3 inch 76,2 mm 4H-Semi SiC substraat wafer Siliciumcarbide Semi-isolerende SiC wafers

Korte beschrijving:

Hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) wafers van éénkristal voor de elektronica- en opto-elektronica-industrie. De 3-inch SiC wafer is een halfgeleidermateriaal van de volgende generatie, een halfgeleidende siliciumcarbide wafer met een diameter van 3 inch. De wafers zijn bedoeld voor de fabricage van vermogens-, RF- en opto-elektronica-componenten.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Productspecificatie

3-inch 4H semi-geïsoleerde SiC (siliciumcarbide) substraatwafers zijn een veelgebruikt halfgeleidermateriaal. 4H staat voor een tetrahexaëdrische kristalstructuur. Semi-isolatie betekent dat het substraat een hoge weerstand heeft en enigszins kan worden afgeschermd van stroomdoorgang.

Dergelijke substraatwafers hebben de volgende eigenschappen: hoge thermische geleidbaarheid, lage geleidingsverliezen, uitstekende hoge temperatuurbestendigheid en uitstekende mechanische en chemische stabiliteit. Omdat siliciumcarbide een brede bandkloof heeft en bestand is tegen hoge temperaturen en hoge elektrische veldsterktes, worden 4H-SiC halfgeleidende wafers veel gebruikt in vermogenselektronica en radiofrequentie (RF)-apparaten.

De belangrijkste toepassingen van 4H-SiC halfgeleidende wafers zijn onder andere:

1--Vermogenselektronica: 4H-SiC-wafers kunnen worden gebruikt voor de productie van vermogensschakelaars zoals MOSFET's (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistors) en Schottky-diodes. Deze componenten hebben lagere geleidings- en schakelverliezen in omgevingen met hoge spanning en hoge temperatuur en bieden een hoger rendement en een grotere betrouwbaarheid.

2. Radiofrequentie (RF)-apparaten: 4H-SiC halfgeïsoleerde wafers kunnen worden gebruikt voor de fabricage van krachtige, hoogfrequente RF-vermogensversterkers, chipweerstanden, filters en andere apparaten. Siliciumcarbide heeft betere hoogfrequente prestaties en thermische stabiliteit dankzij de grotere elektronverzadigingsdrift en hogere thermische geleidbaarheid.

3. Opto-elektronische apparaten: 4H-SiC halfgeleidende wafers kunnen worden gebruikt voor de productie van krachtige laserdiode's, UV-lichtdetectoren en opto-elektronische geïntegreerde schakelingen.

Wat de marktontwikkeling betreft, neemt de vraag naar 4H-SiC halfgeleidende wafers toe door de groeiende sectoren vermogenselektronica, RF en opto-elektronica. Dit komt doordat siliciumcarbide een breed scala aan toepassingen heeft, waaronder energie-efficiëntie, elektrische voertuigen, hernieuwbare energie en communicatie. De markt voor 4H-SiC halfgeleidende wafers blijft veelbelovend en zal naar verwachting in diverse toepassingen conventionele siliciummaterialen vervangen.