Gallium Nitride (GaN) Epitaxiaal Gekweekt op Saffier Wafers 4inch 6inch voor MEMS

Korte beschrijving:

Galliumnitride (GaN) op saffierwafers biedt ongeëvenaarde prestaties voor toepassingen met hoge frequenties en hoge vermogens. Daarmee is het het ideale materiaal voor RF-front-endmodules (radiofrequentie), ledlampen en andere halfgeleiderapparaten van de volgende generatie.GaNDe superieure elektrische eigenschappen van GaN, waaronder een hoge bandgap, maken het mogelijk om te werken bij hogere doorslagspanningen en temperaturen dan traditionele siliciumapparaten. Naarmate GaN steeds vaker wordt gebruikt in plaats van silicium, stimuleert het de ontwikkeling van elektronica die lichtgewicht, krachtige en efficiënte materialen vereist.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Eigenschappen van GaN op saffierwafers

●Hoge efficiëntie:Apparaten op basis van GaN leveren vijf keer zoveel vermogen als apparaten op basis van silicium, waardoor de prestaties in verschillende elektronische toepassingen worden verbeterd, waaronder RF-versterking en opto-elektronica.
●Brede bandgap:Dankzij de grote bandgap van GaN is een hoge efficiëntie mogelijk bij hoge temperaturen. Hierdoor is GaN ideaal voor toepassingen met een hoog vermogen en hoge frequenties.
●Duurzaamheid:Doordat GaN extreme omstandigheden (hoge temperaturen en straling) aankan, zijn langdurige prestaties in zware omgevingen gegarandeerd.
●Klein formaat:GaN maakt de productie van compactere en lichtere apparaten mogelijk in vergelijking met traditionele halfgeleidermaterialen, waardoor kleinere en krachtigere elektronica mogelijk wordt.

Abstract

Galliumnitride (GaN) ontwikkelt zich tot de halfgeleider bij uitstek voor geavanceerde toepassingen die een hoog vermogen en hoge efficiëntie vereisen, zoals RF-front-endmodules, snelle communicatiesystemen en ledverlichting. Epitaxiale GaN-wafers, gekweekt op saffiersubstraten, bieden een combinatie van hoge thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning en een brede frequentierespons, wat essentieel is voor optimale prestaties in draadloze communicatieapparatuur, radars en jammers. Deze wafers zijn verkrijgbaar met een diameter van 10 cm en 15 cm, met verschillende GaN-diktes om aan verschillende technische eisen te voldoen. De unieke eigenschappen van GaN maken het een uitstekende kandidaat voor de toekomst van vermogenselektronica.

Productparameters

Producteigenschap	Specificatie
Waferdiameter	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Substraat	Saffier
GaN-laagdikte	0,5 μm - 10 μm
GaN-type/doping	N-type (P-type op aanvraag verkrijgbaar)
GaN-kristaloriëntatie	<0001>
Polijsttype	Enkelzijdig gepolijst (SSP), dubbelzijdig gepolijst (DSP)
Al2O3-dikte	430 μm - 650 μm
TTV (totale diktevariatie)	≤ 10 μm
Boog	≤ 10 μm
Verdraaien	≤ 10 μm
Oppervlakte	Bruikbaar oppervlak > 90%

Vragen en antwoorden

Vraag 1: Wat zijn de belangrijkste voordelen van het gebruik van GaN ten opzichte van traditionele halfgeleiders op basis van silicium?

A1GaN biedt verschillende belangrijke voordelen ten opzichte van silicium, waaronder een grotere bandgap, waardoor het hogere doorslagspanningen aankan en efficiënt werkt bij hogere temperaturen. Dit maakt GaN ideaal voor toepassingen met een hoog vermogen en hoge frequenties, zoals RF-modules, vermogensversterkers en leds. GaN's vermogen om hogere vermogensdichtheden aan te kunnen, maakt ook kleinere en efficiëntere apparaten mogelijk in vergelijking met alternatieven op siliciumbasis.

V2: Kan GaN op saffierwafers worden gebruikt in MEMS-toepassingen (micro-elektromechanische systemen)?

A2Ja, GaN op saffierwafers is geschikt voor MEMS-toepassingen, met name waar een hoog vermogen, temperatuurstabiliteit en lage ruis vereist zijn. De duurzaamheid en efficiëntie van het materiaal in hoogfrequente omgevingen maken het ideaal voor MEMS-apparaten die worden gebruikt in draadloze communicatie-, sensor- en radarsystemen.

Vraag 3: Wat zijn de potentiële toepassingen van GaN in draadloze communicatie?

A3GaN wordt veel gebruikt in RF front-end modules voor draadloze communicatie, waaronder 5G-infrastructuur, radarsystemen en jammers. De hoge vermogensdichtheid en thermische geleidbaarheid maken het perfect voor apparaten met een hoog vermogen en hoge frequenties, wat zorgt voor betere prestaties en kleinere vormfactoren in vergelijking met siliciumgebaseerde oplossingen.

Vraag 4: Wat zijn de levertijden en minimale bestelhoeveelheden voor GaN op saffierwafers?

A4Levertijden en minimale bestelhoeveelheden variëren afhankelijk van de wafergrootte, GaN-dikte en specifieke klantvereisten. Neem rechtstreeks contact met ons op voor gedetailleerde prijzen en beschikbaarheid op basis van uw specificaties.

V5: Kan ik aangepaste GaN-laagdiktes of dopingniveaus krijgen?

A5Ja, we bieden maatwerk in GaN-dikte en dopingniveaus om aan specifieke toepassingsbehoeften te voldoen. Laat ons uw gewenste specificaties weten en wij bieden een oplossing op maat.