Nieuws
-
Siliciumcarbidekeramiek versus halfgeleidersiliciumcarbide: hetzelfde materiaal met twee verschillende bestemmingen
Siliciumcarbide (SiC) is een opmerkelijke verbinding die zowel in de halfgeleiderindustrie als in geavanceerde keramische producten wordt aangetroffen. Dit leidt vaak tot verwarring bij leken, die de twee voor hetzelfde type product aanzien. In werkelijkheid vertoont SiC, hoewel het dezelfde chemische samenstelling heeft...Lees verder -
Vooruitgang in technologieën voor de bereiding van hoogzuiver siliciumcarbidekeramiek
Hoogzuiver siliciumcarbide (SiC) keramiek is uitgegroeid tot een ideaal materiaal voor kritische componenten in de halfgeleider-, lucht- en ruimtevaart- en chemische industrie vanwege hun uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en mechanische sterkte. Met de toenemende vraag naar hoogwaardige, laagpolige...Lees verder -
Technische principes en processen van LED-epitaxiale wafers
Uit het werkingsprincipe van leds blijkt dat het epitaxiale wafermateriaal de kerncomponent van een led is. Belangrijke opto-elektronische parameters zoals golflengte, helderheid en doorlaatspanning worden grotendeels bepaald door het epitaxiale materiaal. Epitaxiale wafertechnologie en -apparatuur...Lees verder -
Belangrijke overwegingen voor de bereiding van hoogwaardige siliciumcarbide-monokristallen
De belangrijkste methoden voor de bereiding van siliciumkristallen zijn: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). De PVT-methode wordt veel toegepast in de industriële productie vanwege de eenvoudige apparatuur en het gemak van ...Lees verder -
Lithium Niobaat op Isolator (LNOI): De drijvende kracht achter de vooruitgang van fotonische geïntegreerde schakelingen
Inleiding Geïnspireerd door het succes van elektronische geïntegreerde schakelingen (EIC's) heeft het vakgebied van fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's) zich sinds de start in 1969 verder ontwikkeld. In tegenstelling tot EIC's is de ontwikkeling van een universeel platform dat uiteenlopende fotonische toepassingen kan ondersteunen echter nog steeds aan de gang.Lees verder -
Belangrijke overwegingen bij de productie van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC)-kristallen
Belangrijke overwegingen bij het produceren van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC)-kristallen De belangrijkste methoden voor het kweken van siliciumcarbide-kristallen zijn onder meer Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical...Lees verder -
Epitaxiale wafertechnologie voor LED's van de volgende generatie: de toekomst van verlichting
LED's verlichten onze wereld, en de kern van elke hoogwaardige LED is de epitaxiale wafer – een cruciaal onderdeel dat de helderheid, kleur en efficiëntie bepaalt. Door de wetenschap van epitaxiale groei te beheersen, ...Lees verder -
Het einde van een tijdperk? Het faillissement van Wolfspeed verandert het SiC-landschap
Faillissement Wolfspeed markeert belangrijk keerpunt voor de SiC-halfgeleiderindustrie. Wolfspeed, al jarenlang toonaangevend in siliciumcarbide (SiC)-technologie, heeft deze week faillissement aangevraagd, wat een belangrijke verschuiving in het wereldwijde SiC-halfgeleiderlandschap markeert. Het bedrijf...Lees verder -
Uitgebreide analyse van spanningsvorming in gesmolten kwarts: oorzaken, mechanismen en effecten
1. Thermische spanning tijdens afkoeling (primaire oorzaak) Gesmolten kwarts genereert spanning onder niet-uniforme temperatuuromstandigheden. Bij elke gegeven temperatuur bereikt de atomaire structuur van gesmolten kwarts een relatief "optimale" ruimtelijke configuratie. Naarmate de temperatuur verandert, veranderen de atomaire sp...Lees verder -
Een uitgebreide gids voor siliciumcarbidewafers/SiC-wafers
De samenvatting van SiC-wafers Siliciumcarbide (SiC)-wafers zijn het substraat bij uitstek geworden voor elektronica met hoog vermogen, hoge frequenties en hoge temperaturen in de automobiel-, hernieuwbare-energie- en lucht- en ruimtevaartsector. Ons portfolio omvat belangrijke polytypen...Lees verder -
Een uitgebreid overzicht van dunnefilmdepositietechnieken: MOCVD, magnetronsputteren en PECVD
In de halfgeleiderproductie zijn fotolithografie en etsen de meest genoemde processen, maar epitaxiale of dunne-filmdepositietechnieken zijn even cruciaal. Dit artikel introduceert verschillende veelgebruikte dunne-filmdepositiemethoden die worden gebruikt bij chipfabricage, waaronder MOCVD, magnetr...Lees verder -
Saffier thermokoppel beschermingsbuizen: geavanceerde nauwkeurige temperatuurdetectie in zware industriële omgevingen
1. Temperatuurmeting – de ruggengraat van industriële besturing. Moderne industrieën opereren onder steeds complexere en extremere omstandigheden. Nauwkeurige en betrouwbare temperatuurbewaking is essentieel geworden. Van de verschillende sensortechnologieën worden thermokoppels veelvuldig toegepast dankzij...Lees verder