InSb wafer 2inch 3inch ongedoteerd Ntype P-type oriëntatie 111 100 voor infrarooddetectoren

Korte beschrijving:

Indiumantimonide (InSb) wafers zijn belangrijke materialen voor infrarooddetectietechnologieën vanwege hun smalle bandgap en hoge elektronenmobiliteit. Deze wafers zijn verkrijgbaar in diameters van 2 inch en 3 inch en worden aangeboden in ongedoteerde, N-type en P-type varianten. De wafers worden vervaardigd met oriëntaties van 100 en 111, wat flexibiliteit biedt voor diverse infrarooddetectie- en halfgeleidertoepassingen. De hoge gevoeligheid en lage ruis van InSb-wafers maken ze ideaal voor gebruik in detectoren voor middengolf-infrarood (MWIR), infraroodbeeldvormingssystemen en andere opto-elektronische toepassingen die precisie en hoge prestaties vereisen.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Functies

Dopingopties:
1. Ongedopeerd:Deze wafers bevatten geen dopingmiddelen en worden voornamelijk gebruikt voor gespecialiseerde toepassingen zoals epitaxiale groei, waarbij de wafer als een zuiver substraat fungeert.
2.N-type (Te-gedopeerd):Tellurium (Te)-doping wordt gebruikt om N-type wafers te maken, die een hoge elektronenmobiliteit bieden en ze geschikt maken voor infrarooddetectoren, snelle elektronica en andere toepassingen waarbij een efficiënte elektronenstroom vereist is.
3.P-type (Ge-gedopeerd):Germanium (Ge)-doping wordt gebruikt om P-type wafers te maken, die een hoge gatmobiliteit bieden en uitstekende prestaties leveren voor infraroodsensoren en fotodetectoren.

Maatopties:
1. De wafers zijn verkrijgbaar in diameters van 2 en 3 inch. Dit garandeert compatibiliteit met diverse halfgeleiderfabricageprocessen en -apparaten.
2. De 2-inch wafer heeft een diameter van 50,8 ± 0,3 mm, terwijl de 3-inch wafer een diameter van 76,2 ± 0,3 mm heeft.

Oriëntatie:
1. De wafers zijn verkrijgbaar met de oriëntaties 100 en 111. De oriëntatie 100 is ideaal voor snelle elektronica en infrarooddetectoren, terwijl de oriëntatie 111 vaak wordt gebruikt voor apparaten die specifieke elektrische of optische eigenschappen vereisen.

Oppervlaktekwaliteit:
1. Deze wafers worden geleverd met gepolijste/geëtste oppervlakken voor een uitstekende kwaliteit, waardoor optimale prestaties mogelijk zijn in toepassingen die nauwkeurige optische of elektrische eigenschappen vereisen.
2. De oppervlaktevoorbereiding zorgt voor een lage defectdichtheid, waardoor deze wafers ideaal zijn voor infrarooddetectietoepassingen waarbij consistente prestaties van cruciaal belang zijn.

Epi-Ready:
1. Deze wafers zijn epi-ready, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen waarbij epitaxiale groei vereist is en waarbij extra lagen materiaal op de wafer worden afgezet voor de productie van geavanceerde halfgeleiders of opto-elektronische apparaten.

Toepassingen

1. Infrarooddetectoren:InSb-wafers worden veel gebruikt bij de productie van infrarooddetectoren, met name in het middengolf-infrarood (MWIR). Ze zijn essentieel voor nachtzichtsystemen, warmtebeeldtechnologie en militaire toepassingen.
2. Infraroodbeeldsystemen:De hoge gevoeligheid van InSb-wafers maakt nauwkeurige infraroodbeelden mogelijk in verschillende sectoren, waaronder beveiliging, bewaking en wetenschappelijk onderzoek.
3. Hogesnelheidselektronica:Vanwege hun hoge elektronenmobiliteit worden deze wafers gebruikt in geavanceerde elektronische apparaten, zoals snelle transistors en opto-elektronische apparaten.
4.Quantum Well-apparaten:InSb-wafers zijn ideaal voor kwantumputtoepassingen in lasers, detectoren en andere opto-elektronische systemen.

