HPSI SiC-wafer met een diameter van 3 inch en een dikte van 350 µm ± 25 µm voor vermogenselektronica.

Korte beschrijving:

De HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC-wafer met een diameter van 3 inch en een dikte van 350 µm ± 25 µm is speciaal ontworpen voor vermogenselektronica-toepassingen die hoogwaardige substraten vereisen. Deze SiC-wafer biedt superieure thermische geleidbaarheid, een hoge doorslagspanning en een hoog rendement bij hoge bedrijfstemperaturen, waardoor het een ideale keuze is voor de groeiende vraag naar energiezuinige en robuuste vermogenselektronica. SiC-wafers zijn met name geschikt voor toepassingen met hoge spanning, hoge stroomsterkte en hoge frequentie, waar traditionele siliciumsubstraten niet aan de operationele eisen voldoen.
Onze HPSI SiC-wafer, vervaardigd met behulp van de nieuwste, toonaangevende technieken, is verkrijgbaar in verschillende kwaliteiten, elk ontworpen om te voldoen aan specifieke productie-eisen. De wafer vertoont een uitstekende structurele integriteit, elektrische eigenschappen en oppervlaktekwaliteit, waardoor betrouwbare prestaties gegarandeerd zijn in veeleisende toepassingen, waaronder vermogenshalfgeleiders, elektrische voertuigen (EV's), systemen voor hernieuwbare energie en industriële energieconversie.

Stuur ons een e-mail.

Functies

Sollicitatie

HPSI SiC-wafers worden gebruikt in een breed scala aan vermogenselektronica-toepassingen, waaronder:

Vermogenshalfgeleiders:SiC-wafers worden veelvuldig gebruikt bij de productie van vermogensdiodes, transistoren (MOSFET's, IGBT's) en thyristoren. Deze halfgeleiders worden op grote schaal toegepast in energieomzettingssystemen die een hoog rendement en betrouwbaarheid vereisen, zoals industriële motoraandrijvingen, voedingen en omvormers voor systemen voor hernieuwbare energie.
Elektrische voertuigen (EV's):In aandrijfsystemen voor elektrische voertuigen bieden SiC-gebaseerde vermogenscomponenten snellere schakelsnelheden, een hogere energie-efficiëntie en lagere warmteverliezen. SiC-componenten zijn ideaal voor toepassingen in batterijbeheersystemen (BMS), laadinfrastructuur en boordladers (OBC's), waar gewichtsminimalisatie en maximale energieomzettingsrendement cruciaal zijn.

Hernieuwbare energiesystemen:SiC-wafers worden steeds vaker gebruikt in zonne-omvormers, windturbines en energieopslagsystemen, waar een hoog rendement en robuustheid essentieel zijn. Componenten op basis van SiC maken een hogere vermogensdichtheid en betere prestaties mogelijk in deze toepassingen, waardoor het algehele energieomzettingsrendement verbetert.

Industriële vermogenselektronica:In hoogwaardige industriële toepassingen, zoals motorsturingen, robotica en grootschalige voedingen, maakt het gebruik van SiC-wafers betere prestaties mogelijk op het gebied van efficiëntie, betrouwbaarheid en thermisch beheer. SiC-componenten kunnen hoge schakelfrequenties en hoge temperaturen aan, waardoor ze geschikt zijn voor veeleisende omgevingen.

Telecommunicatie en datacenters:SiC wordt gebruikt in voedingen voor telecommunicatieapparatuur en datacenters, waar hoge betrouwbaarheid en efficiënte energieomzetting cruciaal zijn. Op SiC gebaseerde vermogenscomponenten maken een hogere efficiëntie mogelijk bij kleinere afmetingen, wat zich vertaalt in een lager energieverbruik en een betere koeling in grootschalige infrastructuren.

De hoge doorslagspanning, lage aanweerstand en uitstekende thermische geleidbaarheid van SiC-wafers maken ze tot het ideale substraat voor deze geavanceerde toepassingen, waardoor de ontwikkeling van de volgende generatie energiezuinige vermogenselektronica mogelijk wordt.

Eigenschappen

Eigendom	Waarde
Waferdiameter	3 inch (76,2 mm)
Waferdikte	350 µm ± 25 µm
Waferoriëntatie	<0001> op de as ± 0,5°
Micropipe-dichtheid (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Elektrische weerstand	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Ongedopeerd
Primaire vlakke oriëntatie	{11-20} ± 5,0°
Primaire vlakke lengte	32,5 mm ± 3,0 mm
Secundaire vlakke lengte	18,0 mm ± 2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie	Si-vlak naar boven: 90° met de klok mee ten opzichte van het primaire vlak ± 5,0°
Randuitsluiting	3 mm
LTV/TTV/Boog/Kromtrekken	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Oppervlakteruwheid	C-vlak: Gepolijst, Si-vlak: CMP
Scheuren (gecontroleerd met behulp van een lamp met hoge intensiteit)	Geen
Hex-platen (gecontroleerd met een lamp met hoge intensiteit)	Geen
Polytypegebieden (geïnspecteerd met licht van hoge intensiteit)	Cumulatief oppervlak 5%
Krassen (gecontroleerd onder fel licht)	≤ 5 krassen, totale lengte ≤ 150 mm
Randafschilfering	Niet toegestaan met een breedte en diepte van ≥ 0,5 mm.
Oppervlakteverontreiniging (gecontroleerd met behulp van een lamp met hoge intensiteit)	Geen

Belangrijkste voordelen

Hoge thermische geleidbaarheid:SiC-wafers staan bekend om hun uitzonderlijke vermogen om warmte af te voeren, waardoor vermogenscomponenten efficiënter kunnen werken en hogere stromen aankunnen zonder oververhitting. Deze eigenschap is cruciaal in vermogenselektronica, waar warmtebeheer een grote uitdaging vormt.
Hoge doorslagspanning:De brede bandgap van SiC maakt het mogelijk dat apparaten hogere spanningsniveaus verdragen, waardoor ze ideaal zijn voor hoogspanningsapplicaties zoals elektriciteitsnetten, elektrische voertuigen en industriële machines.
Hoge efficiëntie:De combinatie van hoge schakelfrequenties en een lage aanweerstand resulteert in apparaten met minder energieverlies, waardoor de algehele efficiëntie van de energieomzetting verbetert en de behoefte aan complexe koelsystemen afneemt.
Betrouwbaarheid in zware omstandigheden:SiC kan bij hoge temperaturen (tot 600 °C) functioneren, waardoor het geschikt is voor gebruik in omgevingen die traditionele siliciumgebaseerde apparaten anders zouden beschadigen.
Energiebesparing:SiC-vermogenscomponenten verbeteren de energieomzettingsrendement, wat cruciaal is voor het verminderen van het energieverbruik, met name in grote systemen zoals industriële stroomomvormers, elektrische voertuigen en infrastructuur voor hernieuwbare energie.