siliciumcarbide of speciale keramiek) gaspermeatie effectief voorkomt, waardoor de vacuümbetrouwbaarheid op lange termijn behouden blijft. Al deze eigenschappen ondersteunen samen de nauwkeurigheid van de bonding op micronniveau en verbeteren de opbrengst van chipverpakkingen aanzienlijk.
SiC-verbindingsklem
De siliciumcarbide (SiC)-hechtklem is een essentieel onderdeel van chiphechtingsprocessen en is specifiek ontworpen voor het nauwkeurig adsorberen en fixeren van wafers, wat zorgt voor uiterst stabiele prestaties onder hoge temperaturen en hoge druk. De klem is vervaardigd van siliciumcarbidekeramiek met hoge dichtheid (porositeit <0,1%) en bereikt een gelijkmatige adsorptiekrachtverdeling (afwijking <5%) door spiegelpolijsten op nanometerniveau (oppervlakteruwheid Ra <0,1 μm) en nauwkeurige gaskanaalgroeven (poriëndiameter: 5-50 μm), waardoor verschuiving of oppervlakteschade van de wafer wordt voorkomen. De ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,5×10⁻⁶/℃) komt dicht in de buurt van die van siliciumwafers, waardoor kromtrekken door thermische spanning wordt geminimaliseerd. Gecombineerd met een hoge stijfheid (elasticiteitsmodulus > 400 GPa) en een vlakheid/paralleliteit van ≤ 1 μm garandeert het een nauwkeurige uitlijning van de verbindingen. Het wordt veel gebruikt in halfgeleiderverpakkingen, 3D-stapeling en chipletintegratie en ondersteunt high-end productietoepassingen die nanoschaalprecisie en thermische stabiliteit vereisen.
CMP slijpschijf
De CMP-slijpschijf is een essentieel onderdeel van apparatuur voor chemisch-mechanisch polijsten (CMP). Deze schijf is speciaal ontworpen om wafers stevig vast te houden en te stabiliseren tijdens polijsten op hoge snelheid, waardoor globale planarisatie op nanometerniveau mogelijk is. De schijf is gemaakt van zeer stijve materialen met een hoge dichtheid (bijv. siliciumcarbidekeramiek of speciale legeringen) en zorgt voor een gelijkmatige vacuümadsorptie via nauwkeurig ontworpen gaskanaalgroeven. Het spiegelgepolijste oppervlak (vlakheid/paralleliteit ≤ 3 μm) garandeert een spanningsvrij contact met de wafers, terwijl een ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (afgestemd op silicium) en interne koelkanalen thermische vervorming effectief onderdrukken. De schijf is compatibel met 12-inch (750 mm diameter) wafers en maakt gebruik van diffusiebindingstechnologie om naadloze integratie en betrouwbaarheid op lange termijn van meerlaagse structuren bij hoge temperaturen en druk te garanderen. Hierdoor worden de uniformiteit en opbrengst van het CMP-proces aanzienlijk verbeterd.
Introductie van diverse op maat gemaakte SiC-keramische onderdelen
Vierkante spiegel van siliciumcarbide (SiC)
Een vierkante siliciumcarbide (SiC) spiegel is een uiterst nauwkeurig optisch onderdeel, vervaardigd uit geavanceerd siliciumcarbidekeramiek, speciaal ontworpen voor hoogwaardige halfgeleiderapparatuur, zoals lithografiemachines. Het bereikt een ultralicht gewicht en een hoge stijfheid (elasticiteitsmodulus > 400 GPa) dankzij een rationeel lichtgewicht structureel ontwerp (bijv. honingraatvormige uitholling aan de achterzijde), terwijl de extreem lage thermische uitzettingscoëfficiënt (≈4,5 × 10⁻⁶/℃) zorgt voor maatvastheid bij temperatuurschommelingen. Na precisiepolijsten bereikt het spiegeloppervlak een vlakheid/parallelheid van ≤ 1 μm en de uitzonderlijke slijtvastheid (hardheid volgens Mohs 9,5) verlengt de levensduur. Het wordt veel gebruikt in werkstations voor lithografiemachines, laserreflectoren en ruimtetelescopen, waar ultrahoge precisie en stabiliteit cruciaal zijn.
