SiC-substraat Dia200mm 4H-N en HPSI Siliciumcarbide

Korte beschrijving:

Siliciumcarbidesubstraat (SiC-wafel) is een halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand en uitstekende fysische en chemische eigenschappen, met name uitstekend in omgevingen met hoge temperaturen, hoge frequenties, hoog vermogen en hoge straling. 4H-V is een van de kristallijne structuren van siliciumcarbide. Bovendien hebben SiC-substraten een goede thermische geleidbaarheid, wat betekent dat ze de warmte die door apparaten wordt gegenereerd tijdens bedrijf effectief kunnen afvoeren, waardoor de betrouwbaarheid en levensduur van de apparaten verder worden verbeterd.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

4H-N en HPSI zijn een polytype siliciumcarbide (SiC), met een kristalroosterstructuur bestaande uit hexagonale eenheden bestaande uit vier koolstof- en vier siliciumatomen. Deze structuur geeft het materiaal uitstekende elektronenmobiliteit en doorslagspanningseigenschappen. Van alle SiC-polytypes worden 4H-N en HPSI veel gebruikt op het gebied van vermogenselektronica vanwege de evenwichtige elektronen- en gatenmobiliteit en de hogere thermische geleidbaarheid.

De opkomst van 8 inch SiC-substraten vertegenwoordigt een aanzienlijke vooruitgang voor de vermogenshalfgeleiderindustrie. Traditionele op silicium gebaseerde halfgeleidermaterialen ervaren een aanzienlijke prestatievermindering onder extreme omstandigheden zoals hoge temperaturen en hoge spanningen, terwijl SiC-substraten hun uitstekende prestaties kunnen behouden. Vergeleken met kleinere substraten bieden 8-inch SiC-substraten een groter verwerkingsgebied uit één stuk, wat zich vertaalt in een hogere productie-efficiëntie en lagere kosten, cruciaal voor het aansturen van het commercialiseringsproces van SiC-technologie.

De groeitechnologie voor 8 inch siliciumcarbide (SiC) substraten vereist extreem hoge precisie en zuiverheid. De kwaliteit van het substraat heeft een directe invloed op de prestaties van volgende apparaten, dus fabrikanten moeten geavanceerde technologieën gebruiken om de kristallijne perfectie en lage defectdichtheid van de substraten te garanderen. Dit omvat doorgaans complexe chemische dampafzettingsprocessen (CVD) en nauwkeurige kristalgroei- en snijtechnieken. 4H-N- en HPSI SiC-substraten worden met name veel gebruikt op het gebied van vermogenselektronica, zoals in hoogefficiënte stroomomvormers, tractie-omvormers voor elektrische voertuigen en systemen voor hernieuwbare energie.

We kunnen 4H-N 8 inch SiC-substraat en verschillende soorten substraatwafels leveren. Ook maatwerk kunnen wij naar uw wensen verzorgen. Welkom onderzoek!