HPSI SiC wafer dia: 3 inch dikte: 350um ± 25 µm voor vermogenselektronica

Korte beschrijving:

De HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC-wafel met een diameter van 3 inch en een dikte van 350 µm ± 25 µm is speciaal ontworpen voor vermogenselektronica-toepassingen die hoogwaardige substraten vereisen. Deze SiC-wafer biedt superieure thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning en efficiëntie bij hoge bedrijfstemperaturen, waardoor het een ideale keuze is voor de groeiende vraag naar energiezuinige en robuuste vermogenselektronica. SiC-wafels zijn bijzonder geschikt voor toepassingen met hoge spanning, hoge stroomsterkte en hoge frequentie, waarbij traditionele siliciumsubstraten niet aan de operationele eisen voldoen.
Onze HPSI SiC-wafel, vervaardigd met behulp van de nieuwste toonaangevende technieken, is verkrijgbaar in verschillende kwaliteiten, elk ontworpen om aan specifieke productievereisten te voldoen. De wafer vertoont uitstekende structurele integriteit, elektrische eigenschappen en oppervlaktekwaliteit, waardoor hij betrouwbare prestaties kan leveren in veeleisende toepassingen, waaronder vermogenshalfgeleiders, elektrische voertuigen (EV's), duurzame energiesystemen en industriële energieconversie.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Sollicitatie

HPSI SiC-wafels worden gebruikt in een breed scala aan vermogenselektronica-toepassingen, waaronder:

Vermogenshalfgeleiders:SiC-wafels worden vaak gebruikt bij de productie van vermogensdiodes, transistors (MOSFET's, IGBT's) en thyristors. Deze halfgeleiders worden veel gebruikt in toepassingen voor stroomconversie die een hoge efficiëntie en betrouwbaarheid vereisen, zoals in industriële motoraandrijvingen, voedingen en omvormers voor duurzame energiesystemen.
Elektrische voertuigen (EV's):In aandrijflijnen van elektrische voertuigen zorgen SiC-gebaseerde voedingsapparaten voor snellere schakelsnelheden, hogere energie-efficiëntie en verminderde thermische verliezen. SiC-componenten zijn ideaal voor toepassingen in batterijbeheersystemen (BMS), laadinfrastructuur en ingebouwde laders (OBC's), waarbij het minimaliseren van het gewicht en het maximaliseren van de energieconversie-efficiëntie van cruciaal belang zijn.

Hernieuwbare energiesystemen:SiC-wafels worden steeds vaker gebruikt in zonne-energie-omvormers, windturbinegeneratoren en energieopslagsystemen, waarbij hoge efficiëntie en robuustheid essentieel zijn. Op SiC gebaseerde componenten maken een hogere vermogensdichtheid en betere prestaties in deze toepassingen mogelijk, waardoor de algehele energieconversie-efficiëntie wordt verbeterd.

Industriële vermogenselektronica:In hoogwaardige industriële toepassingen, zoals motoraandrijvingen, robotica en grootschalige voedingen, zorgt het gebruik van SiC-wafels voor betere prestaties op het gebied van efficiëntie, betrouwbaarheid en thermisch beheer. SiC-apparaten kunnen hoge schakelfrequenties en hoge temperaturen aan, waardoor ze geschikt zijn voor veeleisende omgevingen.

Telecommunicatie- en datacentra:SiC wordt gebruikt in voedingen voor telecommunicatieapparatuur en datacenters, waar hoge betrouwbaarheid en efficiënte stroomconversie cruciaal zijn. Op SiC gebaseerde energieapparaten maken een hogere efficiëntie bij kleinere afmetingen mogelijk, wat zich vertaalt in een lager energieverbruik en een betere koelefficiëntie in grootschalige infrastructuren.

De hoge doorslagspanning, de lage aan-weerstand en de uitstekende thermische geleidbaarheid van SiC-wafels maken ze tot het ideale substraat voor deze geavanceerde toepassingen, waardoor de ontwikkeling van energie-efficiënte vermogenselektronica van de volgende generatie mogelijk wordt.

Eigenschappen

Eigendom	Waarde
Diameter wafeltje	3 inch (76,2 mm)
Wafeldikte	350 µm ± 25 µm
Waferoriëntatie	<0001> op de as ± 0,5°
Microbuisdichtheid (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Elektrische weerstand	≥ 1E7 Ω·cm
Doteringsmiddel	Ongedoteerd
Primaire vlakke oriëntatie	{11-20} ± 5,0°
Primaire platte lengte	32,5 mm±3,0 mm
Secundaire platte lengte	18,0 mm ± 2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie	Si naar boven gericht: 90° CW vanaf primair vlak ± 5,0°
Randuitsluiting	3 mm
LTV/TTV/Boog/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Oppervlakteruwheid	C-vlak: gepolijst, Si-vlak: CMP
Scheuren (geïnspecteerd door licht van hoge intensiteit)	Geen
Hex-platen (geïnspecteerd door licht van hoge intensiteit)	Geen
Polytype gebieden (geïnspecteerd door licht van hoge intensiteit)	Cumulatief gebied 5%
Krassen (geïnspecteerd door licht van hoge intensiteit)	≤ 5 krassen, cumulatieve lengte ≤ 150 mm
Rand chippen	Geen toegestaan ≥ 0,5 mm breedte en diepte
Oppervlakteverontreiniging (geïnspecteerd door licht van hoge intensiteit)	Geen

Belangrijkste voordelen

Hoge thermische geleidbaarheid:SiC-wafels staan bekend om hun uitzonderlijke vermogen om warmte af te voeren, waardoor elektrische apparaten met een hogere efficiëntie kunnen werken en hogere stromen kunnen verwerken zonder oververhitting. Deze functie is cruciaal in vermogenselektronica waar warmtebeheer een grote uitdaging is.
Hoge doorslagspanning:Door de grote bandafstand van SiC kunnen apparaten hogere spanningsniveaus verdragen, waardoor ze ideaal zijn voor hoogspanningstoepassingen zoals elektriciteitsnetten, elektrische voertuigen en industriële machines.
Hoog rendement:De combinatie van hoge schakelfrequenties en lage aan-weerstand resulteert in apparaten met een lager energieverlies, waardoor de algehele efficiëntie van de stroomconversie wordt verbeterd en de behoefte aan complexe koelsystemen wordt verminderd.
Betrouwbaarheid in zware omgevingen:SiC kan werken bij hoge temperaturen (tot 600°C), waardoor het geschikt is voor gebruik in omgevingen die anders traditionele op silicium gebaseerde apparaten zouden beschadigen.
Energiebesparing:SiC-stroomapparaten verbeteren de energieomzettingsefficiëntie, wat van cruciaal belang is bij het verminderen van het energieverbruik, vooral in grote systemen zoals industriële stroomomvormers, elektrische voertuigen en infrastructuur voor hernieuwbare energie.