SiC-kristalgroeioven SiC-ingotgroei van 4 inch, 6 inch en 8 inch PTV Lely TSSG LPE-groeimethode
Belangrijkste kristalgroeimethoden en hun kenmerken
(1) Fysieke dampoverdrachtsmethode (PTV)
Principe: Bij hoge temperaturen sublimeert het SiC-grondmateriaal tot een gasfase, die vervolgens herkristalliseert op het kiemkristal.
Belangrijkste kenmerken:
Hoge groeitstemperatuur (2000-2500 °C).
Er kunnen hoogwaardige, grote 4H-SiC- en 6H-SiC-kristallen worden gekweekt.
De groeisnelheid is laag, maar de kristalkwaliteit is hoog.
Toepassing: Hoofdzakelijk gebruikt in vermogenshalfgeleiders, RF-componenten en andere hoogwaardige toepassingsgebieden.
(2) Lely-methode
Principe: Kristallen worden gevormd door spontane sublimatie en herkristallisatie van SiC-poeders bij hoge temperaturen.
Belangrijkste kenmerken:
Het groeiproces vereist geen zaadjes en de kristallen zijn klein.
De kristalkwaliteit is hoog, maar de groei-efficiëntie is laag.
Geschikt voor laboratoriumonderzoek en kleinschalige productie.
Toepassing: Hoofdzakelijk gebruikt in wetenschappelijk onderzoek en voor de bereiding van kleine SiC-kristallen.
(3) Top Seed solution growth Method (TSSG)
Principe: In een oplossing bij hoge temperatuur lost het SiC-grondmateriaal op en kristalliseert het op het kiemkristal.
Belangrijkste kenmerken:
De groeitstemperatuur is laag (1500-1800 °C).
Er kunnen hoogwaardige SiC-kristallen met weinig defecten worden gekweekt.
De groeisnelheid is laag, maar de kristaluniformiteit is goed.
Toepassing: Geschikt voor de bereiding van hoogwaardige SiC-kristallen, bijvoorbeeld voor opto-elektronische apparaten.
(4) Vloeistoffase-epitaxie (LPE)
Principe: Epitaxiale groei van SiC-grondstof op het substraat in een vloeibare metaaloplossing.
Belangrijkste kenmerken:
De groeitstemperatuur is laag (1000-1500 °C).
Snelle groeisnelheid, geschikt voor filmgroei.
De kristalkwaliteit is hoog, maar de dikte is beperkt.
Toepassing: Hoofdzakelijk gebruikt voor de epitaxiale groei van SiC-films, zoals sensoren en opto-elektronische apparaten.
De belangrijkste toepassingsgebieden van siliciumcarbidekristalovens
De SiC-kristaloven is de kernapparatuur voor de bereiding van SiC-kristallen, en de belangrijkste toepassingsgebieden zijn onder andere:
Productie van vermogenshalfgeleiders: Wordt gebruikt voor de groei van hoogwaardige 4H-SiC- en 6H-SiC-kristallen als substraatmateriaal voor vermogenscomponenten (zoals MOSFET's en diodes).
Toepassingen: elektrische voertuigen, fotovoltaïsche omvormers, industriële voedingen, enz.
RF-apparaatproductie: Wordt gebruikt voor het kweken van SiC-kristallen met weinig defecten als substraten voor RF-apparaten om te voldoen aan de hoogfrequente behoeften van 5G-communicatie, radar en satellietcommunicatie.
Productie van opto-elektronische apparaten: Wordt gebruikt voor de groei van hoogwaardige SiC-kristallen als substraatmateriaal voor leds, ultravioletdetectoren en lasers.
Wetenschappelijk onderzoek en kleinschalige productie: voor laboratoriumonderzoek en de ontwikkeling van nieuwe materialen ter ondersteuning van innovatie en optimalisatie van de SiC-kristalgroeitechnologie.
Productie van apparaten voor hoge temperaturen: Wordt gebruikt voor de groei van hittebestendige SiC-kristallen als basismateriaal voor ruimtevaart- en hogetemperatuursensoren.
SiC-ovenapparatuur en -diensten geleverd door het bedrijf.
XKH is gespecialiseerd in de ontwikkeling en productie van SIC-kristalovens en biedt de volgende diensten aan:
Apparatuur op maat: XKH levert op maat gemaakte groeiovens met diverse groeimethoden zoals PTV en TSSG, afhankelijk van de wensen van de klant.
Technische ondersteuning: XKH biedt klanten technische ondersteuning voor het gehele proces, van optimalisatie van het kristalgroeiproces tot onderhoud van de apparatuur.
Trainingsdiensten: XKH biedt operationele training en technische begeleiding aan klanten om een efficiënte werking van de apparatuur te garanderen.
Aftersalesservice: XKH biedt snelle aftersalesservice en upgrades van apparatuur om de continuïteit van de productie van de klant te waarborgen.
De technologie voor de groei van siliciumcarbidekristallen (zoals PTV, Lely, TSSG, LPE) heeft belangrijke toepassingen op het gebied van vermogenselektronica, RF-componenten en opto-elektronica. XKH levert geavanceerde SiC-ovens en een volledig servicepakket om klanten te ondersteunen bij de grootschalige productie van hoogwaardige SiC-kristallen en zo bij te dragen aan de ontwikkeling van de halfgeleiderindustrie.
Gedetailleerd diagram
