Galliumnitride op siliciumwafer 4 inch 6 inch Op maat gemaakte Si-substraatoriëntatie, soortelijke weerstand en N-type/P-type opties
Functies
●Brede bandgap:GaN (3,4 eV) biedt een aanzienlijke verbetering op het gebied van hoge frequentie-, hoogvermogen- en hogetemperatuurprestaties vergeleken met traditioneel silicium. Hierdoor is het ideaal voor vermogensapparaten en RF-versterkers.
●Aanpasbare Si-substraatoriëntatie:Kies uit verschillende Si-substraatoriëntaties, zoals <111>, <100> en andere, om aan de specifieke vereisten van het apparaat te voldoen.
● Aangepaste weerstand:Selecteer uit verschillende weerstandsopties voor Si, van semi-isolerend tot hoge en lage weerstand om de prestaties van het apparaat te optimaliseren.
●Dopingtype:Verkrijgbaar in N-type of P-type doping om te voldoen aan de vereisten van vermogensapparaten, RF-transistors of LED's.
●Hoge doorslagspanning:GaN-op-Si-wafers hebben een hoge doorslagspanning (tot 1200 V), waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen met hoge spanning.
●Snellere schakelsnelheden:GaN heeft een hogere elektronenmobiliteit en lagere schakelverliezen dan silicium, waardoor GaN-op-Si-wafers ideaal zijn voor snelle circuits.
●Verbeterde thermische prestaties:Ondanks de lage thermische geleidbaarheid van silicium, biedt GaN-on-Si nog steeds een superieure thermische stabiliteit, met een betere warmteafvoer dan traditionele siliciumapparaten.
Technische specificaties
| Parameter | Waarde |
| Wafergrootte | 4 inch, 6 inch |
| Si-substraatoriëntatie | <111>, <100>, aangepast |
| Si-resistiviteit | Hoge weerstand, semi-isolerend, lage weerstand |
| Dopingtype | N-type, P-type |
| GaN-laagdikte | 100 nm – 5000 nm (aanpasbaar) |
| AlGaN-barrièrelaag | 24% – 28% Al (typisch 10-20 nm) |
| Doorslagspanning | 600V – 1200V |
| Elektronenmobiliteit | 2000 cm²/V·s |
| Schakelfrequentie | Tot 18 GHz |
| Ruwheid van het waferoppervlak | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN-plaatweerstand | 437,9 Ω·cm² |
| Totale wafer kromming | < 25 µm (maximaal) |
| Thermische geleidbaarheid | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Toepassingen
VermogenselektronicaGaN-op-Si is ideaal voor vermogenselektronica zoals vermogensversterkers, converters en omvormers die worden gebruikt in hernieuwbare-energiesystemen, elektrische voertuigen (EV's) en industriële apparatuur. De hoge doorslagspanning en lage inschakelweerstand zorgen voor een efficiënte vermogensconversie, zelfs in toepassingen met een hoog vermogen.
RF- en microgolfcommunicatie:GaN-op-Si-wafers bieden hoogfrequente mogelijkheden, waardoor ze perfect zijn voor RF-vermogensversterkers, satellietcommunicatie, radarsystemen en 5G-technologieën. Met hogere schakelsnelheden en de mogelijkheid om te werken op hogere frequenties (tot18 GHz) bieden GaN-apparaten superieure prestaties in deze toepassingen.
Auto-elektronica:GaN-op-Si wordt gebruikt in automobiele energiesystemen, waaronderon-board laders (OBC's)EnDC-DC-omvormersDoordat het bij hogere temperaturen kan functioneren en hogere spanningsniveaus aankan, is het zeer geschikt voor toepassingen in elektrische voertuigen waarbij een robuuste vermogensomzetting vereist is.
LED en opto-elektronica:GaN is het materiaal bij uitstek voor blauwe en witte LED'sGaN-op-Si-wafers worden gebruikt om zeer efficiënte LED-verlichtingssystemen te produceren, die uitstekende prestaties leveren op het gebied van verlichting, displaytechnologieën en optische communicatie.
Vragen en antwoorden
Vraag 1: Wat is het voordeel van GaN ten opzichte van silicium in elektronische apparaten?
A1:GaN heeft eengrotere bandafstand (3,4 eV)dan silicium (1,1 eV), waardoor het bestand is tegen hogere spanningen en temperaturen. Deze eigenschap zorgt ervoor dat GaN toepassingen met een hoog vermogen efficiënter kan verwerken, waardoor vermogensverlies wordt verminderd en de systeemprestaties worden verbeterd. GaN biedt ook hogere schakelsnelheden, wat cruciaal is voor hoogfrequente apparaten zoals RF-versterkers en vermogensomvormers.
V2: Kan ik de oriëntatie van het Si-substraat voor mijn toepassing aanpassen?
A2:Ja, wij biedenaanpasbare Si-substraatoriëntatieszoals<111>, <100>en andere oriëntaties, afhankelijk van de vereisten van uw apparaat. De oriëntatie van het Si-substraat speelt een belangrijke rol in de prestaties van het apparaat, inclusief elektrische eigenschappen, thermisch gedrag en mechanische stabiliteit.
Vraag 3: Wat zijn de voordelen van het gebruik van GaN-op-Si-wafers voor hoogfrequentietoepassingen?
A3:GaN-op-Si-wafers bieden superieureschakelsnelhedenwaardoor ze sneller werken bij hogere frequenties in vergelijking met silicium. Dit maakt ze ideaal voorRFEnmagnetrontoepassingen, evenals hoogfrequenteelektrische apparatenzoalsHEMT's(transistoren met hoge elektronenmobiliteit) enRF-versterkersDe hogere elektronenmobiliteit van GaN resulteert ook in lagere schakelverliezen en een verbeterde efficiëntie.
Vraag 4: Welke dopingopties zijn er beschikbaar voor GaN-op-Si-wafers?
A4:Wij bieden beideN-typeEnP-typedopingopties, die algemeen worden gebruikt voor verschillende typen halfgeleiderapparaten.N-type dopingis ideaal voorvermogenstransistorenEnRF-versterkers, terwijlP-type dopingwordt vaak gebruikt voor opto-elektronische apparaten zoals LED's.
Conclusie
Onze op maat gemaakte galliumnitride-op-silicium (GaN-op-Si) wafers bieden de ideale oplossing voor toepassingen met hoge frequenties, hoge vermogens en hoge temperaturen. Met aanpasbare Si-substraatoriëntaties, weerstand en N-type/P-type doping zijn deze wafers afgestemd op de specifieke behoeften van industrieën, variërend van vermogenselektronica en automobielsystemen tot RF-communicatie en ledtechnologie. Door optimaal gebruik te maken van de superieure eigenschappen van GaN en de schaalbaarheid van silicium, bieden deze wafers verbeterde prestaties, efficiëntie en toekomstbestendigheid voor apparaten van de volgende generatie.
Gedetailleerd diagram
