SiC keramische plaat/bak voor 4-inch en 6-inch waferhouders voor ICP

SiC keramische plaat/bak voor 4-inch 6-inch waferhouder voor ICP (uitgelichte afbeelding)

Korte beschrijving:

De SiC-keramische plaat is een hoogwaardig component, vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide, ontworpen voor gebruik in extreme thermische, chemische en mechanische omstandigheden. De SiC-plaat staat bekend om zijn uitzonderlijke hardheid, thermische geleidbaarheid en corrosiebestendigheid en wordt veelvuldig gebruikt als waferdrager, susceptor of structureel component in de halfgeleider-, LED-, fotovoltaïsche en ruimtevaartindustrie.

Stuur ons een e-mail.

Functies

SiC keramische plaat Abstract

Met een uitstekende thermische stabiliteit tot 1600 °C en een uitstekende weerstand tegen reactieve gassen en plasmaomgevingen, garandeert de SiC-plaat consistente prestaties tijdens ets-, depositie- en diffusieprocessen bij hoge temperaturen. De dichte, niet-poreuze microstructuur minimaliseert de deeltjesvorming, waardoor de plaat ideaal is voor ultraschone toepassingen in vacuüm- of cleanroomomgevingen.

SiC keramische plaat Toepassing

1. Halfgeleiderproductie

SiC-keramische platen worden veelvuldig gebruikt als waferdragers, susceptoren en voetplaten in halfgeleiderproductieapparatuur zoals CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) en etssystemen. Hun uitstekende thermische geleidbaarheid en lage thermische uitzetting zorgen voor een uniforme temperatuurverdeling, wat cruciaal is voor zeer nauwkeurige waferverwerking. De weerstand van SiC tegen corrosieve gassen en plasma's garandeert duurzaamheid in ve veeleisende omgevingen, waardoor de deeltjesverontreiniging en het onderhoud van de apparatuur worden verminderd.

2. LED-industrie – ICP-etsen

In de LED-productiesector zijn SiC-platen essentiële componenten in ICP-etssystemen (Inductively Coupled Plasma). Ze fungeren als waferhouders en bieden een stabiel en thermisch robuust platform ter ondersteuning van saffier- of GaN-wafers tijdens het plasmaproces. Hun uitstekende plasmabestendigheid, vlak oppervlak en dimensionale stabiliteit dragen bij aan een hoge etsnauwkeurigheid en uniformiteit, wat leidt tot een hogere opbrengst en betere prestaties van LED-chips.

3. Fotovoltaïsche cellen (PV) en zonne-energie

SiC-keramische platen worden ook gebruikt bij de productie van zonnecellen, met name tijdens de sinter- en gloeiprocessen bij hoge temperaturen. Hun inertheid bij hoge temperaturen en hun vermogen om kromtrekken te weerstaan, zorgen voor een consistente verwerking van siliciumwafers. Bovendien is hun lage risico op verontreiniging essentieel voor het behoud van de efficiëntie van fotovoltaïsche cellen.

Eigenschappen van SiC keramische platen

1. Uitzonderlijke mechanische sterkte en hardheid

SiC-keramische platen vertonen een zeer hoge mechanische sterkte, met een typische buigsterkte van meer dan 400 MPa en een Vickers-hardheid van meer dan 2000 HV. Hierdoor zijn ze zeer bestand tegen mechanische slijtage, schuren en vervorming, wat een lange levensduur garandeert, zelfs onder hoge belasting of herhaalde thermische cycli.

2. Hoge thermische geleidbaarheid

SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid (doorgaans 120–200 W/m·K), waardoor het warmte gelijkmatig over het oppervlak verdeelt. Deze eigenschap is cruciaal bij processen zoals wafer-etsen, depositie of sinteren, waarbij temperatuuruniformiteit direct van invloed is op de productopbrengst en -kwaliteit.

3. Superieure thermische stabiliteit

Met een hoog smeltpunt (2700 °C) en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,0 × 10⁻⁶/K) behouden SiC-keramische platen hun maatnauwkeurigheid en structurele integriteit tijdens snelle verwarmings- en afkoelingscycli. Dit maakt ze ideaal voor toepassingen in hogetemperatuurovens, vacuümkamers en plasmaomgevingen.

Technische eigenschappen
Index	Eenheid	Waarde
Materiaalnaam		Reactiegesinterd siliciumcarbide	Drukvrij gesinterd siliciumcarbide	Geherkristalliseerd siliciumcarbide
Samenstelling		RBSiC	SSiC	R-SiC
Bulkdichtheid	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Buigsterkte	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Druksterkte	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Hardheid	Knoop	2700	2800	/
Doorzettingsvermogen	MPa m1/2	4.5	4	/
Thermische geleidbaarheid	W/mk	95	120	23
Coëfficiënt van thermische uitzetting	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Soortelijke warmte	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Maximale temperatuur in de lucht	℃	1200	1500	1600
Elasticiteitsmodulus	GPA	360	410	240

Vragen en antwoorden over SiC-keramische platen

V: Wat zijn de eigenschappen van een siliciumcarbideplaat?

A: Siliciumcarbide (SiC) platen staan bekend om hun hoge sterkte, hardheid en thermische stabiliteit. Ze bieden een uitstekende thermische geleidbaarheid en een lage thermische uitzetting, wat betrouwbare prestaties garandeert bij extreme temperaturen. SiC is bovendien chemisch inert en bestand tegen zuren, basen en plasmaomgevingen, waardoor het ideaal is voor de verwerking van halfgeleiders en LED's. Het dichte, gladde oppervlak minimaliseert de vorming van deeltjes, waardoor het geschikt blijft voor cleanrooms. SiC-platen worden veelvuldig gebruikt als waferdragers, susceptoren en ondersteunende componenten in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden in de halfgeleider-, fotovoltaïsche en ruimtevaartindustrie.