Luchtflotatiegeleiders van siliciumcarbide (SiC)
Luchtflotatiegeleiders van siliciumcarbide (SiC) maken gebruik van contactloze aerostatische lagertechnologie, waarbij samengeperst gas een luchtfilm op micrometerniveau (meestal 3-20 μm) vormt voor een wrijvingsloze en trillingsvrije, soepele beweging. Ze bieden nanometrische bewegingsnauwkeurigheid (herhaalde positioneringsnauwkeurigheid tot ±75 nm) en submicrometrische precisie (rechtheid ±0,1-0,5 μm, vlakheid ≤1 μm), mogelijk gemaakt door closed-loop feedbackregeling met precisieroosterschalen of laserinterferometers. Het keramische kernmateriaal van siliciumcarbide (opties omvatten de Coresic® SP/Marvel Sic-serie) biedt een ultrahoge stijfheid (elasticiteitsmodulus > 400 GPa), een ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,0–4,5 × 10⁻⁶/K, vergelijkbaar met silicium) en een hoge dichtheid (porositeit < 0,1%). Het lichtgewicht ontwerp (dichtheid 3,1 g/cm³, alleen overtroffen door aluminium) vermindert de bewegingstraagheid, terwijl de uitzonderlijke slijtvastheid (hardheid volgens Mohs-schaal 9,5) en thermische stabiliteit zorgen voor betrouwbaarheid op lange termijn onder hoge snelheid (1 m/s) en hoge versnelling (4G). Deze geleiders worden veel gebruikt in halfgeleiderlithografie, waferinspectie en ultraprecieze bewerking.
Siliciumcarbide (SiC) dwarsbalken
Siliciumcarbide (SiC) dwarsbalken zijn kernbewegingscomponenten die ontworpen zijn voor halfgeleiderapparatuur en geavanceerde industriële toepassingen. Ze dienen voornamelijk om waferstages te dragen en langs specifieke trajecten te geleiden voor snelle, uiterst nauwkeurige bewegingen. Door gebruik te maken van hoogwaardig siliciumcarbidekeramiek (opties omvatten Coresic® SP of Marvel Sic-serie) en een lichtgewicht constructie, bereiken ze een ultralicht gewicht met een hoge stijfheid (elasticiteitsmodulus > 400 GPa), samen met een ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (≈4,5×10⁻⁶/℃) en een hoge dichtheid (porositeit <0,1%), wat zorgt voor nanometrische stabiliteit (vlakheid/paralleliteit ≤1 μm) onder thermische en mechanische belasting. Dankzij hun geïntegreerde eigenschappen zijn ze geschikt voor hoge snelheids- en versnellingsbewerkingen (bijvoorbeeld 1 m/s, 4G), waardoor ze ideaal zijn voor lithografiemachines, waferinspectiesystemen en precisieproductie. Ze verbeteren de bewegingsnauwkeurigheid en de dynamische responsefficiëntie aanzienlijk.
Bewegingscomponenten van siliciumcarbide (SiC)
Siliciumcarbide (SiC) bewegingscomponenten zijn cruciale onderdelen die zijn ontworpen voor zeer nauwkeurige halfgeleiderbewegingssystemen. Ze maken gebruik van SiC-materialen met een hoge dichtheid (bijv. Coresic® SP of Marvel Sic-serie, porositeit <0,1%) en een lichtgewicht structureel ontwerp om een ultralicht gewicht met hoge stijfheid (elasticiteitsmodulus > 400 GPa) te bereiken. Met een ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (≈4,5×10⁻⁶/℃) garanderen ze nanometrische stabiliteit (vlakheid/paralleliteit ≤1 μm) bij thermische fluctuaties. Deze geïntegreerde eigenschappen ondersteunen bewerkingen met hoge snelheid en hoge versnelling (bijv. 1 m/s, 4G), waardoor ze ideaal zijn voor lithografiemachines, waferinspectiesystemen en precisieproductie, waardoor de bewegingsnauwkeurigheid en dynamische responsefficiëntie aanzienlijk worden verbeterd.
