Producten
-
Saffier vierkant zaadkristal – Precisiegericht substraat voor de groei van synthetische saffier
-
Siliciumcarbide (SiC) monokristallijn substraat – 10×10 mm wafer
-
Diamantdraadsnijmachine met drie stations en één draad voor het snijden van Si-wafers/optisch glasmateriaal
-
Gele saffier grondstof, laboratoriumgecreëerd voor de productie van sieraden
-
Alumina keramische eind-effector / vorkarm voor wafer- en substraatbehandeling
-
Waferoriëntatiesysteem voor kristaloriëntatiemeting
-
SiC keramische tray voor waferdrager met hoge temperatuurbestendigheid
-
SiC keramische vorkarm / eindeffector - Geavanceerde precisiebehandeling voor de halfgeleiderproductie
-
Keramische bak van siliciumcarbide – duurzame, hoogwaardige bakken voor thermische en chemische toepassingen
-
Hoogwaardige aluminiumoxide keramische eind-effector (vorkarm) voor halfgeleider- en cleanroomautomatisering
-
Gefuseerde kwartsbuizen in aanpasbare maten voor industrieel en laboratoriumgebruik
-
SiO₂ Kwarts Wafer Kwarts Wafers SiO₂ MEMS Temperatuur 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″