Abstract van de SiC-wafer
Siliciumcarbide (SiC) wafers zijn het substraat bij uitstek geworden voor elektronica met hoog vermogen, hoge frequenties en hoge temperaturen in de automobiel-, hernieuwbare energie- en lucht- en ruimtevaartsector. Ons portfolio omvat belangrijke polytypes en dopingsystemen – stikstofgedoteerde 4H (4H-N), hoogzuivere semi-isolerende (HPSI), stikstofgedoteerde 3C (3C-N) en p-type 4H/6H (4H/6H-P) – aangeboden in drie kwaliteitsklassen: PRIME (volledig gepolijste substraten voor apparaten), DUMMY (gelapt of ongepolijst voor procestests) en RESEARCH (op maat gemaakte epi-lagen en dopingprofielen voor R&D). Waferdiameters variëren van 2", 4", 6", 8" en 12", geschikt voor zowel bestaande machines als geavanceerde fabs. We leveren ook monokristallijne boules en nauwkeurig georiënteerde entkristallen ter ondersteuning van interne kristalgroei.
Onze 4H-N-wafers hebben een ladingsdichtheid van 1×10¹⁶ tot 1×10¹⁹ cm⁻³ en een weerstand van 0,01–10 Ω·cm, wat zorgt voor een uitstekende elektronenmobiliteit en doorslagvelden boven 2 MV/cm – ideaal voor Schottky-diodes, MOSFET's en JFET's. HPSI-substraten hebben een weerstand van meer dan 1×10¹² Ω·cm met een micropipe-dichtheid van minder dan 0,1 cm⁻², wat zorgt voor minimale lekkage voor RF- en microgolfapparaten. Cubic 3C-N, verkrijgbaar in 2″ en 4″ formaat, maakt hetero-epitaxie op silicium mogelijk en ondersteunt nieuwe fotonische en MEMS-toepassingen. P-type 4H/6H-P wafers, gedoteerd met aluminium tot 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, maken complementaire apparaatarchitecturen mogelijk.
PRIME-wafers ondergaan chemisch-mechanisch polijsten tot een oppervlakteruwheid van <0,2 nm RMS, een totale diktevariatie van minder dan 3 µm en een kromming van <10 µm. DUMMY-substraten versnellen assemblage- en verpakkingstesten, terwijl RESEARCH-wafers epilaagdiktes van 2-30 µm en specifieke doping hebben. Alle producten zijn gecertificeerd door röntgendiffractie (rocking curve <30 boogseconden) en Raman-spectroscopie, met elektrische tests – Hall-metingen, C-V-profilering en micropipe-scanning – die JEDEC- en SEMI-conformiteit garanderen.
Boules tot 150 mm diameter worden gekweekt met behulp van PVT en CVD, met dislocatiedichtheden onder 1 × 10³ cm⁻² en een laag aantal micropipetjes. De zaadkristallen worden binnen 0,1° van de c-as gesneden om reproduceerbare groei en hoge snijopbrengsten te garanderen.
Door de combinatie van meerdere polytypen, doperingsvarianten, kwaliteitsklassen, wafergrootten en interne boule- en seedkristalproductie stroomlijnt ons SiC-substraatplatform de toeleveringsketen en versnelt het de ontwikkeling van apparaten voor elektrische voertuigen, slimme netwerken en toepassingen in zware omgevingen.
Abstract van de SiC-wafer
Siliciumcarbide (SiC) wafers zijn het substraat bij uitstek geworden voor elektronica met hoog vermogen, hoge frequenties en hoge temperaturen in de automobiel-, hernieuwbare energie- en lucht- en ruimtevaartsector. Ons portfolio omvat belangrijke polytypes en dopingsystemen – stikstofgedoteerde 4H (4H-N), hoogzuivere semi-isolerende (HPSI), stikstofgedoteerde 3C (3C-N) en p-type 4H/6H (4H/6H-P) – aangeboden in drie kwaliteitsklassen: PRIME (volledig gepolijste substraten voor apparaten), DUMMY (gelapt of ongepolijst voor procestests) en RESEARCH (op maat gemaakte epi-lagen en dopingprofielen voor R&D). Waferdiameters variëren van 2", 4", 6", 8" en 12", geschikt voor zowel bestaande machines als geavanceerde fabs. We leveren ook monokristallijne boules en nauwkeurig georiënteerde entkristallen ter ondersteuning van interne kristalgroei.