Optische padplaat van siliciumcarbide (SiC)
De siliciumcarbide (SiC) optische padplaat is een kernplatform dat is ontworpen voor systemen met twee optische paden in waferinspectieapparatuur. Vervaardigd uit hoogwaardig siliciumcarbidekeramiek, bereikt het een ultralicht gewicht (dichtheid ≈3,1 g/cm³) en een hoge stijfheid (elasticiteitsmodulus >400 GPa) dankzij een lichtgewicht structureel ontwerp, terwijl het een ultralage thermische uitzettingscoëfficiënt (≈4,5×10⁻⁶/℃) en een hoge dichtheid (porositeit <0,1%) heeft, wat zorgt voor nanometrische stabiliteit (vlakheid/parallelliteit ≤0,02 mm) bij thermische en mechanische fluctuaties. Met zijn grote maximale afmetingen (900×900 mm) en uitzonderlijke prestaties biedt het een stabiele basis voor optische systemen op lange termijn, wat de inspectienauwkeurigheid en betrouwbaarheid aanzienlijk verbetert. Het wordt veel gebruikt in halfgeleidermetrologie, optische uitlijning en zeer nauwkeurige beeldvormingssystemen.
Geleidering met grafiet- en tantaalcarbidecoating
De met grafiet en tantaalcarbide gecoate geleidering is een cruciaal onderdeel dat specifiek is ontworpen voor apparatuur voor de groei van siliciumcarbide (SiC) monokristallen. De kernfunctie is het nauwkeurig sturen van de gasstroom bij hoge temperaturen, waardoor uniformiteit en stabiliteit van de temperatuur en de stromingsvelden in de reactiekamer worden gegarandeerd. Vervaardigd uit een substraat van zeer zuiver grafiet (zuiverheid > 99,99%), gecoat met een CVD-gedeponeerde laag tantaalcarbide (TaC) (gehalte aan onzuiverheden < 5 ppm), vertoont het een uitzonderlijke thermische geleidbaarheid (≈ 120 W/m·K) en chemische inertie bij extreme temperaturen (tot 2200 °C), waardoor corrosie door siliciumdamp effectief wordt voorkomen en de diffusie van onzuiverheden wordt onderdrukt. De hoge uniformiteit van de coating (afwijking < 3%, volledige dekking) zorgt voor een consistente gasgeleiding en een betrouwbare werking op lange termijn, waardoor de kwaliteit en opbrengst van de groei van SiC monokristallen aanzienlijk worden verbeterd.
Samenvatting van de ovenbuis van siliciumcarbide (SiC)
Verticale ovenbuis van siliciumcarbide (SiC)
Verticale ovenbuis van siliciumcarbide (SiC) is een cruciaal onderdeel dat is ontworpen voor industriële apparatuur met hoge temperaturen. De buis dient voornamelijk als externe beschermende buis om een gelijkmatige warmteverdeling in de oven te garanderen onder een atmosferische druk, met een typische bedrijfstemperatuur van ongeveer 1200 °C. De buis wordt vervaardigd met behulp van geïntegreerde 3D-printtechnologie, heeft een basismateriaalverontreinigingsgehalte van <300 ppm en kan optioneel worden voorzien van een CVD-siliciumcarbidecoating (coatingverontreinigingen <5 ppm). Dankzij de combinatie van een hoge thermische geleidbaarheid (≈20 W/m·K) en een uitzonderlijke thermische schokbestendigheid (bestand tegen thermische gradiënten van >800 °C) wordt de buis veel gebruikt in processen met hoge temperaturen, zoals warmtebehandeling van halfgeleiders, sinteren van fotovoltaïsche materialen en precisieproductie van keramiek, waardoor de thermische uniformiteit en betrouwbaarheid van de apparatuur op lange termijn aanzienlijk worden verbeterd.
Horizontale ovenbuis van siliciumcarbide (SiC)
De horizontale ovenbuis van siliciumcarbide (SiC) is een kerncomponent die is ontworpen voor processen met hoge temperaturen en dient als procesbuis in atmosferen met zuurstof (reactief gas), stikstof (beschermgas) en sporen waterstofchloride, met een typische bedrijfstemperatuur van ongeveer 1250 °C. De buis wordt vervaardigd met behulp van geïntegreerde 3D-printtechnologie, heeft een gehalte aan onzuiverheden in het basismateriaal van <300 ppm en kan optioneel worden voorzien van een CVD-coating van siliciumcarbide (coatingonzuiverheden <5 ppm). Dankzij de combinatie van een hoge thermische geleidbaarheid (≈20 W/m·K) en een uitzonderlijke thermische schokbestendigheid (bestand tegen thermische gradiënten van >800 °C) is de buis ideaal voor veeleisende halfgeleidertoepassingen zoals oxidatie, diffusie en dunnefilmafzetting, en garandeert hij structurele integriteit, atmosferische zuiverheid en thermische stabiliteit op lange termijn onder extreme omstandigheden.
