3 inch zeer zuivere semi-isolerende (HPSI) SiC-wafer 350 µm dummy-kwaliteit primaire kwaliteit
Sollicitatie
HPSI SiC-wafers spelen een cruciale rol bij de ontwikkeling van de volgende generatie vermogenscomponenten, die worden gebruikt in diverse hoogwaardige toepassingen:
Energieomzettingssystemen: SiC-wafers dienen als kernmateriaal voor vermogenscomponenten zoals vermogens-MOSFET's, diodes en IGBT's, die cruciaal zijn voor efficiënte energieomzetting in elektrische circuits. Deze componenten worden gebruikt in hoogrendementsvoedingen, motorsturingen en industriële omvormers.
Elektrische voertuigen (EV's):De groeiende vraag naar elektrische voertuigen vereist efficiëntere vermogenselektronica, en SiC-wafers spelen een leidende rol in deze transformatie. In de aandrijflijn van elektrische voertuigen bieden deze wafers een hoog rendement en snelle schakelmogelijkheden, wat bijdraagt aan snellere laadtijden, een grotere actieradius en betere algehele voertuigprestaties.
Hernieuwbare energie:In systemen voor hernieuwbare energie, zoals zonne- en windenergie, worden SiC-wafers gebruikt in omvormers en converters die een efficiëntere energieopvang en -distributie mogelijk maken. De hoge thermische geleidbaarheid en superieure doorslagspanning van SiC zorgen ervoor dat deze systemen betrouwbaar werken, zelfs onder extreme omgevingsomstandigheden.
Industriële automatisering en robotica:Hoogwaardige vermogenselektronica in industriële automatiseringssystemen en robotica vereist componenten die snel kunnen schakelen, grote vermogensbelastingen aankunnen en onder hoge druk kunnen functioneren. Op silicium gebaseerde halfgeleiders voldoen aan deze eisen door een hogere efficiëntie en robuustheid te bieden, zelfs in zware bedrijfsomstandigheden.
Telecommunicatiesystemen:In telecommunicatie-infrastructuur, waar hoge betrouwbaarheid en efficiënte energieomzetting cruciaal zijn, worden SiC-wafers gebruikt in voedingen en DC-DC-omvormers. SiC-componenten helpen het energieverbruik te verminderen en de systeemprestaties in datacenters en communicatienetwerken te verbeteren.
Door een robuuste basis te bieden voor toepassingen met hoog vermogen, maakt de HPSI SiC-wafer de ontwikkeling van energiezuinige apparaten mogelijk, waardoor industrieën kunnen overstappen op groenere, duurzamere oplossingen.
Eigenschappen
| opera | Productiekwaliteit | Onderzoeksgraad | Nepcijfer |
| Diameter | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Dikte | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Waferoriëntatie | Op de as: <0001> ± 0,5° | Op de as: <0001> ± 2,0° | Op de as: <0001> ± 2,0° |
| Micropipe-dichtheid voor 95% van de wafers (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Elektrische weerstand | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopant | Ongedopeerd | Ongedopeerd | Ongedopeerd |
| Primaire vlakke oriëntatie | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Primaire vlakke lengte | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Secundaire vlakke lengte | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Secundaire vlakke oriëntatie | Si-vlak naar boven: 90° met de klok mee ten opzichte van het primaire vlak ± 5,0° | Si-vlak naar boven: 90° met de klok mee ten opzichte van het primaire vlak ± 5,0° | Si-vlak naar boven: 90° met de klok mee ten opzichte van het primaire vlak ± 5,0° |
| Randuitsluiting | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Boog/Kromtrekken | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Oppervlakteruwheid | C-vlak: Gepolijst, Si-vlak: CMP | C-vlak: Gepolijst, Si-vlak: CMP | C-vlak: Gepolijst, Si-vlak: CMP |