Onze 4H-N-wafers hebben een ladingsdichtheid van 1×10¹⁶ tot 1×10¹⁹ cm⁻³ en een weerstand van 0,01–10 Ω·cm, wat zorgt voor een uitstekende elektronenmobiliteit en doorslagvelden boven 2 MV/cm – ideaal voor Schottky-diodes, MOSFET's en JFET's. HPSI-substraten hebben een weerstand van meer dan 1×10¹² Ω·cm met een micropipe-dichtheid van minder dan 0,1 cm⁻², wat zorgt voor minimale lekkage voor RF- en microgolfapparaten. Cubic 3C-N, verkrijgbaar in 2″ en 4″ formaat, maakt hetero-epitaxie op silicium mogelijk en ondersteunt nieuwe fotonische en MEMS-toepassingen. P-type 4H/6H-P wafers, gedoteerd met aluminium tot 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, maken complementaire apparaatarchitecturen mogelijk.
PRIME-wafers ondergaan chemisch-mechanisch polijsten tot een oppervlakteruwheid van <0,2 nm RMS, een totale diktevariatie van minder dan 3 µm en een kromming van <10 µm. DUMMY-substraten versnellen assemblage- en verpakkingstesten, terwijl RESEARCH-wafers epilaagdiktes van 2-30 µm en specifieke doping hebben. Alle producten zijn gecertificeerd door röntgendiffractie (rocking curve <30 boogseconden) en Raman-spectroscopie, met elektrische tests – Hall-metingen, C-V-profilering en micropipe-scanning – die JEDEC- en SEMI-conformiteit garanderen.
Boules tot 150 mm diameter worden gekweekt met behulp van PVT en CVD, met dislocatiedichtheden onder 1 × 10³ cm⁻² en een laag aantal micropipetjes. De zaadkristallen worden binnen 0,1° van de c-as gesneden om reproduceerbare groei en hoge snijopbrengsten te garanderen.
Door de combinatie van meerdere polytypen, doperingsvarianten, kwaliteitsklassen, wafergrootten en interne boule- en seedkristalproductie stroomlijnt ons SiC-substraatplatform de toeleveringsketen en versnelt het de ontwikkeling van apparaten voor elektrische voertuigen, slimme netwerken en toepassingen in zware omgevingen.
Foto van SiC-wafer
Gegevensblad van de 6inch 4H-N type SiC wafer
| Gegevensblad voor 6-inch SiC-wafers | ||||
| Parameter | Subparameter | Z-klasse | P-klasse | D-klasse |
| Diameter | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | |
| Dikte | 4H‑N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Dikte | 4H‑SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Waferoriëntatie | Buiten de as: 4,0° richting <11-20> ±0,5° (4H-N); Op de as: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Buiten de as: 4,0° richting <11-20> ±0,5° (4H-N); Op de as: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Buiten de as: 4,0° richting <11-20> ±0,5° (4H-N); Op de as: <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Micropijpdichtheid | 4H‑N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Micropijpdichtheid | 4H‑SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Weerstand | 4H‑N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| Weerstand | 4H‑SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Primaire vlakke oriëntatie | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Primaire vlakke lengte | 4H‑N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Primaire vlakke lengte | 4H‑SI | Inkeping | ||
| Randuitsluiting | 3 mm | |||
| Warp/LTV/TTV/Boog | ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Ruwheid | Pools | Ra ≤ 1 nm | ||
| Ruwheid | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Randscheuren | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 20 mm, enkel ≤ 2 mm | ||
| Zeskantplaten | Cumulatief oppervlak ≤ 0,05% | Cumulatief oppervlak ≤ 0,1% | Cumulatief oppervlak ≤ 1% | |
| Polytypegebieden | Geen | Cumulatief oppervlak ≤ 3% | Cumulatief oppervlak ≤ 3% | |
| Koolstofinsluitsels | Cumulatief oppervlak ≤ 0,05% | Cumulatief oppervlak ≤ 3% | ||
| Oppervlaktekrassen | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 1 × waferdiameter | ||
| Randchips | Niet toegestaan ≥ 0,2 mm breedte en diepte | Tot 7 chips, elk ≤ 1 mm | ||
| TSD (Dislocatie van schroefdraad) | ≤ 500 cm⁻² | N.v.t. | ||
| BPD (Basisvlakdislocatie) | ≤ 1000 cm⁻² | N.v.t. | ||
| Oppervlakteverontreiniging | Geen | |||
| Verpakking | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | |
Gegevensblad van 4 inch 4H-N type SiC-wafer
| Gegevensblad van de 4-inch SiC-wafer | |||