Introductie van SiC keramische vorkarmen
Halfgeleiderproductie
Bij de productie van halfgeleiderwafers worden SiC-keramische vorkarmen voornamelijk gebruikt voor het overbrengen en positioneren van wafers. Deze worden vaak aangetroffen in:
- Waferverwerkingsapparatuur: Zoals wafercassettes en procesboten, die stabiel werken in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve processen.
- Lithografiemachines: worden gebruikt in precisieonderdelen zoals tafels, geleiders en robotarmen. Hun hoge stijfheid en lage thermische vervorming zorgen voor een bewegingsnauwkeurigheid op nanometerniveau.
- Ets- en diffusieprocessen: Deze materialen dienen als ICP-etsplaten en componenten voor halfgeleiderdiffusieprocessen. Hun hoge zuiverheid en corrosiebestendigheid voorkomen verontreiniging in de proceskamers.
Industriële automatisering en robotica
SiC-keramische vorkarmen zijn cruciale componenten in hoogwaardige industriële robots en geautomatiseerde apparatuur:
- Robotische eindeffectoren: Gebruikt voor handling, assemblage en precisiebewerkingen. Hun lichtgewicht eigenschappen (dichtheid ~3,21 g/cm³) verhogen de snelheid en efficiëntie van de robot, terwijl hun hoge hardheid (Vickers-hardheid ~2500) zorgt voor een uitzonderlijke slijtvastheid.
- Geautomatiseerde productielijnen: In situaties waarin handling met hoge frequentie en hoge precisie vereist is (bijvoorbeeld e-commerce-magazijnen, fabrieksopslag) garanderen SiC-vorken stabiele prestaties op de lange termijn.
Lucht- en ruimtevaart en nieuwe energie
In extreme omgevingen benutten SiC keramische vorkarmen hun hoge temperatuurbestendigheid, corrosiebestendigheid en thermische schokbestendigheid:
- Lucht- en ruimtevaart: Gebruikt in belangrijke onderdelen van ruimtevaartuigen en drones, waar hun lichte gewicht en hoge sterkte bijdragen aan gewichtsbesparing en betere prestaties.
- Nieuwe energie: toegepast in productieapparatuur voor de fotovoltaïsche industrie (bijv. diffusie-ovens) en als nauwkeurige structurele componenten bij de productie van lithium-ionbatterijen.
Industriële verwerking bij hoge temperaturen
SiC keramische vorkarmen zijn bestand tegen temperaturen boven de 1600°C, waardoor ze geschikt zijn voor:
- Metaal-, keramiek- en glasindustrie: Wordt gebruikt in hogetemperatuurmanipulatoren, zetplaten en duwplaten.
- Kernenergie: Dankzij hun stralingsbestendigheid zijn ze geschikt voor bepaalde componenten in kernreactoren.
Medische apparatuur
Op medisch gebied worden SiC-keramische vorkarmen voornamelijk gebruikt voor:
- Medische robots en chirurgische instrumenten: gewaardeerd om hun biocompatibiliteit, corrosiebestendigheid en stabiliteit in sterilisatieomgevingen.
Overzicht SiC-coating
| Typische eigenschappen | Eenheden | Waarden |
| Structuur |
| FCC β-fase |
| Oriëntatie | Fractie (%) | 111 voorkeur |
| Bulkdichtheid | g/cm³ | 3.21 |
| Hardheid | Vickers-hardheid | 2500 |
| Warmtecapaciteit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Young's modulus | Gpa (4pt bocht, 1300℃) | 430 |
| Korrelgrootte | μm | 2~10 |
| Sublimatietemperatuur | ℃ | 2700 |
| Felexurale kracht | MPa (RT 4-punts) | 415 |
| Thermische geleidbaarheid | (W/mK) | 300 |
Overzicht van siliciumcarbide keramische structurele onderdelen
Structuurcomponenten van siliciumcarbidekeramiek worden verkregen uit siliciumcarbidedeeltjes die door sinteren aan elkaar zijn verbonden. Ze worden veel gebruikt in de automobiel-, machinebouw-, chemische, halfgeleider-, ruimtevaart-, micro-elektronica- en energiesector en spelen een cruciale rol in diverse toepassingen binnen deze industrieën. Dankzij hun uitzonderlijke eigenschappen zijn structuurcomponenten van siliciumcarbidekeramiek een ideaal materiaal geworden voor zware omstandigheden met hoge temperaturen, hoge druk, corrosie en slijtage, en leveren ze betrouwbare prestaties en een lange levensduur in uitdagende bedrijfsomstandigheden.Overzicht van SiC-afdichtingsonderdelen
SiC-afdichtingen zijn een ideale keuze voor zware omstandigheden (zoals hoge temperaturen, hoge druk, corrosieve media en slijtage bij hoge snelheid) dankzij hun uitzonderlijke hardheid, slijtvastheid, hoge temperatuurbestendigheid (temperaturen tot 1600 °C of zelfs 2000 °C) en corrosiebestendigheid. Hun hoge thermische geleidbaarheid zorgt voor een efficiënte warmteafvoer, terwijl hun lage wrijvingscoëfficiënt en zelf-smerende eigenschappen de betrouwbaarheid van de afdichting en een lange levensduur onder extreme bedrijfsomstandigheden verder garanderen. Deze eigenschappen maken SiC-afdichtingen breed inzetbaar in sectoren zoals de petrochemie, mijnbouw, halfgeleiderproductie, afvalwaterzuivering en energie, waardoor onderhoudskosten aanzienlijk worden verlaagd, downtime wordt geminimaliseerd en de operationele efficiëntie en veiligheid van apparatuur worden verbeterd.
