SiC
-
2 inch Sic siliciumcarbide substraat 6H-N Type 0,33 mm 0,43 mm dubbelzijdig polijsten Hoge thermische geleidbaarheid laag stroomverbruik
-
SiC-substraat 3 inch 350 µm dikte HPSI-type Prime Grade Dummy-kwaliteit
-
Siliciumcarbide SiC-staaf 6 inch N-type Dummy/primaire kwaliteit dikte kan op maat worden gemaakt
-
6 inch siliciumcarbide 4H-SiC semi-isolerende staaf, dummy-kwaliteit
-
SiC-staaf 4H-type Diameter 4 inch 6 inch Dikte 5-10 mm Onderzoek / Dummy-kwaliteit
-
Sic-substraat siliciumcarbide wafer 4H-N type hoge hardheid corrosiebestendigheid prime grade polijsten
-
2 inch siliciumcarbide wafer 6H-N type prime grade research grade dummy grade 330 μm 430 μm dikte
-
2 inch siliciumcarbide substraat 6H-N dubbelzijdig gepolijst diameter 50,8 mm productiekwaliteit onderzoekskwaliteit
-
N-Type SiC composiet substraten Dia6inch Hoogwaardige monokristallijne en lage kwaliteit substraten
-
Semi-isolerende SiC-composietsubstraten Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
N-Type SiC op Si-composietsubstraten Dia 6 inch
-
SiC-substraat Dia200mm 4H-N en HPSI Siliciumcarbide