Het proces dat wordt uitgevoerd door Semiconductor Laser Lift-Off Equipment begint met het bestralen van de donorstaaf vanaf één zijde met een hoogenergetische ultraviolette laserstraal. Deze straal is nauwkeurig gericht op een specifieke interne diepte, meestal langs een speciaal ontworpen interface, waar de energieabsorptie wordt gemaximaliseerd dankzij optisch, thermisch of chemisch contrast.

In deze energie-absorberende laag leidt lokale verhitting tot een snelle micro-explosie, gasexpansie of ontleding van een grensvlaklaag (bijvoorbeeld een spanningsfilm of opofferingsoxide). Deze nauwkeurig gecontroleerde verstoring zorgt ervoor dat de bovenste kristallijne laag – met een dikte van tientallen micrometers – zich netjes losmaakt van de basisstaaf.

De Semiconductor Laser Lift-Off Equipment maakt gebruik van bewegingsgesynchroniseerde scankoppen, programmeerbare z-asbesturing en realtime reflectometrie om ervoor te zorgen dat elke puls de energie precies op het doelvlak afgeeft. De apparatuur kan ook worden geconfigureerd met burst-modus of multipulse-functionaliteit om de loslating soepeler te laten verlopen en restspanning te minimaliseren. Belangrijk is dat de laserstraal het materiaal nooit fysiek raakt, waardoor het risico op microscheuren, kromtrekken of oppervlakteafbrokkeling drastisch wordt verminderd.

Hierdoor is de laser-lift-off-verdunningsmethode een echte revolutie, met name in toepassingen waarbij ultraplatte, ultradunne wafers nodig zijn met submicron TTV (Totale Diktevariatie).