SiC keramische platen kort
Keramische platen van siliciumcarbide (SiC) staan bekend om hun uitzonderlijke hardheid (Mohs-hardheid tot 9,5, alleen overtroffen door diamant), uitstekende thermische geleidbaarheid (ver boven de meeste keramische materialen qua efficiënt warmtebeheer) en opmerkelijke chemische inertie en thermische schokbestendigheid (bestand tegen sterke zuren, logen en snelle temperatuurschommelingen). Deze eigenschappen zorgen voor structurele stabiliteit en betrouwbare prestaties in extreme omgevingen (bijv. hoge temperaturen, slijtage en corrosie), terwijl de levensduur wordt verlengd en de onderhoudsbehoefte wordt verminderd.
SiC-keramische platen worden veel gebruikt in hoogpresterende velden:
•Schuurmiddelen en slijpgereedschappen: Benut de extreem hoge hardheid voor de productie van slijpschijven en polijstgereedschappen, waardoor de precisie en duurzaamheid in schurende omgevingen worden verbeterd.
•Vuurvaste materialen: Deze materialen dienen als ovenbekleding en ovencomponenten en zorgen voor stabiliteit boven 1600°C om de thermische efficiëntie te verbeteren en onderhoudskosten te verlagen.
• Halfgeleiderindustrie: fungeren als substraat voor elektronische apparaten met een hoog vermogen (bijv. vermogensdiodes en RF-versterkers), ondersteunen hoogspannings- en hogetemperatuurbewerkingen om de betrouwbaarheid en energie-efficiëntie te verbeteren.
•Gieten en smelten: Vervanging van traditionele materialen in de metaalverwerking om een efficiënte warmteoverdracht en chemische corrosiebestendigheid te garanderen, waardoor de metallurgische kwaliteit en kosteneffectiviteit worden verbeterd.
SiC Wafer Boat Abstract
XKH SiC keramische bootjes bieden superieure thermische stabiliteit, chemische inertheid, precisietechniek en economische efficiëntie en vormen daarmee een hoogwaardige drageroplossing voor de productie van halfgeleiders. Ze verbeteren de veiligheid, reinheid en productie-efficiëntie van wafers aanzienlijk, waardoor ze onmisbare componenten zijn in de geavanceerde waferproductie.
Toepassingen van SiC-keramische boten:
SiC keramische boten worden veel gebruikt in front-end halfgeleiderprocessen, waaronder:
•Depositieprocessen: zoals LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) en PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition).
•Hogetemperatuurbehandelingen: inclusief thermische oxidatie, gloeien, diffusie en ionenimplantatie.
•Natte en reinigingsprocessen: Waferreiniging en chemische verwerkingsfasen.
Compatibel met zowel atmosferische als vacuümprocesomgevingen,
Ze zijn ideaal voor productiebedrijven die de risico's op besmetting willen minimaliseren en de productie-efficiëntie willen verbeteren.
