Siliciumcarbide SiC keramische vorkarm/hand voor kritische handlingsystemen

Korte beschrijving:

DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekis een geavanceerd component, ontwikkeld voor geavanceerde industriële automatisering, halfgeleiderverwerking en ultraschone omgevingen. De kenmerkende gevorkte architectuur en het ultravlakke keramische oppervlak maken het ideaal voor het verwerken van delicate substraten, waaronder siliciumwafers, glaspanelen en optische apparaten. De met precisie ontworpen en vervaardigde ultrazuivere siliciumcarbide,Vorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekbiedt ongeëvenaarde mechanische sterkte, thermische betrouwbaarheid en verontreinigingsbeheersing.

Stuur ons een e-mail

Functies

Gedetailleerd diagram

Introductie van siliciumcarbide keramische vorkarm/hand

In tegenstelling tot conventionele metalen of plastic armen,Vorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekLevert stabiele prestaties onder extreme thermische, chemische en vacuümomstandigheden. Of het nu in een klasse 1 cleanroom of in een hoogvacuüm plasmakamer wordt gebruikt, dit onderdeel garandeert een veilig, efficiënt en residuvrij transport van waardevolle onderdelen.

Met een structuur die speciaal is ontworpen voor robotarmen, waferhandlers en geautomatiseerde overdrachtshulpmiddelen,Vorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekis een slimme upgrade voor elk zeer nauwkeurig systeem.

Productieproces van siliciumcarbide keramische vorkarm/hand

Het creëren van een high-performanceVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekomvat een strikt gecontroleerde keramische engineeringworkflow die herhaalbaarheid, betrouwbaarheid en extreem lage defectpercentages garandeert.

1. Materiaalkunde

Bij de vervaardiging van deVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiek, wat zorgt voor een lage ionische verontreiniging en een hoge bulksterkte. De poeders worden nauwkeurig gemengd met sinteradditieven en bindmiddelen om optimale verdichting te bereiken.

2. Het vormen van de basisstructuur

De basisgeometrie van devorkarm/handWordt gevormd door middel van koud isostatisch persen of spuitgieten, wat zorgt voor een hoge groene dichtheid en een gelijkmatige spanningsverdeling. De U-vormige configuratie is geoptimaliseerd voor een goede stijfheid-gewichtsverhouding en dynamische respons.

3. Sinterproces

Het groene lichaam van deVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekwordt gesinterd in een hogetemperatuur-inertgasoven bij meer dan 2000 °C. Deze stap garandeert een bijna theoretische dichtheid, wat resulteert in een component die bestand is tegen scheuren, kromtrekken en maatafwijkingen onder reële thermische belastingen.

4. Precisie slijpen en bewerken

Geavanceerde CNC-diamantgereedschappen worden gebruikt om de uiteindelijke afmetingen van deVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekNauwe toleranties (±0,01 mm) en een spiegelgladde oppervlakteafwerking beperken de vrijgave van deeltjes en mechanische spanning.

5. Oppervlakteconditionering en -reiniging

De laatste oppervlakteafwerking omvat chemisch polijsten en ultrasoon reinigen om het oppervlak voor te bereiden.vorkarm/handVoor directe integratie in ultra-schone systemen. Optionele coatings (CVD-SiC, antireflectielagen) zijn ook beschikbaar.

Dit nauwgezette proces garandeert dat elkeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekvoldoet aan de strengste industriële normen, waaronder de SEMI- en ISO-cleanroomvereisten.

Parameter van siliciumcarbide keramische vorkarm/hand

Item	Testomstandigheden	Gegevens	Eenheid
Siliciumcarbidegehalte	/	>99,5	%
Gemiddelde korrelgrootte	/	4-10	micron
Dikte	/	>3.14	g/cm3
Schijnbare porositeit	/	<0,5	Vol %
Vickers-hardheid	HV0.5	2800	kg/mm2
Breukmodulus (3 punten)	Teststaafafmetingen: 3 x 4 x 40 mm	450	MPa
Druksterkte	20°C	3900	MPa
Elasticiteitsmodulus	20°C	420	GPa
Breuktaaiheid	/	3.5	MPa/m^1/2
Thermische geleidbaarheid	20°C	160	W/(mK)
Elektrische weerstand	20°C	10⁶-10⁸	Ωcm
Coëfficiënt van thermische uitzetting	20°C-800°C	4.3	K^-110^-6
Maximale toepassingstemperatuur	Oxide-atmosfeer	1600	°C
Maximale toepassingstemperatuur	Inerte atmosfeer	1950	°C

Toepassingen van siliciumcarbide keramische vorkarm/hand

DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekis ontworpen voor gebruik in zeer nauwkeurige, risicovolle en contaminatiegevoelige toepassingen. Het maakt betrouwbare handling, overdracht of ondersteuning van kritische componenten mogelijk zonder compromissen.

