Producten Nieuws
-
Waferreinigingstechnologie in de halfgeleiderproductie
Waferreinigingstechnologie in de halfgeleiderproductie. Waferreiniging is een cruciale stap in het gehele halfgeleiderproductieproces en een van de belangrijkste factoren die de prestaties en de productieopbrengst van de componenten direct beïnvloeden. Tijdens de chipfabricage kan zelfs de kleinste verontreiniging...Lees meer -
Waferreinigingstechnologieën en technische documentatie
Inhoudsopgave 1. Kerndoelstellingen en belang van waferreiniging 2. Contaminatiebeoordeling en geavanceerde analytische technieken 3. Geavanceerde reinigingsmethoden en technische principes 4. Technische implementatie en essentiële procescontrole 5. Toekomstige trends en innovatieve richtingen 6. X...Lees meer -
Vers gekweekte enkelvoudige kristallen
Enkelkristallen komen zelden in de natuur voor, en zelfs als ze al voorkomen, zijn ze meestal erg klein – doorgaans in de orde van millimeters – en moeilijk te verkrijgen. Gerapporteerde diamanten, smaragden, agaten, enz. komen over het algemeen niet op de markt terecht, laat staan dat ze industrieel worden toegepast; de meeste worden tentoongesteld...Lees meer -
De grootste afnemer van hoogzuiver aluminiumoxide: hoeveel weet u over saffier?
Saffierkristallen worden gekweekt uit zeer zuiver aluminiumoxidepoeder met een zuiverheid van >99,995%, waardoor ze het meest gevraagde materiaal zijn voor zeer zuiver aluminiumoxide. Ze vertonen een hoge sterkte, hoge hardheid en stabiele chemische eigenschappen, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in extreme omstandigheden zoals hoge temperaturen...Lees meer -
Wat betekenen TTV, BOW, WARP en TIR in wafers?
Bij het onderzoeken van halfgeleidersiliciumwafers of substraten van andere materialen komen we vaak technische indicatoren tegen zoals: TTV, BOW, WARP, en mogelijk TIR, STIR, LTV, enzovoort. Welke parameters vertegenwoordigen deze? TTV — Totale diktevariatie BOW — Kromming WARP — Kromte TIR — ...Lees meer -
Zeer nauwkeurige lasersnijapparatuur voor 8-inch SiC-wafers: de kerntechnologie voor toekomstige SiC-waferverwerking
Siliciumcarbide (SiC) is niet alleen een cruciale technologie voor de nationale defensie, maar ook een essentieel materiaal voor de wereldwijde auto- en energie-industrie. Als eerste cruciale stap in de verwerking van SiC-eenkristallen bepaalt het snijden van de wafer direct de kwaliteit van het daaropvolgende dunner maken en polijsten.Lees meer -
Optische siliciumcarbide golfgeleider AR-glazen: bereiding van zeer zuivere semi-isolerende substraten
Tegen de achtergrond van de AI-revolutie komen AR-brillen steeds meer in het publieke bewustzijn. Als een paradigma dat de virtuele en de reële wereld naadloos combineert, onderscheiden AR-brillen zich van VR-apparaten doordat gebruikers tegelijkertijd digitaal geprojecteerde beelden en omgevingslicht kunnen waarnemen...Lees meer -
Hetero-epitaxiale groei van 3C-SiC op siliciumsubstraten met verschillende oriëntaties
1. Inleiding Ondanks decennia van onderzoek heeft hetero-epitaxiaal 3C-SiC, gegroeid op siliciumsubstraten, nog geen voldoende kristalkwaliteit bereikt voor industriële elektronische toepassingen. De groei vindt doorgaans plaats op Si(100)- of Si(111)-substraten, die elk hun eigen uitdagingen met zich meebrengen: antifase ...Lees meer -
Siliciumcarbidekeramiek versus siliciumcarbide in halfgeleiders: hetzelfde materiaal met twee verschillende bestemmingen.
Siliciumcarbide (SiC) is een opmerkelijke verbinding die zowel in de halfgeleiderindustrie als in geavanceerde keramische producten wordt gebruikt. Dit leidt vaak tot verwarring bij leken, die ze ten onrechte als hetzelfde product beschouwen. Hoewel SiC een identieke chemische samenstelling heeft, vertoont het echter wel degelijk verschillen...Lees meer -
Vooruitgang in de bereidingstechnologieën van zeer zuiver siliciumcarbidekeramiek
Keramiek van siliciumcarbide (SiC) met een hoge zuiverheid is uitgegroeid tot een ideaal materiaal voor kritische componenten in de halfgeleider-, ruimtevaart- en chemische industrie vanwege de uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en mechanische sterkte. Met de toenemende vraag naar hoogwaardige, laag-polaire materialen...Lees meer -
Technische principes en processen van LED-epitaxiale wafers
Uit het werkingsprincipe van LED's blijkt duidelijk dat het epitaxiale wafermateriaal de kerncomponent van een LED vormt. Sterker nog, belangrijke opto-elektronische parameters zoals golflengte, helderheid en voorwaartse spanning worden grotendeels bepaald door het epitaxiale materiaal. Epitaxiale wafertechnologie en -apparatuur...Lees meer -
Belangrijke aandachtspunten voor de bereiding van hoogwaardige siliciumcarbide-eenkristallen
De belangrijkste methoden voor de bereiding van silicium-eenkristallen zijn: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Van deze methoden wordt de PVT-methode veelvuldig toegepast in de industriële productie vanwege de eenvoudige apparatuur en het gemak waarmee deze kan worden gebruikt.Lees meer