| Scheuren (gecontroleerd met behulp van een lamp met hoge intensiteit) | Geen | Geen | Geen |
| Hex-platen (gecontroleerd met een lamp met hoge intensiteit) | Geen | Geen | Cumulatief oppervlak 10% |
| Polytypegebieden (geïnspecteerd met licht van hoge intensiteit) | Cumulatief oppervlak 5% | Cumulatief oppervlak 5% | Cumulatief oppervlak 10% |
| Krassen (gecontroleerd onder fel licht) | ≤ 5 krassen, totale lengte ≤ 150 mm | ≤ 10 krassen, totale lengte ≤ 200 mm | ≤ 10 krassen, totale lengte ≤ 200 mm |
| Randafschilfering | Niet toegestaan met een breedte en diepte van ≥ 0,5 mm. | 2 toegestaan, ≤ 1 mm breedte en diepte | 5 toegestaan, breedte en diepte ≤ 5 mm |
| Oppervlakteverontreiniging (gecontroleerd met behulp van een lamp met hoge intensiteit) | Geen | Geen | Geen |
Belangrijkste voordelen
Superieure thermische prestaties: De hoge thermische geleidbaarheid van SiC zorgt voor een efficiënte warmteafvoer in vermogenscomponenten, waardoor deze op hogere vermogensniveaus en frequenties kunnen werken zonder oververhitting. Dit resulteert in kleinere, efficiëntere systemen en een langere levensduur.
Hoge doorslagspanning: SiC-wafers hebben een bredere bandgap dan silicium en zijn daarom geschikt voor toepassingen met hoge spanningen. Dit maakt ze ideaal voor vermogenselektronica-componenten die bestand moeten zijn tegen hoge doorslagspanningen, zoals in elektrische voertuigen, elektriciteitsnetten en systemen voor hernieuwbare energie.
Minder energieverlies: De lage aanweerstand en snelle schakelsnelheden van SiC-componenten resulteren in minder energieverlies tijdens bedrijf. Dit verbetert niet alleen de efficiëntie, maar verhoogt ook de algehele energiebesparing van systemen waarin ze worden toegepast.
Verbeterde betrouwbaarheid in zware omstandigheden: De robuuste materiaaleigenschappen van SiC zorgen ervoor dat het materiaal presteert onder extreme omstandigheden, zoals hoge temperaturen (tot 600 °C), hoge spanningen en hoge frequenties. Hierdoor zijn SiC-wafers geschikt voor veeleisende industriële, automobiel- en energietoepassingen.
Energie-efficiëntie: SiC-componenten bieden een hogere vermogensdichtheid dan traditionele siliciumcomponenten, waardoor de omvang en het gewicht van vermogenselektronica worden verminderd en de algehele efficiëntie wordt verbeterd. Dit leidt tot kostenbesparingen en een kleinere ecologische voetafdruk in toepassingen zoals hernieuwbare energie en elektrische voertuigen.
Schaalbaarheid: De diameter van 3 inch en de nauwkeurige productietoleranties van de HPSI SiC-wafer zorgen ervoor dat deze schaalbaar is voor massaproductie en voldoet aan zowel de eisen van onderzoek als commerciële productie.
Conclusie
De HPSI SiC-wafer, met een diameter van 3 inch en een dikte van 350 µm ± 25 µm, is het optimale materiaal voor de volgende generatie hoogwaardige vermogenselektronica. De unieke combinatie van thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning, laag energieverlies en betrouwbaarheid onder extreme omstandigheden maakt het een essentieel onderdeel voor diverse toepassingen in energieconversie, hernieuwbare energie, elektrische voertuigen, industriële systemen en telecommunicatie.
Deze SiC-wafer is bijzonder geschikt voor industrieën die streven naar een hogere efficiëntie, grotere energiebesparing en verbeterde systeem betrouwbaarheid. Naarmate de vermogenselektronicatechnologie zich verder ontwikkelt, vormt de HPSI SiC-wafer de basis voor de ontwikkeling van energiezuinige oplossingen van de volgende generatie, waarmee de transitie naar een duurzamere, koolstofarme toekomst wordt gestimuleerd.
Gedetailleerd diagram
