Siliciumcarbide diamantdraadsnijmachine 4/6/8/12 inch SiC-staafverwerking

Korte beschrijving:

Een diamantdraadsnijmachine voor siliciumcarbide is een uiterst precieze verwerkingsmachine voor het snijden van siliciumcarbide (SiC) ingots. Deze machine maakt gebruik van diamantdraadzaagtechnologie. De machine beweegt met hoge snelheid diamantdraad (lijndiameter 0,1-0,3 mm) en snijdt de SiC-ingots met meerdere draden. Dit resulteert in een uiterst precieze en schadearme wafervoorbereiding. De machine wordt veel gebruikt in de verwerking van SiC-halfgeleiders (MOSFET/SBD), radiofrequentie-apparatuur (GaN-op-SiC) en opto-elektronische substraten. Het is een essentieel onderdeel van de SiC-industrie.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Werkingsprincipe:

1. Bevestiging van de ingot: SiC-ingot (4H/6H-SiC) wordt via de houder op het snijplatform bevestigd om de positienauwkeurigheid (±0,02 mm) te garanderen.

2. Beweging van de diamantlijn: de diamantlijn (gegalvaniseerde diamantdeeltjes op het oppervlak) wordt aangedreven door het geleidingswielsysteem voor hogesnelheidscirculatie (lijnsnelheid 10~30 m/s).

3. Snijvoeding: het blok wordt langs de ingestelde richting aangevoerd en de diamantlijn wordt gelijktijdig met meerdere parallelle lijnen (100~500 lijnen) gesneden om meerdere wafers te vormen.

4. Koeling en spaanafvoer: Spuit koelmiddel (gedemineraliseerd water + additieven) in het snijgebied om hitteschade te beperken en spaanders te verwijderen.

Belangrijkste parameters:

1. Snijsnelheid: 0,2~1,0 mm/min (afhankelijk van de kristalrichting en de dikte van SiC).

2. Lijnspanning: 20~50N (te hoog breekt de lijn gemakkelijk, te laag beïnvloedt de snijnauwkeurigheid).

3. Waferdikte: standaard 350~500μm, wafer kan 100μm bereiken.

Belangrijkste kenmerken:

(1) Snijnauwkeurigheid
Diktetolerantie: ±5μm (@350μm wafer), beter dan conventioneel mortelsnijden (±20μm).

Oppervlakteruwheid: Ra < 0,5 μm (geen extra slijpen nodig om de hoeveelheid nabewerking te verminderen).

Kromtrekken: <10μm (vermindert de moeilijkheidsgraad van het daaropvolgende polijsten).

(2) Verwerkingsefficiëntie
Meerdere snijlijnen: er worden 100 tot 500 stukken tegelijk gesneden, waardoor de productiecapaciteit 3 tot 5 keer groter wordt (ten opzichte van snijden op één lijn).

Levensduur van de lijn: De diamantlijn kan 100 tot 300 km SiC snijden (afhankelijk van de hardheid van het blok en de procesoptimalisatie).

(3) Lage schadeverwerking
Randbreuk: <15 μm (traditioneel snijden > 50 μm), verbetert de waferopbrengst.

Ondergrondse schadelaag: <5μm (vermindert verwijdering van polijstmiddel).

(4) Milieubescherming en economie
Geen mortelverontreiniging: lagere kosten voor de afvoer van afvalvloeistof vergeleken met het snijden van mortel.

Materiaalgebruik: snijverlies <100 μm/snijplotter, waardoor SiC-grondstoffen worden bespaard.

Snij-effect:

1. Waferkwaliteit: geen macroscopische scheuren op het oppervlak, weinig microscopische defecten (controleerbare dislocatie-extensie). Kan direct in de ruwe polijstverbinding terechtkomen, wat de processtroom verkort.

2. Consistentie: de dikteafwijking van de wafer in de batch is <±3%, geschikt voor geautomatiseerde productie.

3. Toepasbaarheid: Ondersteunt het snijden van 4H/6H-SiC-staven, compatibel met geleidende/half-geïsoleerde typen.

Technische specificatie:

Specificatie	Details
Afmetingen (L × B × H)	2500x2300x2500 of aanpassen
Verwerkingsmateriaal groottebereik	4, 6, 8, 10, 12 inch siliciumcarbide
Oppervlakteruwheid	Ra≤0,3u
Gemiddelde snijsnelheid	0,3 mm/min
Gewicht	5,5 ton
Stappen voor het instellen van het snijproces	≤30 stappen
Apparatuurgeluid	≤80 dB
Staaldraadspanning	0~110N (0,25 draadspanning is 45N)
Staaldraadsnelheid	0~30 m/s
Totaal vermogen	50 kW
Diameter van de diamantdraad	≥0,18 mm
Eindvlakheid	≤0,05 mm
Snij- en breeksnelheid	≤1% (behalve om menselijke redenen, siliciummateriaal, lijn, onderhoud en andere redenen)

XKH-diensten:

XKH biedt de volledige processervice voor siliciumcarbide diamantdraadsnijmachines, inclusief apparatuurselectie (afstemming van draaddiameter en draadsnelheid), procesontwikkeling (optimalisatie van snijparameters), levering van verbruiksartikelen (diamantdraad, geleidewiel) en aftersalesondersteuning (onderhoud van apparatuur, analyse van de snijkwaliteit). Hiermee helpen we klanten een hoge opbrengst (>95%) en lage kosten voor SiC-wafers te behalen in massaproductie. Het bedrijf biedt ook upgrades op maat (zoals ultradun snijden, geautomatiseerd laden en lossen) met een levertijd van 4-8 weken.