Parameters van SiC Wafer Boat:
| Technische eigenschappen | ||||
| Index | Eenheid | Waarde | ||
| Materiaalnaam | Reactie gesinterd siliciumcarbide | Drukloos gesinterd siliciumcarbide | Herkristalliseerd siliciumcarbide | |
| Samenstelling | RBSiC | SSiC | R-SiC | |
| Bulkdichtheid | g/cm3 | 3 | 3,15 ± 0,03 | 2.60-2.70 |
| Buigsterkte | MPa (kpsi) | 338(49) | 380(55) | 80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
| Druksterkte | MPa (kpsi) | 1120(158) | 3970(560) | > 600 |
| Hardheid | Knoop | 2700 | 2800 | / |
| Het doorbreken van vasthoudendheid | MPa m1/2 | 4.5 | 4 | / |
| Thermische geleidbaarheid | W/mk | 95 | 120 | 23 |
| Coëfficiënt van thermische uitzetting | 10-6.1/°C | 5 | 4 | 4.7 |
| Soortelijke warmte | Joule/g 0k | 0,8 | 0,67 | / |
| Maximale temperatuur in de lucht | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| Elastische modulus | Gpa | 360 | 410 | 240 |
SiC Keramiek Diverse Aangepaste Componenten Weergeven
SiC keramisch membraan
Het SiC-keramische membraan is een geavanceerde filtratieoplossing, vervaardigd uit zuiver siliciumcarbide, met een robuuste drielaagse structuur (dragerlaag, overgangslaag en scheidingsmembraan), ontwikkeld door middel van sinterprocessen bij hoge temperaturen. Dit ontwerp garandeert uitzonderlijke mechanische sterkte, een nauwkeurige verdeling van de poriegrootte en een uitstekende duurzaamheid. Het blinkt uit in diverse industriële toepassingen door het efficiënt scheiden, concentreren en zuiveren van vloeistoffen. Belangrijke toepassingen zijn onder andere water- en afvalwaterzuivering (verwijdering van zwevende deeltjes, bacteriën en organische verontreinigingen), de verwerking van voedingsmiddelen en dranken (zuivering en concentratie van sappen, zuivelproducten en gefermenteerde vloeistoffen), farmaceutische en biotechnologische processen (zuivering van biovloeistoffen en tussenproducten), chemische verwerking (filtratie van corrosieve vloeistoffen en katalysatoren) en olie- en gastoepassingen (behandeling van geproduceerd water en verwijdering van verontreinigingen).
SiC-buizen
SiC (siliciumcarbide) buizen zijn hoogwaardige keramische componenten, ontworpen voor halfgeleiderovensystemen, vervaardigd uit fijnkorrelig siliciumcarbide met een hoge zuiverheidsgraad door middel van geavanceerde sintertechnieken. Ze vertonen een uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurstabiliteit (tot meer dan 1600 °C) en chemische corrosiebestendigheid. Hun lage thermische uitzettingscoëfficiënt en hoge mechanische sterkte garanderen maatvastheid bij extreme thermische schommelingen, waardoor thermische spanning, vervorming en slijtage effectief worden verminderd. SiC-buizen zijn geschikt voor diffusie-, oxidatie- en LPCVD/PECVD-systemen, en zorgen voor een uniforme temperatuurverdeling en stabiele procesomstandigheden om waferdefecten te minimaliseren en de homogeniteit van de dunnefilmafzetting te verbeteren. Bovendien zijn de dichte, niet-poreuze structuur en chemische inertheid van SiC bestand tegen erosie door reactieve gassen zoals zuurstof, waterstof en ammoniak, waardoor de levensduur wordt verlengd en de proceszuiverheid wordt gegarandeerd. SiC-buizen kunnen worden aangepast in grootte en wanddikte, met precisiebewerking die gladde binnenoppervlakken en een hoge concentriciteit bereikt ter ondersteuning van laminaire stroming en evenwichtige thermische profielen. Oppervlaktepolijsten of coatingopties verminderen de deeltjesgeneratie verder en verbeteren de corrosiebestendigheid. Zo voldoen ze aan de strenge eisen van de halfgeleiderproductie op het gebied van precisie en betrouwbaarheid.
