Keramische bak van siliciumcarbide – Duurzame, hoogwaardige bakken voor thermische en chemische toepassingen

Korte beschrijving:

Stuur ons een e-mail.

Functies

Gedetailleerd diagram

Productintroductie

Keramische trays van siliciumcarbide (SiC) zijn hoogwaardige componenten die veelvuldig worden gebruikt in industriële omgevingen met hoge temperaturen, hoge belastingen en een agressieve chemische samenstelling. Deze trays zijn vervaardigd uit geavanceerde siliciumcarbide keramische materialen en zijn ontworpen om uitzonderlijke mechanische sterkte, superieure thermische geleidbaarheid en uitstekende weerstand tegen thermische schokken, oxidatie en corrosie te bieden. Dankzij hun robuuste karakter zijn ze uitermate geschikt voor diverse industriële toepassingen, waaronder de productie van halfgeleiders, fotovoltaïsche processen, het sinteren van poedermetallurgische onderdelen en meer.

Schalen van siliciumcarbide (SiC) dienen als essentiële dragers of steunen tijdens warmtebehandelingsprocessen waarbij dimensionale nauwkeurigheid, structurele integriteit en chemische bestendigheid cruciaal zijn. In vergelijking met traditionele keramische materialen zoals aluminiumoxide of mulliet bieden SiC-schalen aanzienlijk betere prestaties, met name onder omstandigheden met herhaalde thermische cycli en agressieve atmosferen.

Productieproces en materiaalsamenstelling

De productie van SiC-keramische trays vereist precisietechniek en geavanceerde sintertechnologieën om een hoge dichtheid, een uniforme microstructuur en consistente prestaties te garanderen. De algemene stappen omvatten:

Grondstoffenselectie
Er wordt gekozen voor siliciumcarbidepoeder met een hoge zuiverheid (≥99%), vaak met specifieke controle van de deeltjesgrootte en minimale onzuiverheden om hoge mechanische en thermische eigenschappen te garanderen.
Vormingsmethoden
Afhankelijk van de specificaties van de tray worden verschillende vormtechnieken gebruikt:
- Koud-isostatisch persen (CIP) voor compacte materialen met een hoge dichtheid en uniforme structuur.
- Extrusie of slipgieten voor complexe vormen
- Spuitgieten voor nauwkeurige, gedetailleerde geometrieën
Sintertechnieken
Het groene lichaam wordt gesinterd bij extreem hoge temperaturen, doorgaans rond de 2000 °C, in een inerte atmosfeer of onder vacuüm. Veelgebruikte sintermethoden zijn onder andere:
- Reactiegebonden SiC (RB-SiC)
- Drukvrij gesinterd SiC (SSiC)
- Geherkristalliseerd SiC (RBSiC)
  Elke methode resulteert in enigszins verschillende materiaaleigenschappen, zoals porositeit, sterkte en thermische geleidbaarheid.
Precisiebewerking
Na het sinteren worden de trays machinaal bewerkt om nauwe maattoleranties, een glad oppervlak en vlakheid te garanderen. Oppervlaktebehandelingen zoals lappen, slijpen en polijsten kunnen worden toegepast, afhankelijk van de wensen van de klant.

Typische toepassingen

Keramische trays van siliciumcarbide worden vanwege hun veelzijdigheid en duurzaamheid in een breed scala aan industrieën gebruikt. Veelvoorkomende toepassingen zijn onder andere:

Halfgeleiderindustrie
SiC-trays worden gebruikt als dragers tijdens processen zoals het gloeien, diffusie, oxidatie, epitaxie en implantatie van wafers. Hun stabiliteit zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling en minimale verontreiniging.
Fotovoltaïsche (PV) industrie
Bij de productie van zonnecellen worden SiC-houders gebruikt om siliciumstaven of -wafels te ondersteunen tijdens de diffusie- en sinterstappen bij hoge temperaturen.
Poedermetallurgie en keramiek
Wordt gebruikt voor het ondersteunen van componenten tijdens het sinteren van metaalpoeders, keramiek en composietmaterialen.
Glas en beeldschermen
Gebruikt als ovenschalen of -platforms voor de productie van speciale glassoorten, LCD-substraten of andere optische componenten.
Chemische verwerking en thermische ovens
Ze dienen als corrosiebestendige dragers in chemische reactoren of als thermische ondersteuningsplaten in vacuüm- en gecontroleerde-atmosfeerovens.

