HPSI SiC wafer diameter: 3 inch dikte: 350 µm ± 25 µm voor vermogenselektronica

Korte beschrijving:

De HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC-wafer met een diameter van 3 inch en een dikte van 350 µm ± 25 µm is speciaal ontworpen voor toepassingen in de vermogenselektronica die hoogwaardige substraten vereisen. Deze SiC-wafer biedt superieure thermische geleidbaarheid, een hoge doorslagspanning en efficiëntie bij hoge bedrijfstemperaturen, waardoor het een ideale keuze is voor de groeiende vraag naar energiezuinige en robuuste vermogenselektronica. SiC-wafers zijn bijzonder geschikt voor toepassingen met hoge spanning, hoge stroomsterkte en hoge frequenties, waar traditionele siliciumsubstraten niet aan de operationele eisen voldoen.
Onze HPSI SiC-wafer, vervaardigd met behulp van de nieuwste toonaangevende technieken, is verkrijgbaar in verschillende kwaliteiten, elk ontworpen om te voldoen aan specifieke productie-eisen. De wafer vertoont een uitstekende structurele integriteit, elektrische eigenschappen en oppervlaktekwaliteit, waardoor hij betrouwbare prestaties levert in veeleisende toepassingen, waaronder vermogenshalfgeleiders, elektrische voertuigen (EV's), systemen voor hernieuwbare energie en industriële energieomzetting.

Stuur ons een e-mail

Functies

Sollicitatie

HPSI SiC-wafers worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen in de vermogenselektronica, waaronder:

Vermogenhalfgeleiders:SiC-wafers worden veel gebruikt bij de productie van vermogensdiodes, transistors (MOSFET's, IGBT's) en thyristors. Deze halfgeleiders worden veel gebruikt in toepassingen voor vermogensomzetting die een hoge efficiëntie en betrouwbaarheid vereisen, zoals in industriële motoraandrijvingen, voedingen en omvormers voor hernieuwbare energiesystemen.
Elektrische voertuigen (EV's):In de aandrijflijn van elektrische voertuigen zorgen SiC-gebaseerde vermogenscomponenten voor snellere schakelsnelheden, een hogere energie-efficiëntie en minder thermische verliezen. SiC-componenten zijn ideaal voor toepassingen in batterijbeheersystemen (BMS), laadinfrastructuur en on-board laders (OBC's), waar het minimaliseren van het gewicht en het maximaliseren van de energieomzettingsefficiëntie cruciaal zijn.

Hernieuwbare energiesystemen:SiC-wafers worden steeds vaker gebruikt in zonne-omvormers, windturbinegeneratoren en energieopslagsystemen, waar hoge efficiëntie en robuustheid essentieel zijn. Componenten op basis van SiC maken een hogere vermogensdichtheid en verbeterde prestaties mogelijk in deze toepassingen, waardoor de algehele energieomzettingsefficiëntie verbetert.

Industriële vermogenselektronica:In industriële toepassingen met hoge prestaties, zoals motoraandrijvingen, robotica en grootschalige voedingen, zorgt het gebruik van SiC-wafers voor verbeterde prestaties op het gebied van efficiëntie, betrouwbaarheid en thermisch beheer. SiC-componenten kunnen hoge schakelfrequenties en hoge temperaturen aan, waardoor ze geschikt zijn voor veeleisende omgevingen.

Telecommunicatie en datacentra:SiC wordt gebruikt in voedingen voor telecommunicatieapparatuur en datacenters, waar hoge betrouwbaarheid en efficiënte stroomconversie cruciaal zijn. SiC-gebaseerde voedingen maken een hogere efficiëntie mogelijk bij kleinere formaten, wat zich vertaalt in een lager stroomverbruik en een betere koeling in grootschalige infrastructuren.

Dankzij de hoge doorslagspanning, lage aan-weerstand en uitstekende thermische geleidbaarheid vormen SiC-wafers het ideale substraat voor deze geavanceerde toepassingen en maken ze de ontwikkeling van energiezuinige vermogenselektronica van de volgende generatie mogelijk.

Eigenschappen

Eigendom	Waarde
Waferdiameter	3 inch (76,2 mm)
Waferdikte	350 µm ± 25 µm
Waferoriëntatie	<0001> op de as ± 0,5°
Micropijpdichtheid (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Elektrische weerstand	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Ongedopeerd
Primaire vlakke oriëntatie	{11-20} ± 5,0°
Primaire vlakke lengte	32,5 mm ± 3,0 mm
Secundaire vlakke lengte	18,0 mm ± 2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie	Si-zijde naar boven: 90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°
Randuitsluiting	3 mm
LTV/TTV/Boog/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Oppervlakteruwheid	C-vlak: gepolijst, Si-vlak: CMP
Scheuren (geïnspecteerd met behulp van licht met hoge intensiteit)	Geen
Hex-platen (geïnspecteerd met licht van hoge intensiteit)	Geen
Polytypegebieden (geïnspecteerd met licht van hoge intensiteit)	Cumulatief oppervlak 5%
Krassen (geïnspecteerd met behulp van licht met hoge intensiteit)	≤ 5 krassen, cumulatieve lengte ≤ 150 mm
Randafbrokkeling	Niet toegestaan ≥ 0,5 mm breedte en diepte
Oppervlakteverontreiniging (geïnspecteerd met behulp van licht met hoge intensiteit)	Geen

Belangrijkste voordelen

Hoge thermische geleidbaarheid:SiC-wafers staan bekend om hun uitzonderlijke warmteafvoer, waardoor apparaten met een hogere efficiëntie kunnen werken en hogere stromen kunnen verwerken zonder oververhit te raken. Deze eigenschap is cruciaal in vermogenselektronica, waar warmtebeheer een aanzienlijke uitdaging vormt.
Hoge doorslagspanning:Dankzij de grote bandgap van SiC kunnen apparaten hogere spanningsniveaus aan, waardoor ze ideaal zijn voor hoogspanningstoepassingen zoals elektriciteitsnetten, elektrische voertuigen en industriële machines.
Hoge efficiëntie:De combinatie van hoge schakelfrequenties en lage inschakelweerstand resulteert in apparaten met minder energieverlies. Hierdoor wordt de algehele efficiëntie van de vermogensomzetting verbeterd en is er minder behoefte aan complexe koelsystemen.
Betrouwbaarheid in zware omstandigheden:SiC kan bij hoge temperaturen (tot 600°C) functioneren en is daardoor geschikt voor gebruik in omgevingen waarin traditionele siliciumapparaten anders beschadigd zouden raken.
Energiebesparing:SiC-voedingen verbeteren de energieomzettingsefficiëntie, wat van cruciaal belang is voor het terugdringen van het energieverbruik, met name in grote systemen zoals industriële vermogensomvormers, elektrische voertuigen en infrastructuur voor hernieuwbare energie.