Nieuws
-
LiTaO3 Wafer PIC - Lithium-tantalaat-op-isolator-golfgeleider met laag verlies voor niet-lineaire fotonica op de chip
Samenvatting: We hebben een op isolator gebaseerde lithiumtantalaatgolfgeleider van 1550 nm ontwikkeld met een verlies van 0,28 dB/cm en een ringresonatorkwaliteitsfactor van 1,1 miljoen. De toepassing van χ(3) niet-lineariteit in niet-lineaire fotonica is bestudeerd. De voordelen van lithiumniobaat...Lees meer -
XKH-Kennis delen-Wat is technologie voor het in blokjes snijden van wafels?
De technologie voor het in blokjes snijden van wafels is een cruciale stap in het productieproces van halfgeleiders en houdt rechtstreeks verband met de chipprestaties, opbrengst en productiekosten. #01 Achtergrond en betekenis van Wafer Dicing 1.1 Definitie van Wafer Dicing Wafer Dicing (ook bekend als scri...Lees meer -
Dunnefilmlithiumtantalaat (LTOI): het volgende stermateriaal voor hogesnelheidsmodulatoren?
Dunne-film lithiumtantalaat (LTOI)-materiaal komt naar voren als een belangrijke nieuwe kracht op het gebied van geïntegreerde optica. Dit jaar zijn er verschillende werken op hoog niveau over LTOI-modulatoren gepubliceerd, met hoogwaardige LTOI-wafels geleverd door professor Xin Ou van de Shanghai Ins...Lees meer -
Diep inzicht in het SPC-systeem bij de productie van wafers
SPC (Statistical Process Control) is een cruciaal hulpmiddel in het waferproductieproces en wordt gebruikt om de stabiliteit van verschillende productiefasen te bewaken, controleren en verbeteren. 1. Overzicht van het SPC-systeem SPC is een methode die gebruik maakt van sta...Lees meer -
Waarom wordt epitaxie uitgevoerd op een wafersubstraat?
Het laten groeien van een extra laag siliciumatomen op een siliciumwafelsubstraat heeft verschillende voordelen: Bij CMOS-siliciumprocessen is epitaxiale groei (EPI) op het wafersubstraat een kritische processtap. 1, Verbetering van de kristalkwaliteit...Lees meer -
Principes, processen, methoden en apparatuur voor het reinigen van wafels
Nat reinigen (Wet Clean) is een van de cruciale stappen in de productieprocessen van halfgeleiders, gericht op het verwijderen van verschillende verontreinigingen van het oppervlak van de wafer om ervoor te zorgen dat daaropvolgende processtappen op een schoon oppervlak kunnen worden uitgevoerd. ...Lees meer -
De relatie tussen kristalvlakken en kristaloriëntatie.
Kristalvlakken en kristaloriëntatie zijn twee kernconcepten in de kristallografie, nauw verwant aan de kristalstructuur in op silicium gebaseerde geïntegreerde schakelingentechnologie. 1.Definitie en eigenschappen van kristaloriëntatie Kristaloriëntatie vertegenwoordigt een specifieke richting...Lees meer -
Wat zijn de voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via, TSV (TSV) -processen ten opzichte van TGV？
De voordelen van Through Glass Via (TGV) en Through Silicon Via (TSV) -processen ten opzichte van TGV zijn voornamelijk: (1) uitstekende hoogfrequente elektrische eigenschappen. Glasmateriaal is een isolatormateriaal, de diëlektrische constante is slechts ongeveer 1/3 van die van siliciummateriaal en de verliesfactor is 2-...Lees meer -
Geleidende en semi-geïsoleerde siliciumcarbidesubstraattoepassingen
Het siliciumcarbidesubstraat is verdeeld in semi-isolerend type en geleidend type. Momenteel is de reguliere specificatie van halfgeïsoleerde siliciumcarbidesubstraatproducten 4 inch. In de geleidende siliciumcarbidema...Lees meer -
Zijn er ook verschillen in de toepassing van saffierwafels met verschillende kristaloriëntaties?
Saffier is een enkel kristal van aluminiumoxide, behoort tot het tripartiete kristalsysteem, de hexagonale structuur, de kristalstructuur is samengesteld uit drie zuurstofatomen en twee aluminiumatomen in het covalente bindingstype, zeer nauw gerangschikt, met een sterke bindingsketen en roosterenergie, terwijl zijn kristal inte...Lees meer -
Wat is het verschil tussen SiC-geleidend substraat en semi-geïsoleerd substraat?
SiC-siliciumcarbide-apparaat verwijst naar het apparaat gemaakt van siliciumcarbide als grondstof. Volgens de verschillende weerstandseigenschappen is het verdeeld in geleidende siliciumcarbide-vermogensapparaten en halfgeïsoleerde siliciumcarbide RF-apparaten. Hoofdapparaatformulieren en...Lees meer -
Een artikel leidt u naar een meester in TGV
Wat is TGV? TGV, (Through-Glass via), een technologie voor het creëren van doorlopende gaten in een glassubstraat. Simpel gezegd is TGV een hoog gebouw dat het glas ponst, vult en op en neer verbindt om geïntegreerde schakelingen op het glas te bouwen fl...Lees meer