SiC-substraat Dia200mm 4H-N en HPSI Siliciumcarbide

4H-N en HPSI is een polytype siliciumcarbide (SiC), met een kristalroosterstructuur bestaande uit hexagonale eenheden bestaande uit vier koolstof- en vier siliciumatomen. Deze structuur geeft het materiaal een uitstekende elektronenmobiliteit en doorslagspanningseigenschappen. Van alle SiC-polytypen worden 4H-N en HPSI veel gebruikt in de vermogenselektronica vanwege de evenwichtige elektronen- en gatenmobiliteit en de hogere thermische geleidbaarheid.

De opkomst van 8 inch SiC-substraten betekent een belangrijke vooruitgang voor de vermogenshalfgeleiderindustrie. Traditionele halfgeleidermaterialen op basis van silicium vertonen een aanzienlijke prestatiedaling onder extreme omstandigheden, zoals hoge temperaturen en hoge spanningen, terwijl SiC-substraten hun uitstekende prestaties kunnen behouden. Vergeleken met kleinere substraten bieden 8 inch SiC-substraten een groter verwerkingsoppervlak per stuk, wat zich vertaalt in een hogere productie-efficiëntie en lagere kosten, cruciaal voor de commercialisering van SiC-technologie.

De groeitechnologie voor 8-inch siliciumcarbide (SiC) substraten vereist extreem hoge precisie en zuiverheid. De kwaliteit van het substraat is direct van invloed op de prestaties van de volgende componenten. Fabrikanten moeten daarom geavanceerde technologieën gebruiken om de kristallijne perfectie en lage defectdichtheid van de substraten te garanderen. Dit vereist doorgaans complexe chemische dampdepositie (CVD)-processen en nauwkeurige kristalgroei- en snijtechnieken. 4H-N- en HPSI SiC-substraten worden met name veel gebruikt in de vermogenselektronica, zoals in hoogrendementsomvormers, tractieomvormers voor elektrische voertuigen en systemen voor hernieuwbare energie.

Wij kunnen 4H-N 8-inch SiC-substraat en verschillende substraatkwaliteiten leveren. Ook maatwerk volgens uw wensen is mogelijk. Vraag gerust een offerte aan!