Enkelkristal siliciumwafer Si-substraattype N/P Optioneel siliciumcarbidewafer

De uitzonderlijke prestaties van de monokristallijne siliciumwafer worden toegeschreven aan de hoge zuiverheid en nauwkeurige kristalstructuur. Deze structuur zorgt voor uniformiteit en consistentie van de siliciumwafer, wat de prestaties en betrouwbaarheid van apparaten verbetert. Onder zware bedrijfsomstandigheden, zoals hoge temperaturen, hoge luchtvochtigheid of hoge straling, behoudt het Si-substraat zijn prestaties, wat zorgt voor een stabiele werking van elektronische apparaten in extreme omgevingen.

Bovendien maakt de hoge thermische geleidbaarheid van de siliciumwafer deze tot een ideale keuze voor toepassingen met een hoog vermogen. De wafer voert warmte effectief af van het apparaat, voorkomt thermische accumulatie en beschermt het apparaat tegen hitteschade, waardoor de levensduur wordt verlengd. In de vermogenselektronica kan de toepassing van siliciumwafers de conversie-efficiëntie verbeteren, energieverliezen verminderen en een zeer efficiënte energieomzetting mogelijk maken.

In geïntegreerde schakelingen en geavanceerde vermogensmodules speelt de chemische stabiliteit van de siliciumwafer ook een belangrijke rol. Deze blijft stabiel in chemisch corrosieve omgevingen, wat de betrouwbaarheid van apparaten op lange termijn waarborgt. Bovendien vergemakkelijkt de compatibiliteit van de siliciumwafer met bestaande halfgeleiderproductieprocessen de integratie en massaproductie.

Onze siliciumwafers zijn de perfecte keuze voor hoogwaardige halfgeleidertoepassingen. Met een uitzonderlijke kristalkwaliteit, strenge kwaliteitscontrole, maatwerk en een breed scala aan toepassingen kunnen we ook maatwerk leveren op basis van uw wensen. Vragen zijn welkom!