AlN op FSS 2 inch 4 inch NPSS/FSS AlN-sjabloon voor halfgeleidergebied

Korte beschrijving:

De AlN-wafers op FSS (Flexible Substrate) bieden een unieke combinatie van de uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische isolatie-eigenschappen van aluminiumnitride (AlN), gekoppeld aan de flexibiliteit van een hoogwaardig substraat. Deze wafers van 2 en 4 inch zijn specifiek ontworpen voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen, met name waar thermisch beheer en flexibiliteit van apparaten cruciaal zijn. Met de optie van NPSS (Non-Polished Substrate) en FSS (Flexible Substrate) als basis, zijn deze AlN-templates ideaal voor toepassingen in vermogenselektronica, RF-componenten en flexibele elektronische systemen, waar een hoge thermische geleidbaarheid en flexibele integratie essentieel zijn voor het verbeteren van de prestaties en betrouwbaarheid van apparaten.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Eigenschappen

Materiaalsamenstelling:
Aluminiumnitride (AlN) – Een witte, hoogwaardige keramische laag die een uitstekende thermische geleidbaarheid (doorgaans 200-300 W/m·K), goede elektrische isolatie en hoge mechanische sterkte biedt.
Flexibel substraat (FSS) – Flexibele polymere films (zoals polyimide, PET, enz.) die duurzaamheid en buigzaamheid bieden zonder de functionaliteit van de AlN-laag aan te tasten.

Beschikbare waferformaten:
2 inch (50,8 mm)
4 inch (100 mm)

Dikte:
AlN-laag: 100-2000 nm
Dikte van het FSS-substraat: 50 µm - 500 µm (aanpasbaar aan de eisen)

Opties voor oppervlakteafwerking:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Ongepolijst substraatoppervlak, geschikt voor bepaalde toepassingen die een ruwer oppervlak vereisen voor betere hechting of integratie.
FSS (Flexible Substrate) – Gepolijste of ongepolijste flexibele folie, met de optie voor een glad of gestructureerd oppervlak, afhankelijk van de specifieke toepassingsbehoeften.

Elektrische eigenschappen:
Isolerend – De elektrische isolerende eigenschappen van AlN maken het ideaal voor hoogspannings- en vermogenshalfgeleidertoepassingen.
Diëlektrische constante: ~9,5
Thermische geleidbaarheid: 200-300 W/m·K (afhankelijk van de specifieke AlN-kwaliteit en dikte)

Mechanische eigenschappen:
Flexibiliteit: AlN wordt afgezet op een flexibel substraat (FSS), waardoor het materiaal buigzaam en flexibel is.
Oppervlaktehardheid: AlN is zeer duurzaam en bestand tegen fysieke beschadigingen onder normale bedrijfsomstandigheden.

Toepassingen

Krachtige apparatenIdeaal voor vermogenselektronica die een hoge warmteafvoer vereist, zoals vermogensomvormers, RF-versterkers en krachtige LED-modules.

RF- en microgolfcomponentenGeschikt voor componenten zoals antennes, filters en resonatoren, waar zowel thermische geleidbaarheid als mechanische flexibiliteit vereist zijn.

Flexibele elektronicaPerfect voor toepassingen waarbij apparaten zich moeten aanpassen aan niet-vlakke oppervlakken of een lichtgewicht, flexibel ontwerp vereisen (bijv. wearables, flexibele sensoren).

HalfgeleiderverpakkingGebruikt als substraat in halfgeleiderverpakkingen, voor warmteafvoer in toepassingen die veel warmte genereren.

LED's en opto-elektronicaVoor apparaten die bij hoge temperaturen moeten werken en een robuuste warmteafvoer vereisen.

Parametertabel

Eigendom	Waarde of bereik
Wafergrootte	2 inch (50,8 mm), 4 inch (100 mm)
Dikte van de AlN-laag	100 nm – 2000 nm
FSS-substraatdikte	50 µm – 500 µm (aanpasbaar)
Thermische geleidbaarheid	200 – 300 W/m·K
Elektrische eigenschappen	Isolerend (diëlektrische constante: ~9,5)
Oppervlakteafwerking	Gepolijst of ongepolijst
Substraattype	NPSS (niet-gepolijst substraat), FSS (flexibel substraat)
Mechanische flexibiliteit	Hoge flexibiliteit, ideaal voor flexibele elektronica.
Kleur	Wit tot gebroken wit (afhankelijk van de ondergrond)

Toepassingen

●Vermogenselektronica:De combinatie van hoge thermische geleidbaarheid en flexibiliteit maakt deze wafers perfect voor vermogenscomponenten zoals vermogensomvormers, transistors en spanningsregelaars die een efficiënte warmteafvoer vereisen.
●RF/Microgolfapparaten:Vanwege de superieure thermische eigenschappen en lage elektrische geleidbaarheid van AlN worden deze wafers gebruikt in RF-componenten zoals versterkers, oscillatoren en antennes.
●Flexibele elektronica:De flexibiliteit van de FSS-laag in combinatie met het uitstekende thermische beheer van AlN maakt het een ideale keuze voor draagbare elektronica en sensoren.
●Halfgeleiderverpakking:Gebruikt voor hoogwaardige halfgeleiderverpakkingen waar effectieve warmteafvoer en betrouwbaarheid cruciaal zijn.
●LED- en opto-elektronische toepassingen:Aluminiumnitride is een uitstekend materiaal voor LED-behuizingen en andere opto-elektronische apparaten die een hoge hittebestendigheid vereisen.

Vragen en antwoorden (Veelgestelde vragen)

Vraag 1: Wat zijn de voordelen van het gebruik van AlN op FSS-wafers?

A1AlN op FSS-wafers combineert de hoge thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie-eigenschappen van AlN met de mechanische flexibiliteit van een polymeersubstraat. Dit maakt een verbeterde warmteafvoer mogelijk in flexibele elektronische systemen, terwijl de integriteit van het apparaat behouden blijft onder buig- en rekcondities.

Vraag 2: Welke formaten zijn beschikbaar voor AlN op FSS-wafers?

A2Wij bieden aan:2 inchEn4 inchWaferformaten. Aangepaste formaten kunnen op aanvraag worden besproken om aan uw specifieke toepassingsbehoeften te voldoen.

Vraag 3: Kan ik de dikte van de AlN-laag aanpassen?

A3Ja, deAlN-laagdiktekan worden aangepast, met typische bereiken van100 nm tot 2000 nmafhankelijk van uw toepassingsvereisten.