Belangrijkste prestatiekenmerken

✅Uitzonderlijke thermische stabiliteit
Bestand tegen continu gebruik bij temperaturen tot 1600–2000 °C zonder vervorming of degradatie.
✅Hoge mechanische sterkte
Biedt een hoge buigsterkte (doorgaans >350 MPa), wat een lange levensduur garandeert, zelfs onder zware belasting.
✅Thermische schokbestendigheid
Uitstekende prestaties in omgevingen met snelle temperatuurschommelingen, waardoor het risico op scheuren wordt geminimaliseerd.
✅Corrosie- en oxidatiebestendigheid
Chemisch stabiel in de meeste zuren, basen en oxiderende/reducerende gassen, geschikt voor zware chemische processen.
✅Maatnauwkeurigheid en vlakheid
Vervaardigd met hoge precisie, wat een uniforme verwerking en compatibiliteit met geautomatiseerde systemen garandeert.
✅Lange levensduur en kostenefficiëntie
Lagere vervangingsfrequentie en lagere onderhoudskosten maken het op de lange termijn een kosteneffectieve oplossing.

Technische specificaties

Parameter	Typische waarde
Materiaal	Reactiegebonden SiC / Gesinterd SiC
Maximale bedrijfstemperatuur	1600–2000 °C
Buigsterkte	≥350 MPa
Dikte	≥3,0 g/cm³
Thermische geleidbaarheid	~120–180 W/m·K
Vlakheid van het oppervlak	≤ 0,1 mm
Dikte	5–20 mm (aanpasbaar)
Afmetingen	Standaardafmetingen: 200×200 mm, 300×300 mm, enz.
Oppervlakteafwerking	Machinaal bewerkt, gepolijst (op aanvraag)

Veelgestelde vragen (FAQ)

Vraag 1: Kunnen siliciumcarbide trays worden gebruikt in vacuümovens?
A:Ja, SiC-trays zijn ideaal voor vacuümomgevingen vanwege hun lage ontgassing, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid.

Vraag 2: Zijn er aangepaste vormen of sleuven beschikbaar?
A:Absoluut. We bieden maatwerk aan, zoals aanpassingen aan de afmetingen, vorm en oppervlaktekenmerken van de lade (bijv. groeven, gaten) en het polijsten van het oppervlak, om aan de unieke wensen van de klant te voldoen.

Vraag 3: Hoe verhoudt SiC zich tot aluminiumoxide of kwartsplaten?
A:SiC heeft een hogere sterkte, een betere thermische geleidbaarheid en een superieure weerstand tegen thermische schokken en chemische corrosie. Hoewel aluminiumoxide kosteneffectiever is, presteert SiC beter in veeleisende omgevingen.

Vraag 4: Bestaat er een standaarddikte voor deze trays?
A:De dikte ligt doorgaans tussen de 5 en 20 mm, maar we kunnen deze aanpassen aan uw toepassing en de vereiste draagkracht.

Vraag 5: Wat is de gebruikelijke levertijd voor op maat gemaakte SiC-trays?
A:De levertijden variëren afhankelijk van de complexiteit en de hoeveelheid, maar liggen over het algemeen tussen de 2 en 4 weken voor bestellingen op maat.

Over ons

XKH is gespecialiseerd in de ontwikkeling, productie en verkoop van hoogwaardige optische glassoorten en nieuwe kristalmaterialen. Onze producten worden gebruikt in de optische elektronica, consumentenelektronica en de militaire sector. We bieden saffieren optische componenten, lenskappen voor mobiele telefoons, keramiek, LT, siliciumcarbide (SIC), kwarts en halfgeleiderkristalwafers. Dankzij onze expertise en geavanceerde apparatuur blinken we uit in de verwerking van niet-standaard producten en streven we ernaar een toonaangevende hightech onderneming in opto-elektronische materialen te worden.