Nieuws
-
De relatie tussen kristalvlakken en kristaloriëntatie.
Kristalvlakken en kristaloriëntatie zijn twee kernconcepten in de kristallografie, nauw verwant aan de kristalstructuur in op silicium gebaseerde geïntegreerde schakelingtechnologie. 1. Definitie en eigenschappen van kristaloriëntatie Kristaloriëntatie vertegenwoordigt een specifieke richting...Lees verder -
Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) processen ten opzichte van TGV?
De voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via (TSV) processen ten opzichte van TGV zijn voornamelijk: (1) uitstekende hoogfrequente elektrische eigenschappen. Glas is een isolatormateriaal, de diëlektrische constante is slechts ongeveer 1/3 van die van silicium en de verliesfactor is 2-...Lees verder -
Toepassingen van geleidende en semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraten
Het siliciumcarbidesubstraat wordt onderverdeeld in semi-isolerende en geleidende typen. De gangbare specificatie voor semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraten is momenteel 4 inch. In de geleidende siliciumcarbidema...Lees verder -
Zijn er ook verschillen in de toepassing van saffierwafers met verschillende kristaloriëntaties?
Saffier is een enkel kristal van aluminiumoxide, behoort tot het driedelige kristalsysteem, hexagonale structuur, de kristalstructuur is samengesteld uit drie zuurstofatomen en twee aluminiumatomen in covalente bindingen, zeer dicht op elkaar gerangschikt, met een sterke bindingsketen en roosterenergie, terwijl de kristalinte...Lees verder -
Wat is het verschil tussen een geleidend SiC-substraat en een semi-geïsoleerd substraat?
SiC-siliciumcarbide-apparaten verwijzen naar apparaten die gemaakt zijn van siliciumcarbide als grondstof. Afhankelijk van de verschillende weerstandseigenschappen wordt het onderverdeeld in geleidende siliciumcarbide-voedingsapparaten en semi-geïsoleerde siliciumcarbide-RF-apparaten. De belangrijkste apparaatvormen en...Lees verder -
Een artikel leidt je naar een meester van de TGV
Wat is TGV? TGV (Through-Glass via) is een technologie voor het maken van doorlopende gaten in een glazen substraat. Simpel gezegd is TGV een hoogbouw die het glas ponst, vult en van boven naar beneden verbindt om geïntegreerde schakelingen op het glazen oppervlak te bouwen.Lees verder -
Wat zijn de indicatoren voor de evaluatie van de oppervlaktekwaliteit van wafers?
Met de voortdurende ontwikkeling van halfgeleidertechnologie, zowel in de halfgeleiderindustrie als in de fotovoltaïsche industrie, zijn de eisen aan de oppervlaktekwaliteit van het wafersubstraat of epitaxiale plaat ook zeer streng. Dus, wat zijn de kwaliteitseisen voor...Lees verder -
Hoeveel weet u over het groeiproces van SiC-monokristallen?
Siliciumcarbide (SiC) speelt als halfgeleidermateriaal met een brede bandkloof een steeds belangrijkere rol in de toepassing van moderne wetenschap en technologie. Siliciumcarbide heeft een uitstekende thermische stabiliteit, een hoge elektrische veldtolerantie, een opzettelijke geleidbaarheid en...Lees verder -
De baanbrekende strijd van binnenlandse SiC-substraten
De laatste jaren speelt SiC als nieuw halfgeleidermateriaal een belangrijke rol in deze sectoren, met de voortdurende penetratie van downstream-toepassingen zoals nieuwe energievoertuigen, fotovoltaïsche energieopwekking en energieopslag. Volgens...Lees verder -
SiC MOSFET, 2300 volt.
Op 26 maart kondigde Power Cube Semi de succesvolle ontwikkeling aan van Zuid-Korea's eerste 2300V SiC (siliciumcarbide) MOSFET-halfgeleider. Vergeleken met bestaande Si (silicium) halfgeleiders, kan SiC (siliciumcarbide) hogere spanningen aan en wordt daarom geprezen als de beste halfgeleider.Lees verder -
Is het herstel van halfgeleiders slechts een illusie?
Van 2021 tot 2022 was er een snelle groei in de wereldwijde halfgeleidermarkt door de opkomst van speciale eisen als gevolg van de COVID-19-uitbraak. Echter, toen de speciale vraag als gevolg van de COVID-19-pandemie in de tweede helft van 2022 eindigde en instortte ...Lees verder -
In 2024 daalden de kapitaaluitgaven voor halfgeleiders
President Biden kondigde woensdag een overeenkomst aan om Intel $ 8,5 miljard aan directe financiering en $ 11 miljard aan leningen te verstrekken onder de CHIPS and Science Act. Intel zal deze financiering gebruiken voor zijn waferfabrieken in Arizona, Ohio, New Mexico en Oregon. Zoals gerapporteerd in onze...Lees verder