GaAs high-power epitaxiale wafersubstraat galliumarsenide wafer power laser golflengte 905nm voor laser medische behandeling
De belangrijkste kenmerken van de GaAs laser epitaxiale plaat zijn onder meer:
1. Hoge elektronenmobiliteit: Galliumarsenide heeft een hoge elektronenmobiliteit, waardoor GaAs-laser epitaxiale wafers goede toepassingen hebben in hoogfrequente apparaten en snelle elektronische apparaten.
2. Directe bandgap-overgangsluminescentie: Als directe bandgap-materiaal kan galliumarsenide elektrische energie efficiënt omzetten in lichtenergie in opto-elektronische apparaten, waardoor het ideaal is voor de vervaardiging van lasers.
3. Golflengte: GaAs 905-lasers werken doorgaans op 905 nm, waardoor ze geschikt zijn voor vele toepassingen, waaronder de biogeneeskunde.
4. Hoge efficiëntie: met een hoge foto-elektrische conversie-efficiëntie kan het elektrische energie effectief omzetten in laseruitvoer.
5. Hoog vermogen: het kan een hoog vermogen bereiken en is geschikt voor toepassingsscenario's die een sterke lichtbron vereisen.
6. Goede thermische prestaties: GaAs-materiaal heeft een goede thermische geleidbaarheid, waardoor de bedrijfstemperatuur van de laser wordt verlaagd en de stabiliteit wordt verbeterd.
7. Brede afstembaarheid: het uitgangsvermogen kan worden aangepast door de aandrijfstroom te wijzigen om zich aan te passen aan verschillende toepassingsvereisten.
De belangrijkste toepassingen van GaAs laser epitaxiale tabletten zijn onder meer:
1. Optische vezelcommunicatie: GaAs laser-epitaxplaat kan worden gebruikt om lasers te vervaardigen in optische vezelcommunicatie om optische signaaloverdracht op hoge snelheid en over lange afstanden te bereiken.
2. Industriële toepassingen: Op industrieel gebied kunnen GaAs-laser-epitaxplaten worden gebruikt voor laserbereik, lasermarkering en andere toepassingen.
3. VCSEL: Verticale holte-oppervlakte-emitterende laser (VCSEL) is een belangrijk toepassingsgebied van GaAs-laser-epitaxiale platen, die veel worden gebruikt in optische communicatie, optische opslag en optische detectie.
4. Infrarood- en spotveld: GaAs laser-epitaxplaat kan ook worden gebruikt voor de vervaardiging van infraroodlasers, spotgeneratoren en andere apparaten, die een belangrijke rol spelen bij infrarooddetectie, lichtweergave en andere velden.
De bereiding van GaAs-laser-epitaxiale platen hangt voornamelijk af van epitaxiale groeitechnologie, waaronder metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD), moleculaire bundel epitaxiale (MBE) en andere methoden. Deze technieken kunnen de dikte, samenstelling en kristalstructuur van de epitaxiale laag nauwkeurig controleren om hoogwaardige GaAs-laser-epitaxiale platen te verkrijgen.
XKH biedt maatwerk van GaAs epitaxiale platen in verschillende structuren en diktes, voor een breed scala aan toepassingen in optische communicatie, VCSEL, infrarood- en lichtvlekvelden. De producten van XKH worden vervaardigd met geavanceerde MOCVD-apparatuur om hoge prestaties en betrouwbaarheid te garanderen. Op logistiek gebied beschikt XKH over een breed scala aan internationale bronkanalen, die het aantal bestellingen flexibel kunnen verwerken en diensten met toegevoegde waarde kunnen leveren, zoals verfijning en onderverdeling. Efficiënte leveringsprocessen zorgen voor een tijdige levering en voldoen aan de eisen van de klant op het gebied van kwaliteit en levertijden. Klanten kunnen na aankomst uitgebreide technische ondersteuning en after-sales service krijgen om ervoor te zorgen dat het product soepel in gebruik wordt genomen.
Gedetailleerd diagram
