SiC-substraat, diameter 200 mm, 4H-N en HPSI siliciumcarbide

4H-N en HPSI zijn polytypen van siliciumcarbide (SiC), met een kristalroosterstructuur bestaande uit hexagonale eenheden die zijn opgebouwd uit vier koolstof- en vier siliciumatomen. Deze structuur geeft het materiaal uitstekende elektronmobiliteit en doorslagspanningseigenschappen. Van alle SiC-polytypen worden 4H-N en HPSI veel gebruikt in de vermogenselektronica vanwege hun evenwichtige elektron- en gatmobiliteit en hogere thermische geleidbaarheid.

De introductie van 8-inch SiC-substraten is een belangrijke stap voorwaarts voor de vermogenshalfgeleiderindustrie. Traditionele siliciumgebaseerde halfgeleidermaterialen vertonen een aanzienlijke prestatiedaling onder extreme omstandigheden zoals hoge temperaturen en hoge spanningen, terwijl SiC-substraten hun uitstekende prestaties behouden. Vergeleken met kleinere substraten bieden 8-inch SiC-substraten een groter verwerkingsoppervlak per stuk, wat zich vertaalt in een hogere productie-efficiëntie en lagere kosten. Dit is cruciaal voor de commercialisering van SiC-technologie.

De groeitechnologie voor 8-inch siliciumcarbide (SiC)-substraten vereist extreem hoge precisie en zuiverheid. De kwaliteit van het substraat heeft een directe invloed op de prestaties van de daaropvolgende componenten, waardoor fabrikanten geavanceerde technologieën moeten inzetten om de kristallijne perfectie en lage defectdichtheid van de substraten te garanderen. Dit omvat doorgaans complexe chemische dampafzettingsprocessen (CVD) en nauwkeurige kristalgroei- en snijtechnieken. 4H-N en HPSI SiC-substraten worden met name veel gebruikt in de vermogenselektronica, bijvoorbeeld in hoogrendementsvermogensomvormers, tractie-omvormers voor elektrische voertuigen en systemen voor hernieuwbare energie.

Wij kunnen 4H-N 8-inch SiC-substraten en verschillende soorten substraatwafers leveren. Ook maatwerk is mogelijk, afhankelijk van uw wensen. Neem gerust contact met ons op voor meer informatie!