Nieuws
-
Siliciumcarbidekeramiek versus siliciumcarbide in halfgeleiders: hetzelfde materiaal met twee verschillende bestemmingen.
Siliciumcarbide (SiC) is een opmerkelijke verbinding die zowel in de halfgeleiderindustrie als in geavanceerde keramische producten wordt gebruikt. Dit leidt vaak tot verwarring bij leken, die ze ten onrechte als hetzelfde product beschouwen. Hoewel SiC een identieke chemische samenstelling heeft, vertoont het echter wel degelijk verschillen...Lees meer -
Vooruitgang in de bereidingstechnologieën van zeer zuiver siliciumcarbidekeramiek
Keramiek van siliciumcarbide (SiC) met een hoge zuiverheid is uitgegroeid tot een ideaal materiaal voor kritische componenten in de halfgeleider-, ruimtevaart- en chemische industrie vanwege de uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en mechanische sterkte. Met de toenemende vraag naar hoogwaardige, laag-polaire materialen...Lees meer -
Technische principes en processen van LED-epitaxiale wafers
Uit het werkingsprincipe van LED's blijkt duidelijk dat het epitaxiale wafermateriaal de kerncomponent van een LED vormt. Sterker nog, belangrijke opto-elektronische parameters zoals golflengte, helderheid en voorwaartse spanning worden grotendeels bepaald door het epitaxiale materiaal. Epitaxiale wafertechnologie en -apparatuur...Lees meer -
Belangrijke aandachtspunten voor de bereiding van hoogwaardige siliciumcarbide-eenkristallen
De belangrijkste methoden voor de bereiding van silicium-eenkristallen zijn: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Van deze methoden wordt de PVT-methode veelvuldig toegepast in de industriële productie vanwege de eenvoudige apparatuur en het gemak waarmee deze kan worden gebruikt.Lees meer -
Lithiumniobaat op isolator (LNOI): een drijvende kracht achter de ontwikkeling van fotonische geïntegreerde schakelingen
Inleiding Geïnspireerd door het succes van elektronische geïntegreerde schakelingen (EIC's), is het vakgebied van fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's) sinds de oprichting in 1969 in ontwikkeling. In tegenstelling tot EIC's blijft de ontwikkeling van een universeel platform dat diverse fotonische toepassingen kan ondersteunen echter een uitdaging...Lees meer -
Belangrijke aandachtspunten voor de productie van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) eenkristallen
Belangrijke overwegingen voor de productie van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) eenkristallen. De belangrijkste methoden voor het kweken van siliciumcarbide eenkristallen zijn onder andere Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical...Lees meer -
LED-epitaxiale wafertechnologie van de volgende generatie: de energiebron voor de toekomst van verlichting
LED's verlichten onze wereld, en in het hart van elke hoogwaardige LED bevindt zich de epitaxiale wafer – een cruciaal onderdeel dat de helderheid, kleur en efficiëntie bepaalt. Door de wetenschap van epitaxiale groei te beheersen, ...Lees meer -
Het einde van een tijdperk? Het faillissement van Wolfspeed hertekent het SiC-landschap.
Het faillissement van Wolfspeed markeert een belangrijk keerpunt voor de SiC-halfgeleiderindustrie. Wolfspeed, een al lang gevestigde leider in siliciumcarbide (SiC)-technologie, heeft deze week faillissement aangevraagd, wat een significante verschuiving in het wereldwijde SiC-halfgeleiderlandschap betekent. Het bedrijf...Lees meer -
Uitgebreide analyse van spanningsvorming in gesmolten kwarts: oorzaken, mechanismen en effecten
1. Thermische spanning tijdens afkoeling (hoofdoorzaak) Gesmolten kwarts genereert spanning onder niet-uniforme temperatuursomstandigheden. Bij een gegeven temperatuur bereikt de atoomstructuur van gesmolten kwarts een relatief "optimale" ruimtelijke configuratie. Naarmate de temperatuur verandert, verandert de atoomstructuur...Lees meer -
Een uitgebreide gids voor siliciumcarbide wafers/SiC wafers
Samenvatting van SiC-wafers: Siliciumcarbide (SiC)-wafers zijn uitgegroeid tot het substraat bij uitstek voor krachtige, hoogfrequente en hogetemperatuurelektronica in de automobiel-, duurzame energie- en ruimtevaartsector. Ons portfolio omvat belangrijke polytypen...Lees meer -
Een uitgebreid overzicht van dunnefilmdepositietechnieken: MOCVD, magnetron sputteren en PECVD
Bij de productie van halfgeleiders worden fotolithografie en etsen het vaakst genoemd, maar epitaxiale of dunnefilmdepositietechnieken zijn eveneens cruciaal. Dit artikel introduceert verschillende gangbare dunnefilmdepositiemethoden die worden gebruikt bij de chipfabricage, waaronder MOCVD, magnetr...Lees meer -
Saffieren thermokoppelbeschermbuizen: een vooruitgang in nauwkeurige temperatuurmeting in veeleisende industriële omgevingen.
1. Temperatuurmeting – De ruggengraat van industriële besturing. Nu moderne industrieën onder steeds complexere en extremere omstandigheden opereren, is nauwkeurige en betrouwbare temperatuurbewaking essentieel geworden. Van de verschillende sensortechnologieën worden thermokoppels veelvuldig gebruikt dankzij...Lees meer