Nieuws
-
Hoognauwkeurige lasersnijapparatuur voor 8-inch SiC-wafers: de kerntechnologie voor toekomstige SiC-waferverwerking
Siliciumcarbide (SiC) is niet alleen een cruciale technologie voor de nationale defensie, maar ook een cruciaal materiaal voor de wereldwijde auto- en energiesector. Als eerste cruciale stap in de verwerking van SiC-monokristallen bepaalt het snijden van wafers direct de kwaliteit van het daaropvolgende verdunnen en polijsten.Lees verder -
Optische siliciumcarbide golfgeleider AR-brillen: bereiding van zeer zuivere semi-isolerende substraten
Tegen de achtergrond van de AI-revolutie dringen AR-brillen geleidelijk door tot het publieke bewustzijn. Als paradigma dat virtuele en echte werelden naadloos combineert, onderscheiden AR-brillen zich van VR-apparaten doordat gebruikers zowel digitaal geprojecteerde beelden als omgevingslicht kunnen waarnemen ...Lees verder -
Heteroepitaxiale groei van 3C-SiC op siliciumsubstraten met verschillende oriëntaties
1. Inleiding Ondanks tientallen jaren van onderzoek heeft hetero-epitaxiale 3C-SiC, gekweekt op siliciumsubstraten, nog niet voldoende kristalkwaliteit bereikt voor industriële elektronische toepassingen. De groei vindt meestal plaats op Si(100)- of Si(111)-substraten, die elk hun eigen uitdagingen met zich meebrengen: antifase-d...Lees verder -
Siliciumcarbidekeramiek versus halfgeleidersiliciumcarbide: hetzelfde materiaal met twee verschillende bestemmingen
Siliciumcarbide (SiC) is een opmerkelijke verbinding die zowel in de halfgeleiderindustrie als in geavanceerde keramische producten wordt aangetroffen. Dit leidt vaak tot verwarring bij leken, die de twee voor hetzelfde type product aanzien. In werkelijkheid vertoont SiC, hoewel het dezelfde chemische samenstelling heeft...Lees verder -
Vooruitgang in technologieën voor de bereiding van hoogzuiver siliciumcarbidekeramiek
Hoogzuiver siliciumcarbide (SiC) keramiek is uitgegroeid tot een ideaal materiaal voor kritische componenten in de halfgeleider-, lucht- en ruimtevaart- en chemische industrie vanwege hun uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en mechanische sterkte. Met de toenemende vraag naar hoogwaardige, laagpolige...Lees verder -
Technische principes en processen van LED-epitaxiale wafers
Uit het werkingsprincipe van leds blijkt dat het epitaxiale wafermateriaal de kerncomponent van een led is. Belangrijke opto-elektronische parameters zoals golflengte, helderheid en doorlaatspanning worden grotendeels bepaald door het epitaxiale materiaal. Epitaxiale wafertechnologie en -apparatuur...Lees verder -
Belangrijke overwegingen voor de bereiding van hoogwaardige siliciumcarbide-monokristallen
De belangrijkste methoden voor de bereiding van siliciumkristallen zijn: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). De PVT-methode wordt veel toegepast in de industriële productie vanwege de eenvoudige apparatuur en het gemak van ...Lees verder -
Lithium Niobaat op Isolator (LNOI): De drijvende kracht achter de vooruitgang van fotonische geïntegreerde schakelingen
Inleiding Geïnspireerd door het succes van elektronische geïntegreerde schakelingen (EIC's) heeft het vakgebied van fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's) zich sinds de start in 1969 verder ontwikkeld. In tegenstelling tot EIC's is de ontwikkeling van een universeel platform dat uiteenlopende fotonische toepassingen kan ondersteunen echter nog steeds aan de gang.Lees verder -
Belangrijke overwegingen bij de productie van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC)-kristallen
Belangrijke overwegingen bij het produceren van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC)-kristallen De belangrijkste methoden voor het kweken van siliciumcarbide-kristallen zijn onder meer Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) en High-Temperature Chemical...Lees verder -
Epitaxiale wafertechnologie voor LED's van de volgende generatie: de toekomst van verlichting
LED's verlichten onze wereld, en de kern van elke hoogwaardige LED is de epitaxiale wafer – een cruciaal onderdeel dat de helderheid, kleur en efficiëntie bepaalt. Door de wetenschap van epitaxiale groei te beheersen, ...Lees verder -
Het einde van een tijdperk? Het faillissement van Wolfspeed verandert het SiC-landschap
Faillissement Wolfspeed markeert belangrijk keerpunt voor de SiC-halfgeleiderindustrie. Wolfspeed, al jarenlang toonaangevend in siliciumcarbide (SiC)-technologie, heeft deze week faillissement aangevraagd, wat een belangrijke verschuiving in het wereldwijde SiC-halfgeleiderlandschap markeert. Het bedrijf...Lees verder -
Uitgebreide analyse van spanningsvorming in gesmolten kwarts: oorzaken, mechanismen en effecten
1. Thermische spanning tijdens afkoeling (primaire oorzaak) Gesmolten kwarts genereert spanning onder niet-uniforme temperatuuromstandigheden. Bij elke gegeven temperatuur bereikt de atomaire structuur van gesmolten kwarts een relatief "optimale" ruimtelijke configuratie. Naarmate de temperatuur verandert, veranderen de atomaire sp...Lees verder