SiC keramische cantilever peddel
Het monolithische ontwerp van SiC cantileverbladen verbetert de mechanische robuustheid en thermische uniformiteit aanzienlijk, terwijl verbindingen en zwakke punten die veel voorkomen in composietmaterialen worden geëlimineerd. Het oppervlak is nauwkeurig gepolijst tot een bijna spiegelgladde afwerking, waardoor de deeltjesproductie wordt geminimaliseerd en aan de cleanroomnormen wordt voldaan. De inherente chemische inertie van SiC voorkomt uitgassing, corrosie en procesverontreiniging in reactieve omgevingen (bijv. zuurstof, stoom), wat stabiliteit en betrouwbaarheid garandeert in diffusie-/oxidatieprocessen. Ondanks snelle thermische cycli behoudt SiC de structurele integriteit, waardoor de levensduur wordt verlengd en de downtime voor onderhoud wordt verminderd. Het lichte gewicht van SiC zorgt voor een snellere thermische respons, versnelde verwarmings-/afkoeltijden en verbeterde productiviteit en energie-efficiëntie. Deze bladen zijn verkrijgbaar in aanpasbare maten (compatibel met wafers van 100 mm tot 300 mm+) en passen zich aan verschillende ovenontwerpen aan, waardoor consistente prestaties worden geleverd in zowel front-end als back-end halfgeleiderprocessen.
Introductie van de aluminiumoxide vacuümklem
Al₂O₃ vacuümklauwplaten zijn cruciale hulpmiddelen bij de productie van halfgeleiders en bieden stabiele en nauwkeurige ondersteuning in meerdere processen:•Verdunning: Biedt uniforme ondersteuning tijdens het verdunnen van de wafer, waardoor een zeer nauwkeurige substraatreductie wordt gegarandeerd om de warmteafvoer van de chip en de prestaties van het apparaat te verbeteren.
•Dobbelstenen: Zorgt voor veilige adsorptie tijdens het dobbelstenen van wafers, waardoor het risico op schade wordt geminimaliseerd en schone sneden voor individuele chips worden gegarandeerd.
•Reiniging: Het gladde, uniforme adsorptieoppervlak zorgt voor een effectieve verwijdering van verontreinigingen zonder de wafers te beschadigen tijdens het reinigingsproces.
•Transport: Biedt betrouwbare en veilige ondersteuning tijdens het hanteren en transporteren van wafers, waardoor het risico op schade en besmetting wordt verminderd.
1. Uniforme microporeuze keramische technologie
•Maakt gebruik van nanopoeders om gelijkmatig verdeelde en onderling verbonden poriën te creëren, wat resulteert in een hoge porositeit en een uniforme dichte structuur voor consistente en betrouwbare waferondersteuning.
2. Uitzonderlijke materiaaleigenschappen
-Gefabriceerd uit ultrazuiver 99,99% aluminiumoxide (Al₂O₃) en vertoont:
•Thermische eigenschappen: Hoge hittebestendigheid en uitstekende thermische geleidbaarheid, geschikt voor halfgeleideromgevingen met hoge temperaturen.
•Mechanische eigenschappen: Hoge sterkte en hardheid zorgen voor duurzaamheid, slijtvastheid en een lange levensduur.
•Extra voordelen: Hoge elektrische isolatie en corrosiebestendigheid, aanpasbaar aan uiteenlopende productieomstandigheden.
3.Superieure vlakheid en parallelliteit• Garandeert nauwkeurige en stabiele waferbehandeling met een hoge vlakheid en parallelliteit, minimaliseert het risico op schade en garandeert consistente verwerkingsresultaten. De goede luchtdoorlatendheid en uniforme adsorptiekracht verhogen de operationele betrouwbaarheid verder.
De Al₂O₃ vacuümklauwplaat integreert geavanceerde microporeuze technologie, uitzonderlijke materiaaleigenschappen en hoge precisie ter ondersteuning van kritische halfgeleiderprocessen. Zo wordt efficiëntie, betrouwbaarheid en verontreinigingscontrole gegarandeerd in de fasen van verdunnen, in blokjes snijden, reinigen en transporteren.
Alumina Robotarm & Alumina Keramische Eind-Effector Briefing
Robotarmen van aluminiumoxide (Al₂O₃) keramiek zijn cruciale componenten voor de waferbehandeling in de halfgeleiderproductie. Ze komen rechtstreeks in contact met wafers en zijn verantwoordelijk voor nauwkeurige overdracht en positionering in veeleisende omgevingen zoals vacuüm of hoge temperaturen. Hun kernwaarde ligt in het waarborgen van de waferveiligheid, het voorkomen van contaminatie en het verbeteren van de operationele efficiëntie en opbrengst van apparatuur door middel van uitzonderlijke materiaaleigenschappen.
