Diamantdraadsnijmachine van siliciumcarbide voor de verwerking van SiC-staven van 4/6/8/12 inch.

Korte beschrijving:

De siliciumcarbide diamantdraadsnijmachine is een zeer nauwkeurige bewerkingsmachine voor het snijden van siliciumcarbide (SiC) blokken. Met behulp van diamantdraadzaagtechnologie snijdt een snel bewegende diamantdraad (draaddiameter 0,1~0,3 mm) meerdere SiC-blokken in meerdere draden, waardoor zeer nauwkeurige en schadearme wafers worden geproduceerd. De machine wordt veel gebruikt bij de verwerking van SiC-vermogenshalfgeleiders (MOSFET/SBD), radiofrequentiecomponenten (GaN-on-SiC) en substraten voor opto-elektronische componenten, en is een sleutelmachine in de SiC-industrie.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Werkingsprincipe:

1. Bevestiging van de staaf: De SiC-staaf (4H/6H-SiC) wordt op het snijplatform bevestigd met behulp van een opspaninrichting om een nauwkeurige positionering (±0,02 mm) te garanderen.

2. Diamantlijnbeweging: de diamantlijn (gegalvaniseerde diamantdeeltjes op het oppervlak) wordt aangedreven door een geleidingswielsysteem voor snelle circulatie (lijnsnelheid 10-30 m/s).

3. Snijtoevoer: de staaf wordt in de ingestelde richting aangevoerd en de diamantlijn snijdt gelijktijdig met meerdere parallelle lijnen (100-500 lijnen) om meerdere wafers te vormen.

4. Koeling en spaanafvoer: Spuit koelvloeistof (gedemineraliseerd water + additieven) in het snijgebied om hitteschade te verminderen en spanen te verwijderen.

Belangrijkste parameters:

1. Snijsnelheid: 0,2~1,0 mm/min (afhankelijk van de kristalrichting en dikte van het SiC).

2. Lijnspanning: 20~50N (te hoog kan leiden tot lijnbreuk, te laag beïnvloedt de snijprecisie).

3. Waferdikte: standaard 350~500 μm, wafers kunnen tot 100 μm dik zijn.

Belangrijkste kenmerken:

(1) Snijnauwkeurigheid
Diktetolerantie: ±5 μm (@350 μm wafer), beter dan conventioneel mortelsnijden (±20 μm).

Oppervlakteruwheid: Ra<0,5μm (geen extra slijpen nodig om de hoeveelheid nabewerking te verminderen).

Kromming: <10 μm (vermindert de moeilijkheid van het daaropvolgende polijsten).

(2) Verwerkingsefficiëntie
Snijlijn voor meerdere stuks: het snijden van 100 tot 500 stuks tegelijk, waardoor de productiecapaciteit 3 tot 5 keer hoger wordt (vergeleken met snijlijn voor één stuk).

Levensduur van de lijn: De diamantlijn kan 100 tot 300 km SiC snijden (afhankelijk van de hardheid van het blok en de procesoptimalisatie).

(3) Lage schadeverwerking
Randbreuk: <15 μm (traditioneel snijden >50 μm), verbetert de waferopbrengst.

Beschadigingslaag onder het oppervlak: <5 μm (vermindert het verwijderen van materiaal tijdens het polijsten).

(4) Milieubescherming en economie
Geen mortelverontreiniging: Lagere kosten voor de afvoer van vloeibaar afval in vergelijking met het zagen van mortel.

Materiaalgebruik: Snijverlies <100 μm/frees, waardoor SiC-grondstoffen worden bespaard.

Snij-effect:

1. Waferkwaliteit: geen macroscopische scheuren op het oppervlak, weinig microscopische defecten (beheersbare dislocatie-uitbreiding). Kan direct doorgaan naar de ruwe polijstfase, waardoor het procesverloop wordt verkort.

2. Consistentie: de dikteafwijking van de wafer in de batch is <±3%, waardoor deze geschikt is voor geautomatiseerde productie.

3. Toepassingsgebied: Ondersteunt het snijden van 4H/6H-SiC-blokken, compatibel met geleidende/halfgeleidende typen.

Technische specificaties:

Specificatie	Details
Afmetingen (L × B × H)	2500x2300x2500 of aanpassen
Verwerkingsmateriaalgroottebereik	4, 6, 8, 10, 12 inch siliciumcarbide
Oppervlakteruwheid	Ra≤0,3u
Gemiddelde snijsnelheid	0,3 mm/min
Gewicht	5,5 ton
Stappen voor het instellen van het snijproces	≤30 stappen
Apparatuurgeluid	≤80 dB
Stalen draadspanning	0~110N (draadspanning van 0,25 is 45N)
Staaldraadsnelheid	0~30 m/s
Totaal vermogen	50 kW
Diamantdraaddiameter	≥0,18 mm
Einde van de vlakheid	≤0,05 mm
Snij- en breeksnelheid	≤1% (met uitzondering van menselijke fouten, siliconenmateriaal, leidingen, onderhoud en andere redenen)

XKH-diensten:

XKH levert de complete service voor het snijden van siliciumcarbide-diamantdraad, inclusief apparatuurselectie (afstemming van draaddiameter/draadsnelheid), procesontwikkeling (optimalisatie van snijparameters), levering van verbruiksartikelen (diamantdraad, geleidingswiel) en aftersalesondersteuning (apparatuuronderhoud, analyse van de snijkwaliteit). Hiermee helpen we klanten bij het realiseren van een hoge opbrengst (>95%) en kostenefficiënte massaproductie van SiC-wafers. XKH biedt tevens upgrades op maat (zoals ultradun snijden, geautomatiseerd laden en lossen) met een levertijd van 4-8 weken.