6-8 inch LN-op-Si composietsubstraat met een dikte van 0,3-50 μm (Si/SiC/Saffier).

Korte beschrijving:

Het 6 tot 8 inch LN-op-Si composietsubstraat is een hoogwaardig materiaal dat dunne lithiumniobaat (LN) films met een enkelkristalstructuur integreert met silicium (Si) substraten, met diktes variërend van 0,3 μm tot 50 μm. Het is ontworpen voor de fabricage van geavanceerde halfgeleider- en opto-elektronische apparaten. Door gebruik te maken van geavanceerde bonding- of epitaxiale groeitechnieken, garandeert dit substraat een hoge kristallijne kwaliteit van de LN-film, terwijl de grote waferafmetingen (6 tot 8 inch) van het siliciumsubstraat de productie-efficiëntie en kosteneffectiviteit verhogen.
Vergeleken met conventionele bulk-LN-materialen biedt het 6 tot 8 inch LN-op-Si-composietsubstraat een superieure thermische aanpassing en mechanische stabiliteit, waardoor het geschikt is voor grootschalige waferverwerking. Bovendien kunnen alternatieve basismaterialen zoals SiC of saffier worden gekozen om te voldoen aan specifieke toepassingsvereisten, waaronder hoogfrequente RF-apparaten, geïntegreerde fotonica en MEMS-sensoren.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Technische parameters

0,3-50 μm LN/LT op isolatoren
Bovenste laag
Diameter	6-8 inch
Oriëntatie	X, Z, Y-42 enz.
Materialen	LT, LN
Dikte	0,3-50 μm
Substraat (op maat gemaakt)
Materiaal	Si, SiC, saffier, spinel, kwarts

Belangrijkste kenmerken

Het 6 tot 8 inch LN-op-Si composietsubstraat onderscheidt zich door zijn unieke materiaaleigenschappen en instelbare parameters, waardoor het breed toepasbaar is in de halfgeleider- en opto-elektronische industrie:

1. Compatibiliteit met grote wafers: De wafergrootte van 6 tot 8 inch zorgt voor een naadloze integratie met bestaande halfgeleiderproductielijnen (bijv. CMOS-processen), waardoor de productiekosten worden verlaagd en massaproductie mogelijk wordt.

2. Hoge kristallijne kwaliteit: Geoptimaliseerde epitaxiale of bondingtechnieken zorgen voor een lage defectdichtheid in de LN-dunne film, waardoor deze ideaal is voor hoogwaardige optische modulatoren, oppervlakte-akoestische golf (SAW)-filters en andere precisieapparaten.

3. Instelbare dikte (0,3–50 μm): Ultradunne LN-lagen (<1 μm) zijn geschikt voor geïntegreerde fotonische chips, terwijl dikkere lagen (10–50 μm) krachtige RF-apparaten of piëzo-elektrische sensoren ondersteunen.

4. Meerdere substraatopties: Naast Si kunnen ook SiC (hoge thermische geleidbaarheid) of saffier (hoge isolatie) als basismateriaal worden gekozen om te voldoen aan de eisen van hoogfrequente, hogetemperatuur- of hoogvermogenstoepassingen.

5. Thermische en mechanische stabiliteit: Het siliciumsubstraat biedt robuuste mechanische ondersteuning, waardoor kromtrekken of scheuren tijdens de verwerking tot een minimum worden beperkt en de opbrengst van het apparaat wordt verbeterd.

Deze eigenschappen maken het 6 tot 8 inch LN-op-Si composietsubstraat tot een voorkeursmateriaal voor geavanceerde technologieën zoals 5G-communicatie, LiDAR en kwantumoptica.

Belangrijkste toepassingen

Het 6 tot 8 inch LN-op-Si composietsubstraat wordt veelvuldig toegepast in hightechindustrieën vanwege zijn uitzonderlijke elektro-optische, piëzo-elektrische en akoestische eigenschappen.

1. Optische communicatie en geïntegreerde fotonica: Maakt snelle elektro-optische modulatoren, golfgeleiders en fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's) mogelijk, waarmee wordt voldaan aan de bandbreedtebehoeften van datacenters en glasvezelnetwerken.

2.5G/6G RF-apparaten: De hoge piëzo-elektrische coëfficiënt van LN maakt het ideaal voor oppervlakte-akoestische golf (SAW) en bulk-akoestische golf (BAW) filters, waardoor de signaalverwerking in 5G-basisstations en mobiele apparaten wordt verbeterd.

3. MEMS en sensoren: Het piëzo-elektrische effect van LN-op-Si maakt zeer gevoelige accelerometers, biosensoren en ultrasone transducers mogelijk voor medische en industriële toepassingen.

4. Kwantumtechnologieën: Als niet-lineair optisch materiaal worden dunne LN-films gebruikt in kwantumlichtbronnen (bijvoorbeeld verstrengelde fotonenparen) en geïntegreerde kwantumchips.

5. Lasers en niet-lineaire optica: Ultradunne LN-lagen maken efficiënte tweede-harmonische generatie (SHG) en optische parametrische oscillatie (OPO) apparaten mogelijk voor laserbewerking en spectroscopische analyse.

Het gestandaardiseerde LN-op-Si-composietsubstraat van 6 tot 8 inch maakt de productie van deze apparaten in grootschalige waferfabrieken mogelijk, waardoor de productiekosten aanzienlijk worden verlaagd.

Aanpassingen en services

Wij bieden uitgebreide technische ondersteuning en maatwerkdiensten voor het LN-on-Si composietsubstraat van 6 tot 8 inch om te voldoen aan uiteenlopende R&D- en productiebehoeften:

1. Fabricage op maat: De dikte van de LN-film (0,3–50 μm), de kristaloriëntatie (X-snede/Y-snede) en het substraatmateriaal (Si/SiC/saffier) kunnen worden aangepast om de prestaties van het apparaat te optimaliseren.

2. Verwerking op waferniveau: Levering van grote hoeveelheden 6-inch en 8-inch wafers, inclusief back-end services zoals snijden, polijsten en coaten, zodat de substraten klaar zijn voor apparaatintegratie.

3. Technisch advies en testen: Materiaalkarakterisering (bijv. XRD, AFM), elektro-optische prestatietesten en ondersteuning bij apparaatsimulaties om de ontwerpvalidatie te versnellen.

Onze missie is om het 6- tot 8-inch LN-op-Si composietsubstraat te vestigen als een kernmateriaaloplossing voor opto-elektronische en halfgeleidertoepassingen, en daarbij volledige ondersteuning te bieden van onderzoek en ontwikkeling tot massaproductie.

Conclusie

Het 6 tot 8 inch LN-on-Si composietsubstraat, met zijn grote wafergrootte, superieure materiaalkwaliteit en veelzijdigheid, stimuleert de vooruitgang in optische communicatie, 5G RF en kwantumtechnologieën. Of het nu gaat om massaproductie of maatwerkoplossingen, wij leveren betrouwbare substraten en aanvullende diensten om technologische innovatie mogelijk te maken.