SiC kristalgroei oven SiC Ingot groeiend 4inch 6inch 8inch PTV Lely TSSG LPE groeimethode
Belangrijkste kristalgroeimethoden en hun kenmerken
(1) Fysische dampoverdrachtsmethode (PTV)
Principe: Bij hoge temperaturen sublimeert de SiC-grondstof naar de gasfase, die vervolgens wordt gerekristalliseerd op het entkristal.
Belangrijkste kenmerken:
Hoge groeitemperatuur (2000-2500°C).
Er kunnen hoogwaardige, grote 4H-SiC- en 6H-SiC-kristallen worden gekweekt.
De groeisnelheid is laag, maar de kristalkwaliteit is hoog.
Toepassing: Wordt voornamelijk gebruikt in vermogenshalfgeleiders, RF-apparaten en andere hoogwaardige sectoren.
(2) Lely-methode
Principe: Kristallen ontstaan door spontane sublimatie en herkristallisatie van SiC-poeders bij hoge temperaturen.
Belangrijkste kenmerken:
Voor het groeiproces zijn geen zaden nodig en de kristallen zijn klein.
De kristalkwaliteit is hoog, maar de groei-efficiëntie is laag.
Geschikt voor laboratoriumonderzoek en productie in kleine series.
Toepassing: Wordt voornamelijk gebruikt bij wetenschappelijk onderzoek en de bereiding van kleine SiC-kristallen.
(3) Top Seed Solution-groeimethode (TSSG)
Principe: In een oplossing met hoge temperatuur lost de SiC-grondstof op en kristalliseert op het entkristal.
Belangrijkste kenmerken:
De groeitemperatuur is laag (1500-1800°C).
Er kunnen SiC-kristallen van hoge kwaliteit met weinig defecten worden gekweekt.
De groeisnelheid is laag, maar de uniformiteit van de kristallen is goed.
Toepassing: Geschikt voor de bereiding van hoogwaardige SiC-kristallen, bijvoorbeeld in opto-elektronische apparaten.
(4) Vloeibare fase-epitaxie (LPE)
Principe: In een oplossing van vloeibaar metaal groeit het SiC-grondstofmateriaal epitaxiaal op het substraat.
Belangrijkste kenmerken:
De groeitemperatuur is laag (1000-1500°C).
Snelle groeisnelheid, geschikt voor filmgroei.
De kristalkwaliteit is hoog, maar de dikte is beperkt.
Toepassing: Wordt voornamelijk gebruikt voor epitaxiale groei van SiC-films, zoals sensoren en opto-elektronische apparaten.
De belangrijkste toepassingsmogelijkheden van siliciumcarbidekristalovens
De SiC-kristaloven is de kernapparatuur voor het bereiden van SiC-kristallen. De belangrijkste toepassingen zijn:
Fabricage van vermogenshalfgeleiderapparaten: Wordt gebruikt om hoogwaardige 4H-SiC- en 6H-SiC-kristallen te laten groeien als substraatmaterialen voor vermogensapparaten (zoals MOSFET's en diodes).
Toepassingen: elektrische voertuigen, fotovoltaïsche omvormers, industriële voedingen, enz.
Fabricage van RF-apparaten: wordt gebruikt om SiC-kristallen met lage defecten te laten groeien als substraten voor RF-apparaten om te voldoen aan de hogefrequentiebehoeften van 5G-communicatie, radar en satellietcommunicatie.
Fabricage van opto-elektronische apparaten: Gebruikt om hoogwaardige SiC-kristallen te laten groeien als substraatmateriaal voor leds, ultraviolette detectoren en lasers.
Wetenschappelijk onderzoek en productie in kleine series: voor laboratoriumonderzoek en de ontwikkeling van nieuwe materialen ter ondersteuning van innovatie en optimalisatie van SiC-kristalgroeitechnologie.
Fabricage van apparaten met hoge temperaturen: Wordt gebruikt om SiC-kristallen te laten groeien die bestand zijn tegen hoge temperaturen, als basismateriaal voor sensoren in de lucht- en ruimtevaart en hoge temperaturen.
SiC-ovenapparatuur en -diensten geleverd door het bedrijf
XKH richt zich op de ontwikkeling en productie van SIC-kristalovenapparatuur en biedt de volgende diensten aan:
Aangepaste apparatuur: XKH levert op maat gemaakte groeiovens met verschillende groeimethoden, zoals PTV en TSSG, volgens de wensen van de klant.
Technische ondersteuning: XKH biedt klanten technische ondersteuning gedurende het gehele proces, van optimalisatie van het kristalgroeiproces tot onderhoud van apparatuur.
Opleidingsdiensten: XKH biedt operationele opleidingen en technische begeleiding aan klanten om een efficiënte werking van de apparatuur te garanderen.
Aftersales-service: XKH biedt een snelle aftersales-service en apparatuurupgrades om de continuïteit van de productie bij de klant te waarborgen.
Technologie voor de groei van siliciumcarbidekristallen (zoals PTV, Lely, TSSG, LPE) heeft belangrijke toepassingen in vermogenselektronica, RF-apparatuur en opto-elektronica. XKH levert geavanceerde SiC-ovenapparatuur en een compleet dienstenpakket om klanten te ondersteunen bij de grootschalige productie van hoogwaardige SiC-kristallen en de ontwikkeling van de halfgeleiderindustrie.
Gedetailleerd diagram