| Parameter | Nul MPD-productie | Standaardproductiekwaliteit (P-kwaliteit) | Dummy-klasse (D-klasse) |
| Diameter | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Dikte (4H-N) | 350 µm±15 µm | 350 µm±25 µm | |
| Dikte (4H-Si) | 500 µm±15 µm | 500 µm±25 µm | |
| Waferoriëntatie | Buiten de as: 4,0° richting <1120> ±0,5° voor 4H-N; Op de as: <0001> ±0,5° voor 4H-Si | ||
| Micropijpdichtheid (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Micropijpdichtheid (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Weerstand (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Soortelijke weerstand (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Primaire vlakke oriëntatie | [10-10] ±5,0° | ||
| Primaire vlakke lengte | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Secundaire vlakke lengte | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Secundaire vlakke oriëntatie | Siliciumzijde naar boven: 90° CW vanaf het primaire vlak ±5,0° | ||
| Randuitsluiting | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Boogwarp | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Ruwheid | Poolse Ra ≤1 nm; CMP Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm | |
| Randscheuren door licht met hoge intensiteit | Geen | Geen | Cumulatieve lengte ≤10 mm; enkele lengte ≤2 mm |
| Hex-platen door middel van licht met hoge intensiteit | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief gebied ≤0,1% |
| Polytypegebieden door middel van licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatief oppervlak ≤3% | |
| Visuele koolstofinsluitingen | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief oppervlak ≤3% | |
| Krassen op siliciumoppervlak door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤1 waferdiameter | |
| Randchips door licht met hoge intensiteit | Geen toegestaan ≥0,2 mm breedte en diepte | 5 toegestaan, elk ≤1 mm | |
| Verontreiniging van siliciumoppervlakken door hoogintensief licht | Geen | ||
| Dislocatie van de schroefdraadschroef | ≤500 cm⁻² | N.v.t. | |
| Verpakking | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | Multi-wafer cassette of enkele wafer container |
Gegevensblad van 4-inch HPSI-type SiC-wafer
| Gegevensblad van 4-inch HPSI-type SiC-wafer | |||
| Parameter | Productiekwaliteit van nul MPD (Z-kwaliteit) | Standaardproductiekwaliteit (P-kwaliteit) | Dummy-klasse (D-klasse) |
| Diameter | 99,5–100,0 mm | ||
| Dikte (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Waferoriëntatie | Buiten de as: 4,0° richting <11-20> ±0,5° voor 4H-N; Op de as: <0001> ±0,5° voor 4H-Si | ||
| Micropijpdichtheid (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Soortelijke weerstand (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Primaire vlakke oriëntatie | (10-10) ±5,0° | ||
| Primaire vlakke lengte | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Secundaire vlakke lengte | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Secundaire vlakke oriëntatie | Siliciumzijde naar boven: 90° CW vanaf het primaire vlak ±5,0° | ||
| Randuitsluiting | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Boogwarp | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Ruwheid (C-vlak) | Pools | Ra ≤1 nm | |
| Ruwheid (Si-vlak) | CMP | Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm |
| Randscheuren door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤10 mm; enkele lengte ≤2 mm | |
| Hex-platen door middel van licht met hoge intensiteit | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief gebied ≤0,1% |
| Polytypegebieden door middel van licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatief oppervlak ≤3% | |
| Visuele koolstofinsluitingen | Cumulatief gebied ≤0,05% | Cumulatief oppervlak ≤3% | |
| Krassen op siliciumoppervlak door licht met hoge intensiteit | Geen | Cumulatieve lengte ≤1 waferdiameter | |
| Randchips door licht met hoge intensiteit | Geen toegestaan ≥0,2 mm breedte en diepte | 5 toegestaan, elk ≤1 mm | |
| Verontreiniging van siliciumoppervlakken door hoogintensief licht | Geen | Geen | |
| Ontwrichting van de schroefdraadschroef | ≤500 cm⁻² | N.v.t. | |
| Verpakking | Multi-wafer cassette of enkele wafer container | ||
Plaatsingstijd: 30 juni 2025