Productparameters

Parameter	2 inch	3 inch
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Dikte	500±5μm	650±5μm
Oppervlak	Gepolijst/geëtst	Gepolijst/geëtst
Dopingtype	Ongedoopt, Te-gedoopt (N), Ge-gedoopt (P)	Ongedoopt, Te-gedoopt (N), Ge-gedoopt (P)
Oriëntatie	100, 111	100, 111
Pakket	Enkel	Enkel
Epi-Ready	Ja	Ja

Elektrische parameters voor Te-gedopeerd (N-type):

Mobiliteit: 2000-5000 cm²/V·s
Weerstand: (1-1000) Ω·cm
EPD (Defectdichtheid): ≤2000 defecten/cm²

Elektrische parameters voor Ge-gedopeerd (P-type):

Mobiliteit: 4000-8000 cm²/V·s
Weerstand: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Defectdichtheid): ≤2000 defecten/cm²

Vragen en antwoorden (Veelgestelde vragen)

Vraag 1: Wat is het ideale dopingtype voor infrarooddetectietoepassingen?

A1:Te-gedopeerd (N-type)Wafers zijn doorgaans de ideale keuze voor infrarooddetectietoepassingen, omdat ze een hoge elektronenmobiliteit en uitstekende prestaties bieden in MWIR-detectoren (Midden-Wave-Infrared) en beeldvormingssystemen.

V2: Kan ik deze wafers gebruiken voor elektronische toepassingen met hoge snelheid?

A2: Ja, InSb-wafers, vooral die metN-type dopingen de100 oriëntatiezijn vanwege hun hoge elektronenmobiliteit zeer geschikt voor snelle elektronica zoals transistoren, kwantumputten en opto-elektronische componenten.

Vraag 3: Wat zijn de verschillen tussen de 100- en 111-oriëntaties voor InSb-wafers?

A3: De100oriëntatie wordt vaak gebruikt voor apparaten die hoge elektronische prestaties vereisen, terwijl de111Oriëntatie wordt vaak gebruikt voor specifieke toepassingen die verschillende elektrische of optische eigenschappen vereisen, waaronder bepaalde opto-elektronische apparaten en sensoren.

V4: Wat is de betekenis van de Epi-Ready-functie voor InSb-wafers?

A4: DeEpi-ReadyDeze eigenschap betekent dat de wafer is voorbehandeld voor epitaxiale depositieprocessen. Dit is cruciaal voor toepassingen waarbij extra materiaallagen op de wafer moeten worden aangebracht, zoals bij de productie van geavanceerde halfgeleiders of opto-elektronische apparaten.

V5: Wat zijn de typische toepassingen van InSb-wafers op het gebied van infraroodtechnologie?

A5: InSb-wafers worden voornamelijk gebruikt voor infrarooddetectie, thermische beeldvorming, nachtzichtsystemen en andere infraroodsensortechnologieën. Hun hoge gevoeligheid en lage ruis maken ze ideaal voormiddengolf-infrarood (MWIR)detectoren.

V6: Welke invloed heeft de dikte van de wafer op de prestaties?

A6: De dikte van de wafer speelt een cruciale rol in de mechanische stabiliteit en elektrische eigenschappen ervan. Dunnere wafers worden vaak gebruikt in gevoeligere toepassingen waar nauwkeurige controle over de materiaaleigenschappen vereist is, terwijl dikkere wafers een hogere duurzaamheid bieden voor bepaalde industriële toepassingen.

V7: Hoe kies ik de juiste wafergrootte voor mijn toepassing?

A7: De juiste wafergrootte hangt af van het specifieke apparaat of systeem dat wordt ontworpen. Kleinere wafers (2 inch) worden vaak gebruikt voor onderzoek en kleinschalige toepassingen, terwijl grotere wafers (3 inch) doorgaans worden gebruikt voor massaproductie en grotere apparaten die meer materiaal vereisen.

Conclusie

InSb-wafers in2 inchEn3 inchmaten, metongedopeerd, N-type, EnP-typevariaties, zijn zeer waardevol in halfgeleider- en opto-elektronische toepassingen, met name in infrarooddetectiesystemen. De100En111De oriëntaties bieden flexibiliteit voor diverse technologische behoeften, van snelle elektronica tot infraroodbeeldvormingssystemen. Met hun uitzonderlijke elektronenmobiliteit, lage ruis en nauwkeurige oppervlaktekwaliteit zijn deze wafers ideaal voordetectoren voor infrarood met een gemiddelde golflengteen andere toepassingen met hoge prestaties.