| Kenmerkdimensie | Gedetailleerde beschrijving |
| Mechanische eigenschappen | Aluminiumoxide met een hoge zuiverheidsgraad (bijv. >99%) biedt een hoge hardheid (Mohs-hardheid tot 9) en buigsterkte (tot 250-500 MPa), waardoor slijtvastheid wordt gewaarborgd en vervorming wordt vermeden, waardoor de levensduur wordt verlengd.
|
| Elektrische isolatie | Een weerstand bij kamertemperatuur van maximaal 10¹⁵ Ω·cm en een isolatiesterkte van 15 kV/mm voorkomen effectief elektrostatische ontlading (ESD), waardoor gevoelige wafers worden beschermd tegen elektrische interferentie en schade.
|
| Thermische stabiliteit | Een smeltpunt tot wel 2050 °C maakt het mogelijk om hogetemperatuurprocessen (bijv. RTA, CVD) in de halfgeleiderproductie te weerstaan. De lage thermische uitzettingscoëfficiënt minimaliseert kromtrekken en behoudt de maatvastheid bij verhitting.
|
| Chemische inertie | Ongevoelig voor de meeste zuren, logen, procesgassen en reinigingsmiddelen, waardoor verontreiniging van deeltjes of het vrijkomen van metaalionen wordt voorkomen. Dit zorgt voor een ultraschone productieomgeving en voorkomt verontreiniging van het waferoppervlak.
|
| Andere voordelen | Geavanceerde verwerkingstechnologieën bieden een hoge kosteneffectiviteit: oppervlakken kunnen nauwkeurig worden gepolijst tot een lage ruwheid, waardoor het risico op deeltjesvorming verder wordt verminderd.
|
Robotarmen van aluminiumoxidekeramiek worden voornamelijk gebruikt in front-end halfgeleiderproductieprocessen, waaronder:
•Waferbehandeling en -positionering: Veilig en nauwkeurig wafers (bijv. van 100 mm tot 300 mm+) overbrengen en positioneren in vacuüm- of zeer zuivere inerte gasomgevingen, waardoor de risico's op schade en contaminatie tot een minimum worden beperkt.
•Hogetemperatuurprocessen: Zoals snel thermisch gloeien (RTA), chemische dampdepositie (CVD) en plasma-etsen, waarbij de stabiliteit bij hoge temperaturen behouden blijft en de consistentie en opbrengst van het proces worden gegarandeerd.
• Geautomatiseerde waferverwerkingssystemen: geïntegreerd in waferverwerkingsrobots als eindeffectoren om de waferoverdracht tussen apparatuur te automatiseren en zo de productie-efficiëntie te verbeteren.
Conclusie
XKH is gespecialiseerd in R&D en productie van op maat gemaakte keramische componenten van siliciumcarbide (SiC) en aluminiumoxide (Al₂O₃), waaronder robotarmen, cantilever-schoepen, vacuümklauwplaten, waferboten, ovenbuizen en andere hoogwaardige onderdelen voor de halfgeleiderindustrie, de nieuwe energiesector, de lucht- en ruimtevaart en de hogetemperatuurindustrie. We hanteren precisieproductie, strenge kwaliteitscontrole en technologische innovatie, waarbij we gebruikmaken van geavanceerde sinterprocessen (zoals drukloos sinteren en reactie-sinteren) en precisiebewerkingstechnieken (zoals CNC-slijpen en polijsten) om uitzonderlijke hogetemperatuurbestendigheid, mechanische sterkte, chemische inertheid en maatnauwkeurigheid te garanderen. We ondersteunen maatwerk op basis van tekeningen en bieden oplossingen op maat voor afmetingen, vormen, oppervlakteafwerkingen en materiaalsoorten om aan de specifieke eisen van onze klanten te voldoen. We streven ernaar betrouwbare en efficiënte keramische componenten te leveren voor hoogwaardige productie wereldwijd, waarmee we de prestaties van de apparatuur en de productie-efficiëntie voor onze klanten verbeteren.
Gerelateerde producten
-
Dia3mm SiC keramische kogel Siliciumcarbide Keramiek...
-
Prisma/spiegel van siliciumcarbide voor infraroodoptica
-
Siliciumcarbidebalk Siliciumcarbidebalk Hersteld...
-
Alumina keramische arm op maat Keramische robotarm
-
Polykristallijne Al2O3-alumina-keramiek op maat...
-
SiC keramische spantang Keramische zuignappen pre...