De afgelopen jaren speelt SiC, als nieuw halfgeleidermateriaal, een belangrijke rol in deze sectoren, met de voortdurende penetratie van downstreamtoepassingen zoals nieuwe energievoertuigen, fotovoltaïsche energieopwekking en energieopslag. Volgens het Power SiC Market Report van Yole Intelligence, dat in 2023 werd gepubliceerd, wordt voorspeld dat de wereldwijde markt voor power SiC-componenten tegen 2028 bijna $ 9 miljard zal bedragen, een groei van ongeveer 31% ten opzichte van 2022. De totale markt voor SiC-halfgeleiders vertoont een gestage groeitrend.
Van de vele markttoepassingen domineren nieuwe energievoertuigen met een marktaandeel van 70%. China is momenteel 's werelds grootste producent, consument en exporteur van nieuwe energievoertuigen. Volgens de "Nikkei Asian Review" overtrof de Chinese auto-export, gedreven door nieuwe energievoertuigen, in 2023 voor het eerst die van Japan, waarmee China de grootste auto-exporteur ter wereld werd.
Gezien de groeiende vraag op de markt, grijpt de Chinese SiC-industrie deze cruciale ontwikkelingskans aan.
Sinds de publicatie van het "Dertiende Vijfjarenplan" voor Nationale Wetenschappelijke en Technologische Innovatie door de Staatsraad in juli 2016, heeft de ontwikkeling van halfgeleiderchips van de derde generatie veel aandacht van de overheid gekregen, met positieve reacties en uitgebreide steun in verschillende regio's. In augustus 2021 nam het Ministerie van Industrie en Informatietechnologie (MIIT) halfgeleiders van de derde generatie verder op in het "Veertiende Vijfjarenplan" voor de ontwikkeling van industriële wetenschappelijke en technologische innovatie, waarmee de groei van de binnenlandse SiC-markt verder werd gestimuleerd.
Gedreven door zowel de marktvraag als het beleid schieten binnenlandse SiC-projecten als paddenstoelen uit de grond, wat een situatie van wijdverbreide ontwikkeling laat zien. Volgens onze onvolledige statistieken zijn er momenteel SiC-gerelateerde bouwprojecten in ten minste 17 steden uitgevoerd. Onder andere Jiangsu, Shanghai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian en andere regio's zijn belangrijke knooppunten geworden voor de ontwikkeling van de SiC-industrie. Met name de ingebruikname van het nieuwe project van ReTopTech zal de gehele binnenlandse keten van de derde-generatie halfgeleiderindustrie, met name in Guangdong, verder versterken.
De volgende lay-out voor ReTopTech is het 8-inch SiC-substraat. Hoewel 6-inch SiC-substraten momenteel de markt domineren, verschuift de ontwikkelingstrend in de industrie geleidelijk naar 8-inch substraten vanwege kostenbesparende overwegingen. Volgens de voorspellingen van GTAT zullen de kosten van 8-inch substraten naar verwachting met 20% tot 35% dalen ten opzichte van 6-inch substraten. Bekende SiC-fabrikanten zoals Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun en Xilinx Integration, zowel nationaal als internationaal, zijn momenteel geleidelijk begonnen met de overstap naar 8-inch substraten.
In deze context is ReTopTech van plan om in de toekomst een onderzoeks- en ontwikkelingscentrum voor grootschalige kristalgroei en epitaxietechnologie op te richten. Het bedrijf zal samenwerken met lokale toonaangevende laboratoria om samen te werken op het gebied van instrument- en apparatuuruitwisseling en materiaalonderzoek. Daarnaast is ReTopTech van plan de samenwerking op het gebied van innovatie op het gebied van kristalverwerkingstechnologie met grote apparatuurfabrikanten te versterken en gezamenlijke innovatie te realiseren met toonaangevende downstreambedrijven in onderzoek en ontwikkeling van automotive-apparaten en -modules. Deze maatregelen zijn gericht op het verbeteren van het Chinese niveau van onderzoek, ontwikkeling en industrialisatie van productietechnologie op het gebied van 8-inch substraatplatforms.
De derde generatie halfgeleiders, met SiC als belangrijkste vertegenwoordiger, wordt algemeen erkend als een van de meest veelbelovende deelgebieden binnen de gehele halfgeleiderindustrie. China beschikt over een complete industriële ketenvoorsprong op het gebied van derde generatie halfgeleiders, inclusief apparatuur, materialen, productie en toepassingen, met de potentie om wereldwijd concurrerend te worden.
Plaatsingstijd: 08-04-2024