➤ Halfgeleiderindustrie

Wordt gebruikt als robotvork in front-end wafer-overdracht- en FOUP-stations.
Geïntegreerd in vacuümkamers voor plasma-ets- en PVD/CVD-processen.
Fungeert als draagarm in metrologie- en waferuitlijningshulpmiddelen.

DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekelimineert de risico's van elektrostatische ontlading (ESD), ondersteunt de maatnauwkeurigheid en is bestand tegen plasmacorrosie.

➤ Fotonica en optica

Ondersteunt delicate lenzen, laserkristallen en sensoren tijdens de fabricage of inspectie.
De hoge stijfheid voorkomt trillingen, terwijl de keramische behuizing verontreiniging van optische oppervlakken tegengaat.

➤ Display- en paneelproductie

Geschikt voor dun glas, OLED-modules en LCD-substraten tijdens transport of inspectie.
De vlakke en chemisch inerteVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekbeschermt tegen krassen of chemische etsing.

➤ Lucht- en ruimtevaart- en wetenschappelijke instrumenten

Wordt gebruikt bij de assemblage van satellietoptica, vacuümrobotica en synchrotronbundellijnopstellingen.
Werkt feilloos in cleanrooms van ruimtekwaliteit en omgevingen met veel straling.

In elk veld is deVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekverbetert de efficiëntie van het systeem, vermindert het aantal defecten aan onderdelen en minimaliseert de uitvaltijd.

FAQ – Veelgestelde vragen over siliciumcarbide keramische vorkarm/hand

V1: Wat maakt de siliciumcarbide keramische vorkarm/hand beter dan metalen alternatieven?

DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekHeeft een superieure hardheid, lagere dichtheid, betere chemische bestendigheid en aanzienlijk minder thermische uitzetting dan metalen. Het is ook geschikt voor cleanrooms en vrij van corrosie of deeltjesvorming.

V2: Kan ik aangepaste afmetingen aanvragen voor mijn siliciumcarbide keramische vorkarm/hand?

Ja. Wij bieden volledige maatwerkopties, inclusief vorkbreedte, dikte, montagegaten, uitsparingen en oppervlaktebehandelingen. Of het nu gaat om 6", 8" of 12" wafers, uwvorkarm/handkan op maat worden gemaakt.

V3: Hoe lang gaat de siliciumcarbide keramische vorkarm/hand mee onder plasma of vacuüm?

Dankzij het SiC-materiaal met hoge dichtheid en de inerte aard ervan,vorkarm/handBlijft functioneel, zelfs na duizenden procescycli. Het vertoont minimale slijtage onder agressieve plasma- of vacuümwarmtebelasting.

V4: Is het product geschikt voor cleanrooms van ISO-klasse 1?

Absoluut. DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekwordt geproduceerd en verpakt in gecertificeerde cleanroomfaciliteiten, met deeltjesniveaus die ruim onder de ISO-klasse 1-vereisten liggen.

V5: Wat is de maximale bedrijfstemperatuur voor deze vorkarm/hand?

DeVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiekkan continu werken tot 1500°C, waardoor het geschikt is voor direct gebruik in hogetemperatuurproceskamers en thermische vacuümsystemen.

Deze FAQ's weerspiegelen de meest voorkomende technische zorgen van ingenieurs, laboratoriummanagers en systeemintegratoren die deVorkarm/hand van siliciumcarbidekeramiek.

Over ons

XKH is gespecialiseerd in hightech ontwikkeling, productie en verkoop van speciaal optisch glas en nieuwe kristalmaterialen. Onze producten zijn geschikt voor optische elektronica, consumentenelektronica en het leger. We leveren optische componenten van saffier, lenskappen voor mobiele telefoons, keramiek, LT, siliciumcarbide (SIC), kwarts en halfgeleiderkristalwafers. Met onze expertise en geavanceerde apparatuur blinken we uit in de verwerking van niet-standaardproducten en streven we ernaar een toonaangevende hightechonderneming te worden op het gebied van opto-elektronische materialen.